• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제15권2호
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• pp.312-317
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• 2015

In this paper, the RF characteristics of multi-finger MOSFETs were improved by decreasing the parasitic capacitance in spite of increased gate resistance in a 90-nm CMOS technology. Two types of device structures were designed to compare the parasitic capacitance in the gate-to-source ($C_{gs}$) and gate-to-drain ($C_{gd}$) configurations. The radio frequency (RF) performance of multi-finger MOSFETs, such as cut-off frequency ($f_T$) and maximum-oscillation frequency ($f_{max}$) improved by approximately 10% by reducing the parasitic capacitance about 8.2% while maintaining the DC performance.

• ETRI Journal
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• 제41권6호
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• pp.715-730
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• 2019

We propose a switched beam-forming antenna that satisfies not only ultra-wideband characteristics but also beam-forming in the WLAN frequency band using an ultra-wideband antenna and passive parasitic elements applying a broadband optimal reactance load algorithm. We design a power and phase estimation function and an error correction function by re-analyzing and normalizing all the components of the parasitic array using control system engineering. The proposed antenna is compared with an antenna with a pin diode and reactance load value, respectively. The pin diode is located between the passive parasitic elements and ground plane. An antenna beam can be formed in eight directions according to the pin diode ON (reflector)/OFF (director) state. The antenna with a reactance load value achieves a better VSWR and gain than the antenna with a pin diode. We confirm that a beam is formed in eight directions owing to the RF switch operation, and the measured peak gain is 7 dBi at 2.45 GHz and 10 dBi at 5.8 GHz.

• 전기전자학회논문지
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• 제22권1호
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• pp.185-188
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• 2018

본 논문은 LED-TV용 SMPS EMI 감쇄 필터에서 적용되고 있는 저주파와 고주파의 광범위한 대역에서 EMI 감쇄가 가능한 기생 커패시턴스 저감형 Hybrid 초크 코일의 코일 구조, 권선 방법 및 섹션 보빈에 따른 기생 커패시턴스 임피던스 모델링을 나타내고 있다. 특히 본 논문에서 제안한 기생 커패시턴스 저감형 Hybrid 초크 코일은 평각 동선 권선방법을 채택함으로써 기존의 자동 권선형 공통 모드 초크 코일에 비해 기생커패시턴스($C_p$)을 저감할 수 있다. 기생 커패시턴스($C_p$)가 작아짐에 따라 제안한 기생 커패시턴스 저감형 Hybrid 초크 코일의 1차 공진 주파수는 증가하며 1차 공진 주파수가 증가함에 따라 특히 고주파 대역에서 임피던스특성이 개선됨을 알 수 있다. 본 논문에서 제안한 기생 커패시턴스 저감형 Hybrid 초크 코일은 향후 LED-TV SMPS를 포함한 LED 조명, Note-PC Adapter 등과 같은 다양한 분야에 응용되리라 사료된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권12호
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• pp.977-982
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• 2000

Conventional transistors which have vertical structure show increased parasitic capacitance characteristics in accordance with the increase of non-active base area and collector area. These consequently have disadvantage for high speed switching performance. In this paper, a lateral structure transistor which has minimized parasitic capacitance by using SDB(Silicon Direct Bonding) wafer and oxide sidewall isolation utilizing silicon trench technology is presented. Its structural characteristics are designed by ATHENA(SUPREM4), the process simulator from SILVACO International, and its performance is proven by ATLAS, the device simulator from SILVACO International. The performance of the proposed lateral structure transistor is certified through the V$\_$CE/-I$\_$C/ characteristics curve, h$\_$FE/-I$\_$C/ characteristics, and GP-plot. Cutoff Frequency is 13.7㎓.

• 전기전자학회논문지
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• 제22권2호
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• pp.413-419
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• 2018

이중 대역저지 특성을 가지는 UWB(Ultra Wide Band) 안테나를 설계 및 구현하였다. 슬롯을 포함한 평면 방사패치, 스트립선로 양쪽의 기생소자와 아랫면의 접지면으로 제안된 안테나가 구성되어있다. 평면 방사 패치 내에 있는 슬롯과 기생소자가 각각 해당 대역을 저지한다. 슬롯은 WiMAX(World interoperability for Microwave Access, 3.30~3.70 GHz) 대역을, 기생소자는 X-Band(7.25~8.395 GHz) 대역을 저지하는데 각각 기여한다. 제안된 안테나의 설계하고 성능을 평가하는데 Ansoft의 HFSS(High Frequency Structure Simulator)가 사용되었다. 전산모의실험결과는 저지 대역인 3.30~3.86 GHz, 7.21~8.39 GHz를 제외한 구간에서 VSWR(Voltage Standing Wave Ratio)는 2.0 이하를 보였다. 구현된 안테나의 VSWR 측정 결과는 저지 대역인 3.25~3.71 GHz, 7.25~8.46 GHz를 제외한 3.10~10.60 GHz 구간에서 VSWR 값이 2.0 이하로 나타났다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제48권12호
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• pp.773-776
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• 1999

