Titanium nitride(TiN) thin films have been deposited on PEN(Polyethylene naphthalate) substrate by reactive RF(13.56 MHz) magnetron sputtering in a 25% N2/Ar mixed gas atmosphere. The pulsed DC bias voltage of -50V on substrates was applied with a frequency of 350 kHz, and duty ratio of 40%(1.1 ㎲). The effects of pulsed DC substrate bias voltage on the crystallinity, color, electrical properties of TiNx films have been investigated using XRD, SEM, XPS and measurement of the electrical properties such as electrical conductivity, carrier concentration, mobility. The deposition rates of TiNx films was decreased with application of the pulsed DC substrate bias voltage. The TiNx films deposited without and with pulsed bias of -50V to substrate exhibits gray and gold colors, respectively. XPS depth profiling revealed that the introduction of the substrate bias voltage resulted in decreasing oxygen concentration in TiNx films, and increasing the electrical conductivities, carrier concentration, and mobility to about 10 times, 5 times, and 2 times degree, respectively.
To increase the throughput of tip-based nanolithography (TBN), one approach is to use a large array of such tips working in parallel. It is important to maintain co-planarity between the tip array and the writing surface. A slight misalignment can cause large discrepancies of contact force and feature sizes. We report a capacitive proximity sensor built-in with the TBN array for leveling an arrayed polymer pen array. The device allows alignment between an array of writing tips and the writing substrate without contact and contamination. The angular sensitivity of the sensor is $0.05^{\circ}$ for an array with maximum tip-to-tip separation of 100 mm.
폴리(에틸렌 나프탈레이트) 중합 시 2,6-dimethyl naphthalene dicarboxylate와 함께 사용되는 디올 화합물인 ethylene glycol(EG), 1,3-propanediol(PD) 그리고 1,4-butanediol(BD)의 사용에 따른 공중합체의 물성을 살펴보았다. EG와 함께 PD 혹은 BD를 40% 이내 첨가하는 경우 합성된 폴리에스터가 무정형을 유지함을 알 수 있으며 이는 열적 특성과 배향 특성, 그리고 기계적 특성을 저하시키는 반면 치수안정성을 증가시킴을 획인할 수 있어 합성 폴리에스터가 유연기판 소재로의 적용 가능성을 확인하였다.
1995년 10월부터 1997년 10월까지 2년간 제주도 서귀포시 법환 어장 및 전라남도 장흥군 득량만 어장에서 키조개 자연채묘와 치패의 성장을 조사하였다. 환경조사에서는 수온은 법환 어장 $14.1-24.1^{\circ}C$, 득량만 어장 $4.7-28.5^{\circ}C$로서 법환 어장의 최저수온이 득량만 어장에 비해 $9.4^{\circ}C$ 높았으며, 최고 수온은 $4.4^{\circ}C$ 낮게 나타났다. 그 외의 8개 항목의 수질은 비슷한 결과를 나타내었으나 용존 무기질소가 법환 어장에서 다소 낮게 나타났으며 키조개의 서식에는 큰 영향을 미치지 않는 범위였다. 자연채묘는 키조개의 채묘기당 부착밀도는 법환 어장의 경우 10-13 m 수층에서 6.6 개체로 가장 높게 나타났고 득량만 어장에서는 1.9 개체였다. 월별로는 8월에 채묘를 실시한 시험구가 부착밀도 및 성장이 가장 좋았다. 부착한 키조개 치페의 성장은 채묘 6개월 후 평균 각장 42.5 mm로 성장하였으며, 부착일수 (D) 에 따른 각장 (SL) 의 관계식은 SL = 0.3854D + 0.8423 ($r^2$ = 0.9764)로 나타낼 수 있었다. 수심별 부착밀도 및 성장은 10-21 m층이 표층 및 저층에 비해 좋았다. 키조개 치패의 망목크기는 $1{\times}2mm$가 가장 좋았고, 부착기질은 polyethylene monofilament가 가장 양호한 것으로 조사되었다.
한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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pp.159-161
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2007
We fabricated flexible OTFT-backplanes for the electrophoretic display(EPD). The OTFTs employed bottom contact structure on PEN substrate and used the cross-linked polyvinylphenol for gate insulator, pentacene for active layer. Especially, we used PVA/Acryl double layers for passivation of backplane as well as for pixel dielectric layer between backplane and EPD panel. The OTFT-EPD panel worked successfully anddemonstrated to display some patterns.
