• 한국건설순환자원학회논문집
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• 제6권1호
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• pp.25-35
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• 2018

본 연구에서는 카올린과 플라이애시의 두 종류의 결합재를 혼합하여 알칼리 활성화시킨 후, 경화체의 강도 및 미세구조 분석을 수행하였다. 이를 위해, 경화된 시험체에 대해 압축강도, X선 회절분석(XRD), 열중량(TG) 분석 및 SEM/EDS 분석을 실시하였다. 카올린-플라이애시 혼합 결합재는 카올린 혼합에 관계없이 모든 경화체에 대해서 재령에 따라 압축강도가 증가하는 경향을 나타냈으며, 플라이애시 중량에 대한 카올린의 혼합비가 증가할수록 압축강도는 낮아지는 것으로 나타났다. XRD 분석 결과에서는 제작된 모든 시험체에 대해서 플라이애시 및 카올린의 원재료에 함유된 구성광물 이외에 새로운 결정질 물질 형성은 확인되지 않았지만, 이에 반해 TG 분석에서는 모든 시험체 내에서 N-A-S-H gel이 반응생성물로 형성된 것을 알 수 있었다. 모든 시험체들의 내부는 대체적으로 치밀하지 않은 것으로 나타났으며, 카올린 치환율에 따른 강도 발현의 차이가 있음에도 불구하고, 내부의 조직구조에서 뚜렷한 차이는 없는 것으로 나타났다. 본 연구에서 보여준 반응생성물의 Si/Al가 낮을수록 시험체의 강도가 상대적으로 높은, Si/Al와 강도와의 상관관계에 따라, 반응생성물의 Si/Al가 낮도록, 즉 사용되는 결합재의 $Al_2O_3$의 용해도를 높일 수 있는 화학적 첨가제가 고려된다면, 카올린-플라이애시 혼합 결합재의 강도 개선 효과를 기대할 수 있을 것으로 판단된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제31권3호
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• pp.165-170
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• 2018

In this study, double-layered TCO (transparent conductive oxide) films were produced by depositing two distinct TCO materials: $SnO_2$ works as an n-type layer and ITO (indium-doped tin oxide) serves as a transparent conductor. Both transparent conductive oxide-films were sequentially deposited by sputtering. The electrical and optical properties of single-layered TCO films ($SnO_2$) and double-layered TCO ($ITO/SnO_2$) films were investigated. A TCO-embedding photodetector was realized through the formation of an $ITO/SnO_2/p-Si/Al$ layered structure. The remarkably high rectifying ratio of 400.64 was achieved with the double-layered TCO device, compared to 1.72 with the single-layered TCO device. This result was attributed to the enhanced electrical properties of the double-layered TCO device. With respect to the photoresponses, the photocurrent of the double-layered TCO photodetector was significantly improved: 1,500% of that of the single-layered TCO device. This study suggests that, due to the electrical and optical benefits, double-layered TCO films are effective for enhancing the photoresponses of TCO photodetectors. This provides a useful approach for the design of photoelectric devices, including solar cells and photosensors.

• Journal of Applied Biological Chemistry
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• 제63권2호
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• pp.137-145
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• 2020

Oxidative stress is one of the pathogenic mechanisms of various neurodegenerative diseases, such as Alzheimer's disease. Neuroglia, the most abundant cells in the brain, is thought to play an important role in the antioxidant defense system and neuronal metabolic support against neurotoxicity and oxidative stress. We investigated the protective effect of paeoniflorin (PF) against oxidative stress in C6 glial cells. Exposure of C6 glial cells to hydrogen peroxide (H₂O₂, 500 μM) significantly decreased cell viability and increased amounts of lactate dehydrogenase (LDH) release, indicating H₂O₂-induced cellular damage. However, treatment with PF significantly attenuated H₂O₂-induced cell death as shown by increased cell survival and decreased LDH release. The H₂O₂-stimulated reactive oxygen species production was also suppressed, and it may be associated with improvement of superoxide dismutase activity by treatment with PF. In addition, an increase in ratio of Bcl-2/Bax protein expression was observed after treatment with PF. In particular, the down-stream of the apoptotic signaling pathway was inhibited in the presence of PF, mostly by reduction of cleaved-poly ADP ribose polymerase, cleaved caspase-3, and -9 protein expression. Furthermore, H₂O₂-induced phosphorylation of c-Jun N-terminal kinase and extracellular signal-regulated kinase 1/2 was attenuated by treatment with PF. Taken together, neuroprotective effect of PF against oxidative stress probably result from the regulation of apoptotic pathway in C6 glial cells. In conclusion, our findings suggest that PF may be a potent therapeutic agent for neurodegenerative disorders.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제6권3호
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• pp.291-295
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• 2000

