본 논문에서는 계단 임피던스를 갖는 삼각패치형 5단 저역 통과 여파기를 제안한다. 제안된 구조는 일반적인 계단형 임피던스 저역 통과 여파기를 직각 이등변 삼각형으로 접어 구현한 구조로서, 설계법은 기존의 계단형 임피던스 여파기와 동일하다. 또한, 기존 계단형 임피던스 여파기와 다르게, 이 구조는 콤팩트하게 접히면서 생성된 slot들에 의하여 여파기의 차단 주파수 및 차단 대역폭과 감쇠극 특성을 조절할 수 있는 장점을 가지고 있고 또한, 소형화에 유리하다. 제작된 여파기는 $13.75mm{\times}6.875mm$의 크기로 일반적인 계단형 임피던스 여파기에 비해 24.4 %의 크기가 감소되었다. 측정 결과, 통과 대역에서 -10 dB 이하의 반사 손실과 차단 대역에서 -10 dB 이하의 삽입 손실을 보였고, 약 $3f_c$까지 차단되었다.
We fabricated cube textured Ni substrate for YBCO coated conductor and evaluated the effects of processing parameters on microstructural evolution and texture formation. Ni-rods as an initial specimen were prepared by two different methods, i.e., powder metallurgy(PM) and plasma arc melting(PAM). Subsequently, the rods were cold rolled to 100 $\mu\textrm{m}$ thick substrate and annealed at temperatures of $700∼1200^{\circ}C$. The texture of the substrate was characterized by pole-figure. It was observed that the texture of substrate made by P/M did not significantly varied with annealing temperature of 600∼$l100^{\circ}C$ and the full-width at half-maximums (FWHM) of both in-plane and out-of-plane were 9$^{\circ}$∼$10^{\circ}$. On the other hand, the texture of substrate made by PAM was more dependent on the annealing temperature and the corresponding values were $9^{\circ}$ ∼$13^{\circ}$ at the temperature range. In addition, recrystallization twin texture, (221)<221>, was formed as the temperature increased further. OM profiles showed that the grain size of substrate made by P/M was smaller than that made by PAM and this difference was correlated to the microstructure of initial specimens.
O- and Zn-polar ZnO films were grown by DC magnetron sputtering. Growth of high-quality, single-crystal ZnO thin films were confirmed by XRD and pole figure analysis. O-polar ZnO was grown on an $Al_2O_3$ substrate, which was confirmed by a slow growth rate (378 nm/hr), a fast etching rate (59 nm/min), and by the hillocks on the surface after etching. Zn-polar ZnO was grown on a GaN/$Al_2O_3$ substrate, which was confirmed by a fast growth rate (550 nm/hr), a slow etching rate (28 nm/min), and by pits on the surface after etching. Results from the present study show that it is possible to use DC-sputtering to grow ZnO film with the same polarity as other epitaxial growth methods.
We demonstrate epitaxial growth of ZnO thin films on 4H-SiC(0001) substrates using pulsed laser deposition (PLD). ZnO and SiC have attracted attention for their special material properties as wide band gap semiconductors. Especially, ZnO could be applied to optoelectronic applications such as light emitting devices and photo detectors due to its direct wide bandgap (Eg) of ~3.37eV and large exciton binding energy of ~60meV. SiC shows a good lattice matching to ZnO compared with other commonly used substrates and in this regard SiC is a good candidate as a substrate for ZnO. In this work, ZnO thin films were grown on 4H-SiC(0001) substrates by PLD using an Nd:YAG laser with a 355nm wavelength. The crystalline properties of the films were evaluated by x-ray diffraction (XRD) $\theta-2\theta$, rocking curve and pole figure measurements using a high-resolution diffractometer. The surface morphology of the films was studied by atomic force microscopy (AFM).
한국초전도학회 2000년도 High Temperature Superconductivity Vol.X
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pp.111-120
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2000
Recently, metal oxide films such as MgO or ZrO$_2$ have been studied as buffer layers to fabricate the superconductor with preferred orientation and as diffusion barriers to prevent the reaction between superconductor and metal substrate. In this research, we focused fabrication and characterization of MgO and ZrO$_2$ films on textured metal substrates. We fabricated MgO and ZrO$_2$ films on the Ni metal sheets by sol-gel dipping method. The microstrcures of the films were investigated by SEM and AES analyses. The films were coated with different cycles and dryed at 400$^{\circ}$C and 500$^{\circ}$C . The final films were heat-treated at 700$^{\circ}$C, 800$^{\circ}$C, and 1000$^{\circ}$C, in air atmosphere. We investigated the alignment of MgO and ZrO$_2$ films on Ni metal sheets by XRD and pole figure. The grain growth of metal oxide films was improved by the increase of the drying temperature and annealing temperature. The grain growth was increased with the annealing temperature. The alignment of metal oxide films depended on the thickness.