연구 목적: 본 연구의 목적은 장석형 도재와 지르코니아에 Silano-pen의 적용이 복합레진과의 전단결합강도에 미치는 영향을 알아보고자 하는 것이다. 연구 재료 및 방법: 장석형 도재와 지르코니아를 지름 12 mm, 두께 2 mm 크기로 각각 30개씩 제작하여 표면을 고르고 평활하게 한 후 아크릴 레진에 포매 하였다. 각각 Group F와 Group Z로 나눈 후, (1) Group F1과 Z1은 불산 에칭과 실레인, (2) Group F2와 Z2는 Silano-pen과 실레인, (3) Group F3와 Z3는 불산 에칭과 Silano-pen, 실레인을 적용시켰다. 표면 처리 후, 각각의 시편의 표면을 주사전자현미경으로 관찰하였다. 높이 2 mm, 직경 3 mm의 복합레진을 붙여 광중합 하고 만능시험기를 이용하여 세라믹과 복합레진간의 전단결합강도를 측정하였다. 측정값을 Two way ANOVA와 Tukey's multiple comparison test을 사용하여 통계 분석 하였다(${\alpha}=.05$). 결과: 주사전자현미경의 관찰에서 Group F2와 F3에서 가장 거친 표면을 볼 수 있었으며, Group Z3에서 실리카 입자의 분포밀도가 가장 높았다. 장석형 도재에서는 전단결합강도 측정 결과 Group F3가 가장 높게 측정되었고 Group F1이 가장 낮게 측정되었지만, Group간에 통계학적 유의성은 없었다. 지르코니아에서는 Group Z3가 가장 높게 측정되었고 Group Z1이 가장 낮게 측정되었으며, Group간에 모두 통계학적 유의성이 있었다. 결론: 지르코니아에서는 불산 에칭의 적용 후 Silano-pen과 실레인의 적용이 복합레진 접착에 효과적이다.
Ferroelectric Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 thin films were successfully fabricated on ITO/Glass substrate by sol-gel proces-sing and characterized to determine the dielectric and electric properties. Viscosity of PEN sol measured to investigate rheological properties was 3.25 cP which was proper for coating. The sol also showed Newtonian behavior. RTA(Rapid Thermal Annealing) was used for the annealing of the thin film and 1200~1700$\AA$ thick PEN thin films were fabricated by repeating the intermediate and the final annealing. After the deposition of Pt as top electrode by vacuum evaporation dielectric and electric properties were measured. Dielectric properties of FFN thin film were enhanced by increasing the perovskite phase fraction with increasing the annealing temperature. Measured dielectric constant of 1700$\AA$ PFN thin film annealed at $650^{\circ}C$ was 890 at 1kHz Capacitatnce density and dielectric loss were 47 fF/${\mu}{\textrm}{m}$2 and 0.47 respectively. As a result of measuring Curie temperature PFN thin films had Curie point with a rang of 110~12$0^{\circ}C$ and showed broad dielectric peak at that point. Leakage current of the PFN thin films were increased with increasing the annealing tempera-ture.
A curing process in post-printing section of R2R process is required for an electrical property of the printed pattern when devices such as RFID, Solar cell are printed. PEN as well as heat-stabilized PET which is used as a plastic substrate would be deformed at high temperature due to change of its elastic modulus. And crack in the printed pattern, which is on the plastic substrate is occurred due to the deformation of the substrate. The occurrence of crack causes electrical resistance to increase and the quality of the device to deteriorate. In case of RFID antenna, the range of reading distance is shortened as the electrical resistance of the antenna is increased. Therefore, the deformation of the plastic substrate, which causes the occurrence of crack, should be minimized by setting up low operating tension in R2R process. In low tension, slippage between a moving substrate and a roller would be generated when the operating speed is increased. And scratch would be occurred when slippage is generated due to an air entrainment, which is related to the thickness of the air film. The thickness of the air film is increased when operating speed is increased as shown by simulation based on mathematical model. The occurrence of scratch in conductive pattern printed by roll to roll process is a critical damage because it causes degradation or failure of electrical property of it.
AZO(Aluminium-doped Zinc Oxide)는 기존의 LCD, OLED, 광센서, 유기태양전지 등의 투명전극에 널리 사용되는 ITO(Indium Tin Oxide)를 대체하기 위한 물질로 주목받고 있다. 본 연구에서는 유기태양전지의 투명 전극으로 많이 사용되는 ITO 를 대체하기 위해 원자층 증착(ALD) 공정의 저온 선택적 증착 특성을 이용하여 유연성 폴리머인 PEN 기판상에 AZO 투명전극을 직접 패턴방식으로 제조하고, 그 투명전극의 구조적, 전기적, 광학적 특성을 평가하였다. 전기적, 광학적 특성 결과들로부터 원자층 증작공정의 저온 선택적 증착 특성을 통해 형성된 AZO 투명전극의 유기태양전지로의 적용 가능성을 확인할 수 있었다.
$ZrO_2$ film was deposited by facing target sputtering (FTS) system on polyethylene naphthalate (PEN) substrate as a gas barrier layer for flexible organic light emitting devices (FOLEDs), In order to control the heat of the FTS system caused by the ion bombardment in the cathode compared with the conventional sputtering system, the process characteristics of the FTS apparatus are investigated under various sputtering conditions such as the distance between two targets ($d_{TT}$), the distance between the target and the substrate ($d_{TS}$), and the deposition time. The $ZrO_2$ film by the FTS system can reduce the damage on the films because the ion bombardment with high-energy particles like gamma-electrons, Moreover, the $ZrO_2$ film with optimized condition ($d_{TT}$=140 mm) as a function of the distance from center to edge showed a very uniform thickness below 5 % for a deposition time of 3 hours, which can improve the interface property between the anode and the plastics substrate for flexible displays, It is concluded that the $ZrO_2$ film prepared by the FTS system can be applied as a gas barrier layer or an interlayer between the anode and the plastic substrate with good properties of an uniform thickness and a low deposition-temperature.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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