• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 한국정보과학회 2004년도 봄 학술발표논문집 Vol.31 No.1 (A)
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• pp.178-180
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• 2004

최근 소형 모바일 기기들이 대중화되고 그 종류가 다양해지면서 플래시 메모리가 기본 저장 매체로서 많이 사용되고 있다. 플래시 메모리는 기존의 하드디스크 같은 자기 매체에 비해서 크기가 작고, 전력소모도 적으며 내구성도 높다. 멀티미디어 데이터를 다루는 기기들이 증가하면서 플래시 메모리 중에서도 비용이 저렴하고 단일 칩으로도 대용량을 가지는 NAND형 플래시 메모리를 저장장치로 사용하는 기기들이 계속해서 늘어나고 있다. NAND 플래시 메모리는 기존에 많이 사용되던 NOR 플래시 메모리와는 다른 않은 특징이 있다. 따라서 NAND 플래시 메모리에 적합한 저장 기법을 설계하기 위해서는 NAND 플래시 메모리의 특징을 잘 이해하고 이용해야 한다. 이에 본 논문에서는 NAND 플래시 메모리를 효율적으로 사용할 수 있도록 해주는 접근계층을 설계, 구현하고 이에 대한 구조와 세부 특징에 대해서 살펴본다. 본 논문에서 구현한 접근계층은 하드웨어에 종속적이지 않으며 NAND 플래시 메모리가 제공하는 다양한 기능을 상위 계층에서 충분히 활용할 수 있도록 설계되었다.

• Journal of KIISE:Computer Systems and Theory
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• 제34권12호
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• pp.683-695
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• 2007

NAND flash memory-based file systems cannot store their system-related information in the file system due to wear-leveling of NAND flash memory. This forces NAND flash memory-based file systems to scan the whole flash memory during their mounts. The mount time usually increases linearly according to the size of and the usage pattern of the flash memory. NAND flash memory has been widely used as the storage medium of mobile devices. Due to the fact that mobile devices have unstable power supply, the file system for NAND flash memory requires stable recovery mechanism from power failure. In this paper, we present design and implementation of a new NAND flash memory-based file system that provides fast mount and enhanced stability. Our file system mounts 19 times faster than JFFS2's and 2 times faster than YAFFS's. The stability of our file system is also shown to be equivalent to that of JFFS2.

• Proceedings of the Korean Society of Computer Information Conference
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• 한국컴퓨터정보학회 2014년도 제50차 하계학술대회논문집 22권2호
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• pp.227-229
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• 2014

플래시 메모리는 빠른 처리 속도, 비휘발성, 저 전력, 강한 내구성 등으로 인해 최근 스마트폰, 태블릿, 노트북, 컴퓨터와 같은 여러 분야에서 많이 사용하고 있다. 최근 기존에 사용하던 NAND 플래시가 미세화 기술의 한계에 봉착함에 따라 기존 2차원 구조의 NAND플래시를 대처할 장치로 3차원 수직구조 NAND 플래시 메모리(3D Vertical NAND)가 주목받고 있다. 기존의 플래시 메모리는 데이터를 효율적으로 삽입/삭제/검색하기 위해 B-tree와 같은 색인기법을 필요로 한다. 플래시 메모리 상에서 B-tree 구현에 관한 기존 연구로서는 BFTL(B-Tree Flash Translation Layer)기법이 최초로 제안되었다. 현재 3차원 V-NAND 구조의 플래시 메모리가 시작품으로 제작되어 머지않아 양산 될 예정이다. 본 논문에서는 향후 출시될 3차원 구조의 플래시 메모리에 적합한 Octree 기반의 파일시스템을 제안한다.

• Proceedings of the Korean Society of Computer Information Conference
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• 한국컴퓨터정보학회 2018년도 제58차 하계학술대회논문집 26권2호
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• pp.357-359
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• 2018

최근 메모리 반도체 시장은 SD(Secure Digital) 메모리 카드, SSD(Solid State Drive)등의 보급률 증가로 메모리 반도체의 시장이 대규모로 증가하고 있다. 메모리 반도체는 개인용 컴퓨터 뿐만 아니라 스마프폰, 테플릿 PC, 교육용 임베디드 보드 등 다양한 산업에서 이용 되고 있다. 또한 메모리 반도체 생산 업체가 대규모로 메모리 반도체 산업에 투자하면서 메모리 반도체 시장은 대규모로 성장되었다. 플래시 메모리는 크게 NAND-Type과 NOR-Type으로 나뉘며 플로팅 게이트 셀의 전압의 따라 SLC(Single Level Cell)과 MLC(Multi Level Cell) 그리고 TLC(Triple Level Cell)로 구분 된다. SLC 및 MLC NAND-Type 플래시 메모리는 많은 연구가 진행되고 이용되고 있지만, TLC NAND-Tpye 플래시 메모리는 많은 연구가 진행되고 있지 않다. 본 논문에서는 기존에 제안된 SLC 및 MLC NAND-Type 플래시 메모리에서 제안된 큐브 패턴을 TLC NAND-Type 플래시 메모리에서 적용 가능한 큐브 패턴 및 알고리즘을 제안한다.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• 제51권12호
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• pp.72-82
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• 2014

Recently, the size of semiconductor industry market is constantly growing, due to the increase in diffusion of smart-phone, tablet PC and SSD(Solid State Drive). Also, it is expected that the demand for TLC NAND-type flash memory would gradually increase, with the recent release of TLC NAND-type flash memory in the SSD market. There have been a lot of studies on SLC NAND flash memory, but no research on TLC NAND flash memory has been conducted, yet. Also, a test of NAND-type flash memory is depending on a high-priced external equipment. Therefore, this study aims to suggest a structure for an autonomous test with no high-priced external test device by modifying the existing SLC NAND flash memory and MLC NAND flash memory test algorithms and patterns and applying them to TLC NAND flash memory.