We fabricated the YBCO films on single crystal $LaAlO_3$ substrates via a metal organic deposition (MOD) process. In the process, $Y_2Ba_1Cu_1O_x$ and $Ba_3Cu_5O_8$ powders were dissolved in trifluoroacetic acid (TFA) followed by calcining and firing heat treatments. To evaluate the effects of the firing temperature on YBCO phase formation and critical properties, the films were fired at $750^{\circ}C,\;775^{\circ}C\;and\;800^{\circ}C$ after calcining at $430^{\cric}C$. Microstructure observation indicated that a crack-free surface formed and a strong biaxial texture was developed. The FWHM of out-of-plane texture was measured to be in the range of $4.3^{\cric}-7.0^{\circ}$ for all the films. When the YBCO film was fired at $775^{\cric}C$, it had the highest critical properties: 88.5 K of critical temperature and 16 A/cm-width of critical current ($1MA/cm^2$ as critical current density). On the other hand, those properties were degraded as firing at $750^{\circ}C\;and\;800^{\circ}C$. It is considered that the improved critical values are partly owing to dense and homogeneous microstructure, strong texture, and high oxygen content.
The changes in microstructure and mechanical properties of AZ31 alloy subjected hot-rolling process were investigated. The AZ31 plates fabricated by horizontal continuous casting process were prepared and have hot-rolled from 30 mm to 1 mm in thickness under different processing conditions. At the rolling temperature of $400^{\circ}C$, little surface and side crack was observed up to 20% reduction rate. As total reduction and reduction rate increase to more than 75% and 20% pass, respectively, Grains were more uniformly refined through overall thickness, and particularly lots of shear bands were appeared to be inclined at less than $20^{\circ}C$ along the rolling direction. Average grain size of less than $5{\mu}m$ and tensile properties of YS ${\geq}$ 250 MPa, UTS ${\geq}$ 300 MPa and El. ${\geq}$ 13% were acquired for hot-rolled AZ31 sheets without post-heat treatment. Maximum intensity of (0002) pole figure was decreased with an increase in reduction rate, indicating the improvement of texture by means of high reduction rate.
중국 애니메이션의 역사에서 문화대혁명은 초기 애니메이션의 발전을 저해하고 이후 중국 애니메이션의 성장이 저조해지는 데 원인을 제공한 계기로서 부정적으로 평가된다. 따라서 이 시기 애니메이션 작품들은 학술 연구의 대상으로 분석되거나 연구되는 일이 거의 없이 일률적으로 평가절하되었다. 그러나 모든 문화예술의 창작은 특정한 역사적 조건 속에서 발전하며 그 나름의 미학적 성과를 지닌다. 본고는 문화대혁명 시기의 문화예술 창작을 주도했던 미학 원칙들을 고찰하고 해당 시기의 중국 애니메이션이 거둔 성과를 객관적인 관점에서 파악하려는 데 일차적인 목적을 둔다. 문화대혁명은 무산계급의 문화를 부각시킨다는 마오쩌둥의 사회주의 이데올로기에 따라 이전 시기까지의 문화예술을 지양하고 새로운 계급 문화를 창조하는 데 목적을 두었다. 따라서 이 시기의 문화예술 창작은 우리가 일반적으로 수용하는 미학 원칙과 어긋나는 부분이 많으며 비문자적이고 반엘리트적인 특성을 지닌다. 모범극은 문화대혁명 시기 문화예술의 미학 원칙을 모범적으로 구현한 창작물로 손꼽히며 문화대혁명 시기의 중국 애니메이션이 지향했던 미학 원칙들을 이해하는 데 참조가 된다. 본고는 삼돌출(三突出), 홍광량(紅光亮), 고대전(高大全)이라는 문화대혁명 시기의 미학 원칙이 구체적인 작품 속에서 어떻게 반영되고 있는지, 문화대혁명 시기 애니메이션은 이러한 미학 원칙을 어떻게 수용하고 나름의 방식으로 적응했는지 확인하기 위해 모범극과 문화대혁명 시기 중국 애니메이션의 상관관계에 대해 비교 연구하는 데 중점을 두었다. 