Efficient OFTL (Octree Flash Translation Layer) Technique for 3-D Vertical NAND Flash Memory

3차원 수직구조 NAND 플래시 메모리를 위한 효율적인 OFTL (Octree Flash Translation Layer) 기법

  • Kim, Seung-Wan (College of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Kim, Hun (Defense Agency for Technology and Quality) ;
  • Youn, Hee-Yong (College of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University)
  • 김승완 (성균관대학교 정보통신대학) ;
  • 김훈 (국방기술품질원) ;
  • 윤희용 (성균관대학교 정보통신대학)
  • Published : 2014.07.16

Abstract

플래시 메모리는 빠른 처리 속도, 비휘발성, 저 전력, 강한 내구성 등으로 인해 최근 스마트폰, 태블릿, 노트북, 컴퓨터와 같은 여러 분야에서 많이 사용하고 있다. 최근 기존에 사용하던 NAND 플래시가 미세화 기술의 한계에 봉착함에 따라 기존 2차원 구조의 NAND플래시를 대처할 장치로 3차원 수직구조 NAND 플래시 메모리(3D Vertical NAND)가 주목받고 있다. 기존의 플래시 메모리는 데이터를 효율적으로 삽입/삭제/검색하기 위해 B-tree와 같은 색인기법을 필요로 한다. 플래시 메모리 상에서 B-tree 구현에 관한 기존 연구로서는 BFTL(B-Tree Flash Translation Layer)기법이 최초로 제안되었다. 현재 3차원 V-NAND 구조의 플래시 메모리가 시작품으로 제작되어 머지않아 양산 될 예정이다. 본 논문에서는 향후 출시될 3차원 구조의 플래시 메모리에 적합한 Octree 기반의 파일시스템을 제안한다.

Keywords