• Journal of Internet Computing and Services
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• 제6권4호
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• pp.47-58
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• 2005

There are two major type of flash memory products, namely, NAND-type and NOR-type flash memory. NOR-type flash memory is generally deployed as ROM BIOS code storage because if offers Byte I/O and fast read operation. However, NOR-type flash memory is more expensive than NAND-type flash memory in terms of the cost per byte ratio, and hence NAND type flash memory is more widely used as large data storage such as embedded Linux file systems. In this paper, we designed an efficient flash memory file system based an Embedded system and presented to make up for reduced to Swapping a weak System Performance to flash file system using NAND-type flash memory, then proposed Swapping algorithm insured to an Execution time. Based on Implementation and simulation studies, Then, We improved performance bases on NAND-type flash memory to the requirement of the embedded system.

• Journal of the Korea Society of Computer and Information
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• 제16권10호
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• pp.1-10
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• 2011

There are the large overhead of block erase and page write operations in NAND flash memory, though it has low power consumption, cheap prices and a large storage. Due to the physical characteristics of NAND flash memory, overwrite operations are not permitted at the same location, so rewriting operation require after erase operation. it cause performance decrease of NAND flash memory. Using SRAM buffer in traditional NAND flash memory, it can not only reduce effective write operation but also guarantee fast memory access time. In this paper, we proposed the small SRAM buffer management system for reducing overhead of NAND flash memory, that is, erase and write operations. The proposed buffer system in a NAND flash memory consists of two parts, i.e., a fully associative temporal buffer with the small fetching block size and a fully associative spatial buffer with the large fetching block size. The temporal buffer have small fetching blocks that referenced from spatial buffer. When it happen write operations or erase operations in NAND flash memory, the related fetching blocks in temporal buffer include a page or a block are written in NAND flash memory at the same time. The writing and erasing counts in NAND flash memory can be reduced. According to the simulation results, although we have high miss ratios, write and erase operations can be reduced approximatively 58% and 83% respectively. Also the average memory access times are improved about 84% compared with the fully associative buffer with two sizes.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 한국정보과학회 2005년도 가을 학술발표논문집 Vol.32 No.2 (1)
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• pp.781-783
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• 2005

본 논문은 임베디드 시스템에서 대용량 저장시스템에 적합한 NAND 플래시 메모리 기반의 파일 시스템을 제안한다. 플래시 메모리는 비휘발성이며 기존의 하드디스크와 같은 자기 매체에 비해서 크기가 작고 전력소모도 적으며 내구성이 높은 장점을 지니고 있다. 그러나 제자리 덮어쓰기 (update-in-place)가 불가능하고 메모리 셀에 대한 초기화 횟수가 제한되는 단점이 있다. 또한 NAND 플래시 메모리는 바이트 단위의 입출력이 불가능하다. 이러한 특성 때문에 NAND 플래시 메모리를 저장장치로 사용할 경우 기존의 저장 장치 관리 방법과는 다른 방법을 요구한다. 본 논문은 임베디드 시스템에서 대용량 저장장치를 위한 NAND 플래시 메모리 기반의 파일 시스템의 구조를 제시하고, 대용량 파일 지원을 위한 메타 데이터 구조와 데이터 수정 기법을 제안한다.

• Journal of KIISE:Computing Practices and Letters
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• 제14권7호
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• pp.636-645
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• 2008

OneNAND flash is a high-performance hybrid flash memory that combines the advantages of both NAND flash and NOR flash. OneNAND flash has not only all virtues of NAND flash but also greatly enhanced read performance which is considered as a downside of NAND flash. As a result, it is widely used in mobile applications such as mobile phones, digital cameras, PMP, and portable game players. However, most of the general purpose operating systems, such as Linux, can not exploit the read performance of OneNAND flash because of the restrictions imposed by their virtual memory system and block I/O architecture. In order to solve that problem, we suggest a new approach called virtual I/O segment. By using virtual I/O segment, the superior read performance of OneNAND flash can be exploited without modifying the existing block I/O architecture and MTD subsystem. Experiments by implementations show that this approach can reduce read latency of OneNAND flash as much as 54%.

• KIPS Transactions on Computer and Communication Systems
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• 제3권5호
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• pp.129-140
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• 2014

BIST(Built-in self test) is to detect various faults of the existing memory and BIRA(Built-in redundancy analysis) is to repair detected faults by allotting spare. Also, BISR(Built-in self repair) which integrates BIST with BIRA, can enhance the whole memory's yield. However, the previous methods were suggested for RAM and are difficult to diagnose disturbance that is NAND-type flash memory's intrinsic fault when used for the NAND-type flash memory with different characteristics from RAM's memory structure. Therefore, this paper suggests a BISD(Built-in self diagnosis) to detect disturbance occurring in the NAND-type flash memory and to diagnose the location of fault, and BISR to repair faulty blocks.