• 한국정보통신학회논문지
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• 제6권1호
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• pp.25-29
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• 2002

High speed 신호처리는 통신분야, SC circuit, HDTV, ISDN 등에서 관심이 더욱 승가하고 있으며, high speed 신호처리를 위한 많은 방법들이 있다. 본 논문에서는 CMOS 공정에서 고주파 Op-amp의 실현을 의한 설계를 기술하였다. 아날로그 집적회로를 기초로 하는 high speed op-amp의 기능을 제한하는 요소 중 한가지는 유효 주파수 범위이다. 본 논문에서는 $C_{L}$ =2pF에서 단위이득 주파수가 170MHz인 향상된 대역폭적을 가지는 CMOS op-amp 구조를 계발한다. 공정은 1.2$\mu$디자인 룰을 따른다. 본 논문에서 제시한 CMOS op-amp 고주파 SC filter에서 요구하는 큰 커패시터 부하에서의 넓고 안정된 대역폭을 얻기에 매우 적합하다.

• 한국통신학회논문지
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• 제18권8호
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• pp.1159-1168
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• 1993

스윗치드-캐패시터 적분기(SCI)는 스욋치드-캐패시터 필터(SCF)를 구성하기 위한 기본 블럭이다. SCI에 사용된 op-amp의 유한이득과 유한대역폭으로 인하여 발생되는 오차때문에 많은 SCF가 사용에 제한을 받는다. 물론 능동 RC 필터를 위한 여러가지 보상법을 직접적으로 SCF에 적용시킬 수는 있지만, 이 방법은 필터 응답에 미치는 op-amp의 동특성에 대한 영향을 해석하는데는 적합치 않다. Op-amp의 유한이득에 의한 영향은 능동 RC필터와 유사하지만 유한 대역폭에 의한 영향은 SCF가 더욱 견실성이 있다. 본 논문에서는 SCI에 사용된 Op-amp의 유한 이득과 대역폭으로 인한 오차를 고찰하고 버퍼회로를 이용하여 이를 보상할 수 있는 간단하고 효과적 인 방법을 제시한다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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• pp.903-906
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• 2003

In this paper, we proposed high slew-rate and low-power OP-AMP of the data driver for TFT-LCDs. Proposed OP-AMP contains newly developed rail-to-rail class-AB input circuit which enables the low-quiescent current and high slew-rate OP-AMP. The slew-rate and the quiescent current of the proposed OP-AMP are 31.2V/$\mu$sec and 5$\mu$A, respectively.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1987년도 전기.전자공학 학술대회 논문집(II)
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• pp.1521-1524
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• 1987

The performance of SCF can be improved with the Op-AMP which has the properties of high speed, large slew rate, and lower power dissipation. The OP-AMP used for SCF will be presented. For illustration, using this OP-AMP 5-th order LPF is designed.

• 대한전자공학회논문지
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• 제26권2호
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• pp.118-123
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• 1989

본 논문에서는 저소비 전력이고 회로설계가 용이한 CMOS 회로를 이용하여 음성신호 처리용 SCF를 집적화 할때 OP AMP를 디지탈 부분과 공존할 수 있도록 ${\pm}$5V로 전원을 설정하여 CMOS OP AMP의 설계예를 들고 설계방법에 의해 구한 MOS 트랜지스터의 채널폭과 길이를 설계회로에 적용하여 LAYOUT 하였으며 시뮬레이션을 통하여 동작특성을 조사하였다. 또한 이 설계법은 주어지는 설계조건에 따라 설계 되어지므로 다른 용도의 CMOS OP AMP 설계에도 이용되어질 수 있을 것이다.

