본 논문에서는 기존의 Dickson's charge pump에 개선된 배전압 회로를 조합하여 구성된 고전압 출력에 용이한 전압 증배기 회로를 소개한다. 기존의 charge pump로 얻어진 전압을 승압에 다시 사용하는 구조로 배전압기를 응용하여 전압 증배를 가속화 하면서도 DMOS의 구조적 신뢰성을 저하하지 않도록 회로 구조를 제안하였다. 제안된전압증배기는 3V 입력 전원의 6단 회로 구성으로 약 33V의 출력을 내며 6단 이상의 구성으로 고전압 증배도 가능하다. 제안된 회로의 성능을 평가하기 위해 Magna DMOS 공정을 이용하여 시뮬레이션 하였으며 이론적인 증배와 일치함을 보였여 최소한의 소자 사용으로 고전압 전압 증배가 가능한 새로운 전압 증배기를 제시하였다.
본 논문에서는 KOMPSAT 3호의 S-대역 트랜스폰더용 주파수 체배기를 설계 및 제작하였다. 수신부 첫째 단의 국부 발진 신호(2008.8MHz)를 생성하는 108배 주파수 체배기의 구성은 X9 주파수 체배기, 1st X2 주파수 체배기, 2nd X2 주파수 체배기, 최종단의 X3 주파수 체배기로 구성된다. 측정 결과, 최종단의 X3 주파수 체배기의 출력주파수인 2008.8MHz에서의 8.17dBm의 출력전력과 -56.67dBc의 고조파 억압 특성을 보였다. 또한 -3dB 이상의 변환이득을 갖는 대역폭은 14MHz로 나타났다.
본 논문에서는 로드풀 시뮬레이션을 이용하여 고효율 주파수 체배기를 설계하는 방법을 제시하고, 주파수 체배기의 비선형 왜곡을 분석하였다. 주파수 체배기는 변조된 신호원을 인가하였을 경우에는 비선형 특성으로 인해 신호 대역이 체배되는 심각한 왜곡이 발생하므로, 이러한 주파수 체배기의 왜곡을 보상할 수 있는 테이블 참조기법을 이용한 디지털 사전왜곡기법을 실행하였다. 주파수 체배기는 입력신호를 주파수 2 체배하여 5.8GHz 출력신호를 얻도록 설계되어 IEEE 802.11a 표준 무선 랜 대역의 동작주파수를 갖도록 설계하였다. 선형화 후의 출력 스펙트럼은 중심주파수에서 각각 +11MHz, +20MHz offset인 주파수에서 각각 12dB의 ACPR 특성이 향상되었다.
본 논문은 워드길이가 W 비트인 입력으로부터 W 비트를 출력하는 고정길이 modified Booth 곱셈기에 대한 오차보상 방법을 설명한다. 효율적으로 양자화 오차를 보상하기 위해 Booth 인코더의 출력정보를 이용하여 오차보상 바이어스를 생성한다. 절단된 부분이 양자화 오차에 미치는 영향에 따라 두 그룹(major or minor group)으로 나누고, 각 그룹에 서로 다른 오차보상 방법을 적용한다. 기존 방법과 비교하여 제안한 방법이 오차보상 바이어스를 생성하는 회로의 하드웨어 오버헤드는 비슷하면서 약 50% 정도 양자화 오차가 적음을 시뮬레이션을 통해 보인다. 또한, 면적과 전력소모 면에서 제안한 고정길이 곱셈기가 이상적인 곱셈기 보다 약 40% 정도 적게 나타났다.
Vo, Huan Minh;Truong, Son Ngoc;Shin, Sanghak;Min, Kyeong-Sik
전기전자학회논문지
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제18권2호
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pp.228-233
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2014
In this paper, we propose a CMOS-memristor hybrid circuit that can perform 4-bit multiplication for future energy-efficient computing in nano-scale digital systems. The proposed CMOS-memristor hybrid circuit is based on the parallel architecture with AND and OR planes. This parallel architecture can be very useful in improving the power-delay product of the proposed circuit compared to the conventional CMOS array multiplier. Particularly, from the SPECTRE simulation of the proposed hybrid circuit with 0.13-mm CMOS devices and memristors, this proposed multiplier is estimated to have better power-delay product by 48% compared to the conventional CMOS array multiplier. In addition to this improvement in energy efficiency, this 4-bit multiplier circuit can occupy smaller area than the conventional array multiplier, because each cross-point memristor can be made only as small as $4F^2$.