The pyroelectric property of $Pb_{0.9}La$_{0.1}TiO_3$ceramics in a range of 1.3-4.1$\mu\textrm{m}$, fabricated by conventional solid sintering, was investigated as a function of poling field. The pyroelectric of the 4.1$\mu\textrm{m}$ of $Pb_{0.9}La$_{0.1}TiO_3$ceramics is higher than that of the 1.3$\mu\textrm{m}$ and 1.7$\mu\textrm{m}$ of $Pb_{0.9}La$_{0.1}TiO_3$ceramics at a low poling field and the pyroelectric coefficient is 25nC/$\textrm{cm}^2$K at a 4kV/mm poling field in every grain size. In order to explain this phenomenon, the intrinsic and extrinsic effects in view of the definition of the pyroelectric coefficient are introduced. The intrinsic and extrinsic effects on the pyroelectric property were investigated by measuring the tetragonal ratio and the $I_{002}$ with temperature with high temperature X-ray diffractometer. The change of spontaneous polarization and the $90^{\circ}$domain wall motion with temperature in the 1.3$\mu\textrm{m}$ and 4.2$\mu\textrm{m}$ of $Pb_{0.9}La$_{0.1}TiO_3$ceramics have no effects on the pyroelectric coefficient. In our study, it can be seen that the pyroelectric coefficient is related to the quantity of $180^{\circ}$domain switching after poling treatment.

• 한국재료학회지
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• 제19권5호
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• pp.253-258
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• 2009

Mn-substituted $BiFeO_3$(BFO) thin films were prepared by r.f. magnetron sputtering under an Ar/$O_2$ mixture of various deposition pressures at room temperature. The effects of the deposition pressure and annealing temperature on the crystallization and electrical properties of BFO films were investigated. X-ray diffraction patterns revealed that BFO films were crystallized for films annealed above $500^{\circ}C$. BFO films annealed at $550^{\circ}C$ for 5 min in $N_2$ atmosphere exhibited the crystallized perovskite phase. The (Fe+Mn)/Bi ratio decreased with an increase in the deposition pressure due to the difference of sputtering yield. The grain size and surface roughness of films increased with an increase in the deposition pressure. The dielectric constant of BFO films prepared at various conditions shows $127{\sim}187$ at 1 kHz. The leakage current density of BFO films annealed at $500^{\circ}C$ was approximately two orders of magnitude lower than that of $550^{\circ}C$. The leakage current density of the BFO films deposited at $10{\sim}30\;m$ Torr was about $5{\times}10^{-6}{\sim}3{\times}10^{-2}A/cm^2$ at 100 kV/cm. Due to the high leakage current, saturated P-E curves were not obtained in BFO films. BFO film annealed at $500^{\circ}C$ exhibited remnant polarization(2Pr) of $26.4{\mu}C/cm^2$ at 470 kV/cm.