• 한국방사선학회논문지
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• 제11권3호
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• pp.101-108
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• 2017

DC/DC 컨버터는 임의의 직류전원을 부하가 요구하는 형태의 직류전원으로 변환시키는 효율이 높은 전력변환기이다. 고급형 DC/DC 컨버터는 MOSFET(산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터)를 제어하기 위해 OP-Amp.(연산 증폭기)를 실장한 PWM-IC(펄스폭 변조 집적회로)를 사용한다. OP-Amp.는 증폭기 기능을 수행하는데 방사선 영향으로 전기적 특성이 변화하는데 본 논문에서는 코발트 60 (60Co) 저준위 감마발생기를 이용한 TID실험과 5종류의 중이온 입자를 이용하여 SEL 실험을 수행하는데 바이어스(bias) 전류가 순간적으로 과전류가 흘러 SEL이 발생된다. OP-Amp.의 TID 실험은 조사율은 5 rad/sec.로 전체 조사량을 30 krad 까지 수행하였으며, SEL 실험은 제어보드를 구현한 후 LET($MeV/mg/cm^2$)별 cross section($cm^2$)을 이용하여 성능평가를 하는데 있다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권10호
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• pp.61-66
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• 2007

본 논문에서는LCD (Liquid Crystal Display) source driver IC에서 사용되는 고전압 op-amp의 출력 편차를 개선하기 위하여 전압 이득을 향상한 CMOS rail-to-rail 입/출력 op-amp를 제안하였다. 제안된 op-amp는 15 V 이상의 고전압 MOSFET의 과도한 channel length modulation에 의한 전압 이득의 감소로 offset 전압이 커지는 문제를 해결하기 위하여 cascode 구조를 갖는 floating current source 및 class-AB control단을 채용하고 있다. 제안된 op-amp는 HSPICE 시뮬레이션을 통하여 전압 이득이 기존 대비 30 dB 향상됨을 확인하였으며, onset 전압은 기존 6.84 mV에서 $400\;{\mu}V$ 이하로 개선됨을 확인하였다. 또한, 제안된 op-amp가 적용된 LCD source driver IC의 실측 결과 출력 편차는 기존 대비 2 mV 향상됨을 확인하였다.

• 대한전기학회논문지:전력기술부문A
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• 제48권4호
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• pp.461-466
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• 1999

A CMOS op amp with rail-to-rail input and output ranges is designed in a one-volt supply. The output stage of the op amp is used in a common source amplifier that operates in sub-threshold region to design a low voltage op amp with rail-to-tail output range. To drive heavy resistor and capacitor loads with rail-to-rail output ranges, a common source amplifier which has a low output resistance is utilized. A bulk-driven differential pair and a bulk-driven folded cascode amplifier are used in the designed op amp to increase input range and achieve 1 V operation. Post layout simulation results show that low frequency gain is about 58 ㏈ and gain bandwidth I MHz. The designed op amp has been fabricated in a 0.8${\mu}{\textrm}{m}$ standard CMOS process. The measured results show that this op amp provides rail-to-rail output range, 56㏈ dc gain with 1 MΩ load and has 0.4 MHz gain-bandwidth with 130 ㎊ and 1 kΩ loads.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.133-136
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• 2000

A new Op-Amp output buffer is presented for driving large-size LCD panels. The proposed Op-Amp is designed by combining a common source and a common drain amplifier to have a high slew rate and to minimize the quiescent current. The proposed circuits are simulated in a high-voltage 0.6${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS process, dissipates only 20${\mu}{\textrm}{m}$ static current, and have 83dB open-loop DC gain and 60$^{\circ}$phase margin.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제11권7호
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• pp.665-670
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• 2016

본 논문에서는 IoT(Internet of Things) 시스템의 기본 구성이 되는 센서 네트워크에 사용될 수 있는 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)의 Sub-threshold 동작을 이용하는 OP-AMP(Operational amplifier) 설계를 제안한다. MOSFET의 Sub-threshold 동작은 전원전압을 낮추는 효과로 회로 시스템을 초저전력으로 유도할 수 있는 특징이 있기 때문에 배터리를 사용하는 IoT의 센서 네트워크 시스템의 초저전력화에 매우 유용한 회로설계 기술이라고 할 수 있다. $0.35{\mu}m$ 공정을 이용한 시뮬레이션 결과, VDD를 0.6 V로 설계할 수 있었으며, OP-AMP 의 Open-loop Gain은 43 dB, 또한 설계한 OP-AMP의 소비전력은 $1.3{\mu}W$가 계산되었다. 또한, Active Layout 면적은 $64{\mu}m{\times}105{\mu}m$이다. 제안한 OP-AMP는 IoT의 저전력 센서 네트워크에 다양한 응용이 가능할 것으로 기대된다.