In this paper, Ni Germanosilicide using Ni-Ta/Co/TiN is proposed to improve thermal stability. The sheet resistance of Ni Germanosilicide utilizing pure Ni increased dramatically after the post-silicidation annealing at $600^{\circ}C$ for 30min. However, using the proposed Ni-Ta/Co/TiN structure, low temperature silicidation and wide range of RTP process window were achieved.
In this paper, investigated is the relationship between the formation temperature and the thermal stability of Ni silicide formed with Ni-V (Nickel Vanadium) alloy target. The sheet resistance after the formation of Ni silicide with the Ni-V showed stable characteristic up to RTP temperature of $700\;^{\circ}C$ while degradation of sheet resistance started at that temperature in case of pure-Ni. Moreover, the Ni silicide with Ni-V indicated more thermally stable characteristic after the post-silicidation annealing. It is further found that the thermal robustness of Ni silicide with Ni-V was highly dependent on the formation temperature. With the increased silicidation temperature (around $700\;^{\circ}C$), the more thermally stable Ni silicide was formed than that of low temperature case using the Ni-V.
Flexible electronics are the electronics on flexible substrates such as a plastic, fabric or paper, so that they can be folded or attached on any curved surfaces. They are currently recognized as one of the most innovating future technologies especially in the area of portable electronics. The conventional vacuum deposition and photolithographic patterning methods are well developed for inorganic microelectronics. However, flexible polymer substrates are generally chemically incompatible with resists, etchants and developers and high temperature processes used in conventional integrated circuit processing. Additionally, conventional processes are time consuming, very expensive and not environmentally friendly. Therefore, there are strong needs for new materials and a novel processing scheme to realize flexible electronics. This paper introduces current research trends for flexible electronics based on (a) nanoparticles, and (b) novel processing schemes: nanomaterial based direct patterning methods to remove any conventional vacuum deposition and photolithography processes. Among the several unique nanomaterial characteristics, dramatic melting temperature depression (Tm, 3nm particle~$150^{\circ}C$) and strong light absorption can be exploited to reduce the processing temperature and to enhance the resolution. This opens a possibility of developing a cost effective, low temperature, high resolution and environmentally friendly approach in the high performance flexible electronics fabrication area.
In this study, Ni silicide on the SOI substrate doped B11 is proposed to improve thermal stability. The sheet resistance of Ni-silicide utilizing pure SOI substrate increased after the post-silicidation annealing at $600^{\circ}C$ for 30 min. However, using the proposed B11 implanted substrate, the sheet resistance showed stable characteristics after the post-silicidation annealing up to $700^{\circ}C$ for 30 min.
Kim, Hyo Joong;Lim, Young Jin;Murali, G.;Kim, Min Su;Kim, Gi Heon;Kim, Yong Hae;Lee, Gi-Dong;Lee, Seung Hee
Current Optics and Photonics
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제1권2호
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pp.157-162
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2017
In large liquid crystal displays, the image quality in an oblique viewing direction is a crucial issue. From this perspective, 8-domain polymer-stabilized vertical alignment (PS-VA) mode has been developed to suppress the color shift in oblique viewing directions, compared to that in 4-domain PS-VA mode. To realize the 8-domain PS-VA, the four domains in a pixel are each divided into two regions, such that applying different electric potentials result in different tilt angles in these two regions, while keeping four azimuthal directions in each domain. However, applying different voltages in a pixel causes drawbacks, such as requiring additional processes to construct a capacitor and a transistor, which will further reduce the aperture ratio. Here we propose a different approach to form the 8-domain, by controlling surface polar anchoring energy and the width of patterned electrodes in two regions of a pixel. As a result, the gamma-distortion index (GDI), measured at an azimuthal angle of $0^{\circ}$, is reduced by about 23% and 8%, compared to that of a conventional 4-domain at polar angles of $30^{\circ}$ and $60^{\circ}$ respectively.
저가의 소자 개발이 가능한 나노임프린팅 공정을 도입하여 510 nm 주기의 브래그 격자 구조를 가지는 폴리머 광도파로 소자를 제작하였다. 폴리머 격자 광소자의 온도 의존성을 감소시키기 위한 방법으로 플라스틱 박막으로 이루어진 유연성 기판상에 브래그 격자를 제작하는 것이 필요하다. 임프린팅 공정을 손쉽게 수행하기 위한 광도파로 구조를 채택하였으며, 코아와 클래딩의 굴절률이 각각 1.540, 1.430인 폴리머를 이용하여 코아 두께가 $3{\mu}m$인 단일모드 광도파로 구조를 얻을 수 있었다. 유연성 기판 브래그 격자 광도파로 소자의 특성을 Si기판 브래그 격자 광도파로 소자와 비교하여 관측한 결과, 유연성 기판 도입에 따른 브래그 반사 소자의 성능 저하는 나타나지 않았다.
Photoconductive three-wire folded dipole antennas for terahertz photomixers have been developed. The folded antennas are characterized by a free space time-domain measurement technique, and the measured data are in good agreement with the simulation results. The folded dipole antennas have much higher antenna resistance than other resonant dipole antennas, implying that they can be used for higher output power of THz photomixers.
Kim, Jun-Soo;Lee, Jae-Hong;Kwon, Yong-Min;Park, Byung-Gook;Lee, Jong-Duk;Shin, Hyung-Cheol
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제9권1호
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pp.55-60
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2009
The channel backscattering coefficient and injection velocity have been extracted experimentally in 65nm MOSFETs. Thanks to an experimental extraction methodology taking into account multi-subband population, we demonstrate that the short channel ballistic efficiency is slightly greater than long channel ballistic efficiency.
Kim, Min-Su;Kim, Mi-Young;Kang, Byeong-Gyun;Kim, Mi-Kyung;Yoon, Su-Kin;Choi, Suk-Won;Lee, Gi-Dong;Lee, Seung-Hee
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.637-640
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2009
The LCD based on Kerr effect is highly interesting because it uses an optically isotropic state with no need of alignment layer and it shows sub-millisecond response time. The problem of the device is that it requires very high operating voltage and the transmittance is relatively low compared with other LCDs that use nematic LC. In this work, we study on various electrode structures and driving method which can lower operating voltage.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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