• 한국재료학회지
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• 제20권3호
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• pp.167-173
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• 2010

In this study, we used activated carbon (AC) and titanium oxysulfate as a titanium precursor to prepare carbon/titania composites. We then mixed it with bentonite in different ratios to make a carbon/titania/bentonite monolith for use in architecture bricks by using Phenolic rosin (PR) as a bonding agent. The physicochemical properties of the prepared composites were analyzed by BET surface area, scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), energy dispersive X-ray analysis (EDX), self-cleaning effect and bactericidal tests. The BET surface areas increased as the ratio of carbon/titania composites increased. The SEM microscopy showed that the $TiO_2$ and bentonite were coated on the surface of the AC. The XRD patterns showed a mixture structure of anatase and rutile of $TiO_2$ with a clear $SiO_2$ structure. The EDX spectra of the carbon/titania/bentonite monolith confirmed the presence of various elements, namely C, O, Ti and Si, as well as other, impure elements. Moreover, to determine the self-cleaning effect of the carbon/titania/bentonite monolith, we used methylene blue (MB, $C_{16}H_{18}N_3S{\cdot}Cl{\cdot}3H_2O$) in an aqueous solution under the irradiation of visible light. Accordingly, all of the samples had excellent degradation of the MB solution. Furthermore, it was observed that the composites with sunlight irradiation had a greater effect on E. coli than any other experimental conditions.

• 대한금속재료학회지
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• 제49권9호
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• pp.732-738
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• 2011

Silicon oxide thin films were deposited by using a plasma-enhanced chemical-vapor deposition technique to investigate the light emission properties. The photoluminescence characteristics were divided into two categories along the relative ratio of the flow rates of $SiH_4$ and $N_2O$ source gases, which show light emission in the broad/visible range and a light emission peak at 380 nm. We attribute the broad/visible light emission and the light emission peak to the quantum confinement effect of nanocrystalline silicon and the Si=O defects, respectively. Changes in the photoluminescence spectra were observed after the post-annealing processes. The photoluminescence spectra of the broad light emission in the visible range shifted to the long wavelength and were saturated above an annealing temperature of $900^{\circ}C$ or after 1 hour annealing at $970^{\circ}C$. However, the position of the light emission peak at 380 nm did not change at all after the post-annealing processes. The light emission intensities at 380 nm initially increased, and decreased at annealing temperatures above $700^{\circ}C$ or after 1 hour annealing at $700^{\circ}C$. The photoluminescence behaviors after the annealing processes can be explained bythe size change of the nanocrystalline silicon and the density change of Si=O defect in the films, respectively. These results support the possibility of using a silicon-based light source for Si-optoelectronic integrated circuits and/or display devices.

• 한국전자파학회논문지
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• 제10권4호
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• pp.539-549
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• 1999

본 논문에서는 다중접속간섭. 임펼스 잡음과 나카가미 페이딩 환경에서 DS/CDMA DQPSK 통선시스댐의 B BER 성능을 분석하였다. 고려되는 DS/CDMA DQPSK 통신시스템은 제안한 시스템의 성능을 향상시키기 위하여 최대비 합성(MRC) 다이버시티 수신기법과 오류 정정 BCH 부호화 기법을 채용하였다. 유도한 오율 식을 이용하여 DS/CDMA DQPSK 통신시스댐의 성능을 구하여, 임펄스 지수( A), 가우시안 잡음 전력 대 임펄스 잡음 전력비($\Gamma'$), 다중접속간섭(K), 나카가미 페이딩 파라미터(m), MRC 다이버시티 가지수 (L), 부호의 오류 정정 능력(f), 직접확산 처리 이득(N)과 선호 전력 대 잡음 전력비( $E_b/N_O$)을 함수 로 하여 오율 그래프로 나타내고 분석하였다. 분석한 결과, 제안하는 시스댐의 성능은 무선통신시스댐환경에 서 다중접속간섭, 임펼스 잡음과 나카가미 페이멍에 의해 영향을 받을 수 있다. 또한 희망하는 선호의 전력이 나 임펄스 지수, 가우시안 잡음 천력 대 임펼스 잡음 전력비를 증가시켜 DS/CDMA DQPSK 통신시스댐의 BER 성능을 개선할 수 있음을 알 수 있었다. 그리고 다중접속간섭, 임펄스 잡음과 나카가미 페이딩의 영 향을 억압하기 위해서는 MRC 다이버시티 수산된 DS/CDMA DQPSK 통신시스댐보다는 BCH05.7) 부호화 기법을 적용한 DS/CDMA DQPSK 시스댐이 효율적임을 알 수 있었다.

