• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2008년도 제34회 동계학술대회 초록집
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• pp.347-347
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• 2008

• 한국생산제조학회지
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• 제25권4호
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• pp.281-289
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• 2016

Agitation is a secondary process used to increase the PR stripping force on an ITO-glass surface; it is an efficient approach to stripping during production. It activates the stripper to chemically penetrate the PR layer and assists by breaking down the physical bonding forces at the surface. In this study, different stripping tests were conducted by varying the dipping time, the composition, the strip temperature, and the stripper concentration. Optimal PR strip conditions were estimated by using comparative visual inspection of stripped sample surfaces. The stripping process was affected by changes in the moving speeds and the sample positions. It was confirmed that the stripping capability improved at a dilute stripper ratio of 20-40% and a strip temperature of $30-40^{\circ}C$ and within 60 s of strip time.

• 한국진공학회지
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• 제18권2호
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• pp.97-101
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• 2009

현대의 반도체 산업에서 공정 중 가장 큰 비중을 차지하며, 가장 많은 자본과 인력을 소비하는 것이 바로 세정 공정이다. 세정공정은 소자의 작동에 영향을 미치고 기능을 저하시킬 수 있는 이물질 입자들을 제거하는 것이다. 특히 소자를 식각하기 위한 Photoresist(PR) 과정이 끝날 때마다 항상 세정 과정이 포함되어야 했다. 또한, Photoresist(PR) 공정 중 생성된 HDI-PR(high dose implanted photoresist)은 세정 과정에서 제거가 힘들기 때문에 현대의 고밀도 집적회로 세정 공정에서는 건식 세정과 습식 세정을 혼용하여 여러 단계의 세정 공정을 거치게 된다. 이 논문에서는 기존 플라즈마 방식으로 대표되는 건식 세정과 약액으로 대표되는 습식 세정을 동시에 사용하는 방식을 사용하여 약액활성화 방법(Plasma Liquid-Vapor Activation; PLVA)을 제안하여 실험을 실시하였고 HDI-PR을 활성화된 용액에 담근 후 Nano-Indenter를 이용하여 표면강도와 탄성계수를 측정했다. Nano-indenter는 특정한 기하학적 형태를 가지는 Tip을 표면에 압입한 후 압입하중과 압입깊이를 측정함으로서 시료의 표면강도와 탄성계수를 측정하였다. 그 결과 plasma로 활성화된 PR stripper 용액으로 strip한 후의 시료의 표면 강도가 크게 줄어든 것을 확인하였다. 이는 이후 물리적 표면 세정 공정을 후 공정으로 사용한다면 보다 효율적인 HDI-PR을 제거할 수 있을 것으로 사료된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.95-96
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• 2006

CMOS Image Sensor(CIS) 소자에서 광감도의 향상과 천연색 형성을 위하여 적용하고 있는 Color-Filter 공정에서 국부적으로 발생하는 strip성 불량과 막질손상을 제거하기 위한 연구를 진행하였다. 우선 지역적 경향성을 보이는 불량에 대해서는 PR strip process type을 액조 진행방식에서 회전식으로 변경했을 때 제거됨을 확인하였고, 막질손상을 최소화하기 위해서는 새로운 유기용매의 적용이 필요하였다. 실험 결과, 케톤기를 가지는 화합물과 Polar Apotic 용매의 혼합화합물을 적용하였을 때 각 막질에 attack을 최소화하면서 원하는 PR만 선택적으로 제거 되며 미세잔류성분에 대한 제거력도 향상됨을 확인하였다.

• 한국생산제조학회지
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• 제26권2호
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• pp.158-165
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• 2017

This study investigated spraying factors applicable to stripper usage. Cyclodextrine, as environment-friendly material, was included in the stripper composition. An efficient spray technology was applied for the Photoresist strip. For industrial applications, stripping requires a temperature below $50^{\circ}C$, a strip time within 50 s, and chemically stable activation. Spraying factors were organized considering many conditions-orifice diameter, working pressure (inlet speed), spray distance, and spray angle. For commercial practicability, the flow rate was limited to 3 L/min. The nozzle parameters were nozzle orifice diameter of 1.8-2.2 mm, spray distance of 40-60 mm, and injection speed of 0.7-1.2 m/s. Through the thermal spray movement of the fluid, the thermal boundary layer for a chemical reaction just above the ITO-glass surface and momentum region for sufficient agitation (above 4 m/s) was achieved.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.2008-2010
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• 2002