본 논문에서는 GF($2^m$) 상에서 새로운 저복잡도 디지트병렬/비트직렬 곱셈기를 제안한다. 제안된 곱셈기는 GF($2^m$)의 다항식기저에서 동작하며, D 클럭 사이클마다 곱셈의 결과를 출력한다. 여기에서 D는 임의로 선택할 수 있는 디지트의 크기이다. 디지트병렬/비트직렬 곱셈기는 기존의 비트직렬 곱셈기 보다는 짧은 지연시간에 곱셈 의 결과를 얻을 수 있고, 비트병렬 곱셈기 보다는 적은 하드웨어로 구현할 수 있다. 따라서 회로의 복잡도와 지연 시간 사이에 적절한 절충을 꾀할 수 있는 장점을 가지고 있다. 그러나 기존의 디지트병렬/비트직렬 곱셈기는 속도 를 향상시키기 위하여 더 많은 하드웨어를 사용하였다. 본 논문에서는 하드웨어 복잡도를 낮춘 새로운 디지트병렬 /비트직렬 곱셈기를 설계한다.
본 논문에서는 LFSR구조를 개선하여 기존의 LFSR구조 보다 면적과 속도면에서 효율적인 새로운 구조의 유한체 승산기를 제안한다. 기존의 LFSR구조에서는 t배 속도를 개선하기 위하여 레지스터의 수를 t x m 만큼의 레지스터 수가 증가하였다. 그러나, 본 논문에서는 레지스터의 수를 증가하지 않고 속도를 개선하는 구조를 이용하여 직렬 유한체 승산기를 설계하였다. 설계된 회로는 SYNOPSYS 시뮬레이션을 이용하여 LFSR구조에 비하여 2배 속도가 개선된 성능을 검증하였으며 또한, 본 논문의 고속, 저면적 승산기는 스마트카드와 같은 휴대형 단말기의 암호처리장치에 효과적으로 사용될 수 있음이 검증되었다.
본 논문에서는 유한체 연산을 바탕으로 하는 타원곡선 암호화 프로세서의 승산기를 효율적으로 구현할 수 있는 구조를 제안한다. 타원곡선 암호알고리즘에 적용된 비도는 193비트로 하드웨어 구현에 유리한 trinomial 다항식을 사용하였다. 제안된 승산기는 trinomial 다항식의 특성을 이용하여 기존의 193bit serial LFSR를 개선한 37bit digit serial 구조를 갖도록 설계하였다. 회로는 합성수준의 VHDL코드와 타원곡선 상에서의 임의의 좌표의 가산식으로부터 만들어진 테스트벡터를 적용하여 기능을 검증하고 회로의 규모를 측정하였다. 검증된 결과는 기존의 LFSR승산기의 30% 면적으로 승산기 구현이 가능하였다
In this paper, a new parallel array structure for the asynchronous array multiplier is introduced. This structure is designed for a data dependent asynchronous multiplier to reduces power which is wasted in conventional array structure. Simulation shows that this structure saves 30% of power and 55% of computation time comparing to conventional booth encoded array multiplier.
In this paper, a low voltage CMOS analog four-quadrant multiplier is presented. The proposed multiplier is composed of a pair of transconductor and lowers supply voltage down to $V_{T}$+2 $V_{Ds,sat}$+ $V_{DS,triode}$. The designed analog four-quadrant multiplier have simulated by HSPICE using 0.25${\mu}{\textrm}{m}$ n-well CMOS process with a 1.2V supply voltage. Simulation results show that the THD can be 1.28% at maximum differential input of 0.7 $V_{p-p}$././.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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