A newly proposed lateral dual-gate thyristor was fabricated and measured, which has excellent current saturation characteristics of $1200A/cm^2$ even at an anode-gate voltage of 29V, through the elimination of the structurally existing parasitic thyristor. And through the comparison with the LIGBT, the excellent current saturation characteristics of a newly proposed device was verified.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.759-762
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• 2000

Present transistors which have vertical structure show increased parasitic capacitance characteristics in accordance with the increase of non-active base area and collector area, consequently have disadvantage for high speed switching performance. In this paper, a horizontal structure transistor which has minimized parasitic capacitance in virtue of SDB(Silicon Direct Bonding) wafer and oxide sidewall isolation utilizing silicon trench technology is presented. Its structural characteristics were designed by ATHENA(SUPREM4), the process simulator from SILVACO International, and its performance was proven by ATLAS, the device simulator from SILVACO International. The performance of the proposed horizontal structure transistor was certified through the VCE-lC characteristics curve, $h_{FE}$ -IC characteristics, and GP-plot.

• 전기전자학회논문지
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• 제1권1호
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• pp.11-18
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• 1997

회로 시뮬레이터를 이용하는 DC 셀 노드전압 분석방법을 적용하여, 고저항 SRAM 셀 구조에서 기생저항들과 트랜지스터 비대칭에 의해 야기되는 정적 읽기동작에서의 동작마진을 조사하였다. 이상적인 셀에 기생저항을 선택적으로 추가함으로써 각 기생저항들이 동작 마진에 끼치는 영향을 조사한 뒤, 기생저항이 좌우대칭 쌍으로 존재하는 경우에 대해 조사하고, 또한 셀 트랜지스터의 채널폭을 선택적으로 변화시켜 트랜지스터의 비대칭을 야기시킴으로써 트랜지스터 비대칭에 의한 동작 마진의 저하를 분석하였다. 분석 방법은 시뮬레이션된 셀 노드전압 특성에서 두 셀 노드전압이 하나의 값으로 수렴되는 전원전압의 값과 $V_{DD}=5V$에서 셀 노드전압의 차를 비교함으로써 상대적인 동작 마진을 비교하는 방법을 사용하였다. 회로 시뮬레이션에 의존한 본 분석으로부터 셀의 정적 읽기동작에 가장 심각한 영향을 끼치는 기생저항 성분과 트랜지스터의 비대칭 형태를 규명함으로써 새로운 셀 구조 설계시 참고할 수 있는 기준을 제시하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제27권6호
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• pp.495-503
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• 2016

본 논문은 인빌딩 이동통신용 소방무선대역을 포함하는 다중대역 중계기 안테나의 설계를 제안한 것이다. 제안된 안테나는 원형 평판 위에 중심 모노폴과 4개의 기생소자로 구성되어 있다. 다중대역에서 양호한 반사계수를 실현하기 위해서 4개의 기생소자와 중심 모노폴 사이의 상호 결합을 이용하였다. 기생소자와 중심 모노폴 사이의 거리, 중심 모노폴과 4개의 기생소자 각각의 높이와 같은 중요한 파라미터들이 다중대역에서 양호한 안테나 특성을 얻기 위해 모의실험되어졌다. 기생소자와 중심폴의 지름은 용이한 설계와 제작을 위해서 10 mm로 고정하였다. 측정된 반사계수, 2-D 패턴, 그리고 이득 값은 모의 실험된 값들과 잘 일치하였다.

• Journal of Forest and Environmental Science
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• 제36권4호
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• pp.290-297
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• 2020

This study analyzed and compared the damage rate, natural parasitic rate, and the morphological characteristics of Thecodiplosis japonensis larvae, which inhabit forest areas as control areas to large urban areas in 2018 and 2019. This research was conducted to provide basic data for the management of Thecodiplosis japonensis, which harm pine needles, and the results were as follows. First, the gall formation rate of Thecodiplosis japonensis collected from urban areas was upper-crown 35.59% and 34.25%, mid-crown 25.57% and 27.95%, and lower-crown 25.34% and 26.61%; the gall formation rate of Thecodiplosis japonensis was in the order of upper-crown>mid-crown>lower-crown in 2018 and 2019, respectively. In the control areas, the gall formation rates of Thecodiplosis japonensis in mountain villages in 2018 and 2019 were upper-crown 17.72% and 21.78%, mid-crown 13.85% and 16.97%, and lower-crown 15.12% and 15.79%; thus, in the order of upper-crown>lower-crown>mid-crown. The number of larvae in the galls of needles damaged by Thecodiplosis japonensis was as follows: the average number of larvae in the pine trees of urban areas was 9 and 8 in the upper-crown, 7 and 8 in the mid-crown, and 6 and 7 in the lower-crown respectively. This shows that the number of larvae was fewer in the lower-crown than the upper-crown, and that the number of larvae was higher in 2018 than in 2019. For natural parasitic rate of Thecodiplosis japonensis, the gall formation rate and natural parasitic rate of Thecodiplosis japonensis were surveyed; the natural parasitic rate was 12.5% and 11.8% in urban areas while the rate was 21.7% and 20.9% in mountain villages in respectively in 2018 and 2019.