Process conditions of a novel negative thick photoresist, JSR THB-$430N^{(R)}$, are established in this paper. Although SU-8 obtains uniform and high-aspect-ratio structures, it is hard to remove the SU-8 mold after electroplating. The JSR THB-$430N^{(R)}$ can be more easily removed than the SU-8 and has a low internal stress. Introducing two step strip processes using acetone and the jSR THB-$S1^{(R)}$, the JSR THB-$430N^{(R)}$ electroplating mold was removed completely and a JSR THB-$430N^{(R)}$ film stress is compressive less than 2 MPa. In this paper, we obatined $200{\mu}m$ thick PR structure and $100{\mu}m$ thick electroplated nickel structure using the JSR THB-$430N^{(R)}$ photoresist.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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• pp.1089-1092
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• 2003

This paper has been studied on wafer cleaning and photoresist striping in semiconductor fabrication processes using ozone solved deionized water. In this work, we have developed high concentration ozone generating system and high contact ratio ozone solving system to get high efficiency DIO$_3$. Through this study, we obtained 11% ozone gas concentration, 99.5% of ozone efficiency and 51% of solubility in deionized water.

• 한국생산제조학회지
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• 제25권1호
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• pp.14-20
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• 2016

This paper describes a green stripping process to effectively strip the remaining DFR layer on a non-alkali-based ITO glass surface after an etching process. A stripper, water-soluble amine compound, is used to investigate the characteristics of stripping ability and to suggest a valid method for the green process. Increasing the composition (5-30% concentration) of the ethanol amine-based stripper was found to greatly reduce the stripping time applied in the dipping method. The composition (30%) achieved an excellent stripping effect and free-residue impurities. Additionally, it was possible to obtain the effect of stripping in a way to sustain the release before generating DFR sludge from the ITO glass surface by using dipping condition (stripping time) in the composition. An Additional stripping process (buffering) out of dipping can realize productivity improvement and cost reduction because of the higher proportion of re-use of the stripping solution used in the DFR removal step.

• 청정기술
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• 제17권4호
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• pp.300-305
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• 2011

고농도 이온 주입되어 경화된 포토레지스트(HDI PR)를 효과적으로 제거하기 위해 초임계 이산화탄소와 여러 가지 공용매를 사용하였다. 공용매에 의한 용해 방식으로는 경화된 PR층이 완벽하게 제거되지 않기 때문에 고압셀에 초음파 발생 팁을 부착하여 웨이퍼 표면에 물리적인 힘을 제공함으로서 제거 성능을 높이고 제거시간을 단축할 수 있었다. 또한, HDI PR 제거 반응 후에 초임계 이산화탄소와 서로 섞이지 않는 헬륨 가스를 셀 내부에 주입하여 내용물을 배출함으로서, PR 제거 반응 잔여물을 빠른 시간에 제거할 수 있었다. 공용매의 종류 및 농도, 반응 온도, 압력 변화에 따른 HDI PR 제거 특성을 조사하였으며, 웨이퍼 표면의 반응 전 후의 상태 및 성분을 scanning electron microscopy과 energy dispersive X-ray spectrometer를 이용하여 분석하였다.

• 한국정밀공학회지
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• 제22권1호
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• pp.199-206
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• 2005

Mask manufacturing is a high COC and COO process in developing of semiconductor devices because of mask production tool with high resolution. Direct writing has been thought to be the one of the patterning method to cope with development or small-lot production of the device. This study consists two categories. One is the additional process of the direct and maskless patterning generation using SLA for easy and convenient application and the other is a removal process using wet-etching process. In this study, cured status of epoxy pattern is most important parameter because of the beer-lambert law according to the diffusion of UV light. In order to improve the contact force between patterns and substrate, prime process was performed and to remove the semi-cured resin which makes a bad effects to the pattern, spin cleaning process using TPM was also performed. At a removal process, contact force between photo-curable resin as an etching mask and Si wafer is important parameter.