먼저 모범극과 중국 애니메이션의 유사성을 중심으로 문화대혁명 시기의 미학 원칙이 작품 속에서 어떻게 구현되고 있는지 분석한 뒤, 분석 내용에 따라 이러한 미학 원칙이 중국 애니메이션의 창작에 끼친 긍정적인 영향과 부정적인 영향을 중립적으로 서술하였다. 구체적인 분석과 비교 고찰 과정에서는 크게 캐릭터와 장면 연출의 두 가지 측면에서 접근을 시도하였다. 캐릭터의 측면에서 문화대혁명 시기의 중국 애니메이션은 어린 소년, 소녀를 주인공으로 내세워 바람직한 공농병(工農兵) 형상을 부각시키기 위해 붉은 입술과 홍조를 띤 뺨을 강조해 건강함을 강조하고, 매끈한 질감과 정교한 터치로 반짝이는 느낌을 강조하며, 깔끔하고 선명한 색채로 빛나는 색감을 강조하는 '홍광량'의 원칙을 구현하는 데 치중하였음을 확인할 수 있었다. 장면 연출의 측면에서 문화대혁명 시기의 애니메이션은 소수의 안타고니스트에 비해 다수의 프로타고니스트를 강조하고, 다수의 프로타고니스트 가운데서도 뛰어난 영웅 인물들을 강조하며, 또 뛰어난 영웅 인물들 가운데서도 주요한 영웅 인물을 강조하는 '삼돌출'의 단계별 연출 방식을 사용하였다. 또한 영웅 인물은 일반적으로 로우앵글로 찍음으로써 높고 크고 완벽한 모습으로 연출해 '고대전'의 미학 원칙을 충실히 구현하고자 하였다.
저 잡음 증폭기는 RF 수신단의 필수적인 요소이며, 다양한 무선시스템에서 사용하기 위하여 넓은 주파수 범위에서 동작하도록 요구된다. 전압 이득, 반사 손실, 잡음 지수, 선형성과 같은 중요한 성능지표들을 신중히 다루어서, 제안하는 LNA의 주요한 성능으로 역할을 하게끔 한다. Buffer 단에서 peaking 인덕터를 사용하며 전체적으로 cascade 구조로써 inductive shunt feedback을 LNA 입력 단에 성공적으로 적용하였다. 광대역 정합 주파수를 얻기 위한 설계식은 상대적으로 간단한 회로구성을 통해 도출된다. 입력 임피던스의 주파수 응답 분석을 위하여 pole과 zero를 광대역 응답을 실현하기 위한 특성으로 기술하였다. 입력 단에 게이트와 드레인 사이의 인덕터는 출력의 3차 고조파를 감소시킴으로 선형성을 크게 향상시킬 수 있다. 제안하는 회로를 $0.18{\mu}m$의 CMOS 공정으로 제작하였고, Pad를 포함한 광대역 LNA의 칩 면적은 $0.202mm^2$이다. 측정 결과는 1.5~13 GHz에서 입력손실은 -7 dB 이하이고, 전압 이득은 8 dB 이상이며, 잡음 지수는 6~9 dB 정도이다. 그리고 IIP3는 8 GHz에서 2.5 dBm이며, 1.8 V 전압에서 14 mA 전류를 소모한다.
YBCO film was synthesized by using a new approach to the TFA-MOD method. In the fabrication process, $Y_2Ba_1Cu_1O_x\;and\;Ba_3Cu_5O_8$ powders were used as precursors (the so called '211 process'), instead of Y-, Ba-, and Cu-based acetates, and dissolved in trifluoroacetic acid followed by calcining and firing heat treatment. Consequently, we successfully fabricated YBCO film and evaluated the phase formation, texture evolution, and critical properties as a function of the calcining and firing temperature and humidity, in order to explore its possible application in coated conductor fabrication. The films were calcined at $430-460^{\circ}C$ and then fired at $750-800^{\circ}C\;in\;a\;0-20\%$ humidified $Ar-O_2$ atmosphere. We observed that $BaF_2$ phase was effectively reduced and that a sharp and strong biaxial texture formed under humidified atmosphere leading to increased critical properties. In addition, we found that the microstructure varied significantly with the firing temperature: the grain grew further, the film became denser, and the degree of texture and phase purity varied as the firing temperature increased. For the film fired at $775^{\circ}C$ after calcining at $460^{\circ}C$, the critical current was obtained to be 39 A/cm-width (corresponding critical current density is $2.0\;MA/cm^2$ which was probably attributed to such factors as the enhanced phase purity and out-of-plane texture, the moderate film density and grain size, and crack-free surface.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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