• 한국광물학회지
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• 제17권2호
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• pp.157-168
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• 2004

수용액 내 캐올리나이트와 할로이사이트의 표면화학 특성을 전위차 적정 실험과 FITEQL3.2 프로그램을 이용하여 연구하였다. 표면복합반응 모델 중 일정용량 모델을 적용하였으며, 표면을 사면체 자리와 팔면체 자리로 나누어 설정한 2 sites - 3 $pK_{a/s}$ 모델은 캐올리나이트와 할로이사이트의 표면화학 특성을 설명하는데 적합하였다. 두 점토광물 표면은 pH 4 이상에서 음전하를 띄며 pH가 높아질수록 양성자 표면 전하 밀도는 낮아진다. 산성 및 중성 영역에선 Si 사리(≡$SiO^{-}$ )가, 염기성 영역에선 Al 자리(≡$AlO^{-}$)가 양이온을 흡착하는데 중요한 역할을 할 것으로 예상된다. 모델링 결과 캐올리나이트의 경우 $pK_{a2(si)}$ /$^{int}$, p $K_{al(Al) }$ /$^{int}$ /, $pK_{a2}$ $(Al)^{int}$ /는 각각 4.436. 4.564, 및 8.461이며, 할로이사이트의 경우는 각각 7.852, 3.885, 7.084이다. 캐올리나이트의 총 Si 표면자리 농도와 총 Al 표면자리 농도는 0.215와 0.148 mM이며, 할로이사이트의 경우는 0.357과 0.246 mM이다 두 광물 모두 Si 표면자리 밀도 : Al 표면자리 밀도가 1 : 0.69로 비슷하다. 캐올리나이트의 총 표면자리 밀도는 3.774 sites/$nm^2$로 할로이사이트의 2.292 sites/n $m^2$ 값보다 약 1.6배정도 높다.다.

• 유기물자원화
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• 제2권1호
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• pp.51-64
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• 1994

본보는 종합병원에서 발생되는 유기성쓰레기인 음식물찌꺼기를 미생물에 의해 고속발효공법을 동원하여 24~48시간 이내에 퇴비 또는 토양개량제로 전환시키기 위한 중간처리방법이 된다. 처리를 위한 발효조건은 함수율이 60%, 발효온도는 $50{\sim}60^{\circ}C$, 산소공급을 위한 송풍량은 $50{\sim}200L/min{\cdot}m^3$ 정도가 필요하다. 함수율을 60%정도로 조정하기 위해서 두부비지와 톱밥을 사용하였고 고속발효에 필요한 미생물균주는 호기성 균주로서 발효물의 전체중량의 1/300정도 투입하였다. 운전방법은 1차발효가 끝난 다음 감량 및 인출량을 체크하고 그 상태에서 새로운 음식물찌꺼기를 투입하는 형식을 취하였다. 발효물에 대한 감량은 비교군과 실험군에서 각각 56.6%와 35.6~47.7%를 나타내었고 발효물에 대한 감량은 bulking agent에 따라 차이가 다소 있었으나 대략 50% 수준이었다. 발효시에 발생되는 탄산가스 농도는 1,000~1,500ppm 정도였고 연속발효일수록 황색에서 갈색, 검은색으로 변하였다. 발효물에 대한 퇴비화의 이화학적 분석에서는 pH는 약산성, 함수율은 10%미만이였고, 수분조정제에 따라 퇴비화 시간과 T-N, $P_2O_5$, $K_2O$에는 차이가 있었고, C/N 비에도 차이가 컸다. 보편적으로, 음식물찌꺼기를 대상으로한 고속발효화는 퇴비 또는 토양개량제로서 가치는 있으나 완숙정도가 부족하기 때문에 중간처리 방법으로서는 가능하다고 사료된다.