Thermal degradation behavior of a $WO_3-TiO_2$ monolithic catalyst was investigated in terms of structural, morphological, and physico-chemical analyses. The catalyst with 4 wt.% $WO_3$ contents were prepared by a wet-impregnation method, and a durability test of the catalysts were performed in a temperature range between $400^{\circ}C$ and $800^{\circ}C$ for 3 h. An increase of thermal stress decreased the specific surface area, which was caused by grain growth and agglomeration of the catalyst particles. The phase transition from anatase to rutile occurred at around $800^{\circ}C$ and a decrease in the Brønsted acid sites was confirmed by structural analysis and physico-chemical analysis. A change in Brønsted acidity can affect to the catalytic efficiency; therefore, the thermal degradation behavior of the $WO_3-TiO_2$ catalyst could be explained by the transition to a stable rutile phase of $TiO_2$ and the decrease of specific surface area in the SCR catalyst.
Kim, Wonbaek;Suh, Chang-Yul;Roh, Ki-Min;Lim, Jae-Won;Shim, Hyun-Bo;Park, Hyun-Kuk;Shon, In-Jin
Korean Journal of Metals and Materials
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v.50
no.11
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pp.861-866
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2012
A dense nanostructured TiN-AlN composite was prepared from high-energy ball milled TiN-AlN mixture powders by pulsed current activated sintering (PCAS). A highly dense TiN-AlN bulk composite was obtained within 2 minutes at $1500^{\circ}C$ with the simultaneous application of 80 MPa pressure and pulsed current. The fine crystalline structure of the TiN-AlN mixture, which was obtained by high-energy milling, was effectively maintained during PCAS and resulted in the enhancement of the mechanical properties. The micro hardness and fracture toughness of TiN-AlN composite were $1780kg/mm^2$ and $5MPa.m^{1/2}$, respectively. The mechanical properties were higher than monolithic AlN or TiN.
Kim, Yong-Kyu;Yoon, Hyung-In;Kim, Dae-Joon;Han, Jung-Suk
The Journal of Advanced Prosthodontics
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v.14
no.3
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pp.173-181
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2022
PURPOSE. This analysis aimed to evaluate the intaglio surface trueness, antagonist's wear volume loss, and fracture resistance of full-contour crowns of (Y, Nb)-stabilized fully-sintered zirconia (FSZ), 4 mol% or 5 mol% yttria-stabilized partially sintered zirconia (4YZ or 5YZ) with high-speed sintering. MATERIALS AND METHODS. A total of 42 zirconia crowns were separated into three groups: FSZ, 4YZ, and 5YZ (n = 14). The intaglio surface trueness of the crowns was evaluated at the inner surface, occlusal, margin, and axial areas and reported as root-mean-square, positive and negative average deviation. Half of the specimens were aged for 120,000 cycles in the chewing simulator, and the wear volume loss of antagonist was measured. Before and after chewing, the fracture load was measured for each group. The trueness values were analyzed with Welch's ANOVA, and the wear volume loss with the Kruskal-Wallis tests. Effect of the zirconia type and aging on fracture resistance of crowns was tested using two-way ANOVA. RESULTS. The intaglio surface trueness measured at four different areas of the crown was less than 50 ㎛, regardless of the type of zirconia. No significant P in wear volume loss of antagonists were detected among the groups (P > .05). Both the type of zirconia and aging showed statistically significant effects on fracture resistance (P < .05). CONCLUSION. The full-contour crowns of FSZ as well as 4YZ or 5YZ with high-speed sintering were clinically acceptable, in terms of intaglio surface trueness, antagonist's wear volume loss, and fracture resistance after simulated mastication.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.35
no.4
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pp.407-411
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2022
Bulk-sized PbTiO3 (PT), which is widely known as a high-performance ferroelectric oxide but cannot be fabricated into a monolithic ceramic due to its high c/a ratio, was successfully prepared with a high tetragonality by partially substituting Ni ions for Pb ions using a solid-state reaction method. We found that Ni-doped PT was well-fabricated as a bulk monolith with a significant c/a ratio of ~1.06. X-ray diffraction on as-sintered and crushed samples revealed that NiTiO3 secondary phase was present at the doping level of more than 2 at.%. Scanning electron microscopic study showed that NiTiO3 secondary phase grew on the surface of PT specimens regardless of the doping level possibly due to the evaporation of Pb during sintering. We demonstrated that an unconventional introduction of Ni ions into A-site plays a key role on the fabrication of bulk PT, though how Ni ion functions should be studied further. We expect that this study contributes to a further development of displacive ferroelectric oxides with a high c/a ratio.
The green-emitting Zn2SiO4:Mn2+ phosphor film was evaluated in a xenon excimer lamp. The phosphor film with 2 ㎛ thick was formed of monolithic structure on the inner side of quartz through a long-time annealing process of coated ZnO solution doped with Mn2+ ion and SiO2 of quartz tube. The coated quartz was filled with 100 torr of xenon gas, and simultaneously both sides was melt and sealed. The xenon-field quartz tube was discharge by applying the voltage of 15 kV with a frequency of 26 kHz, and emitted the glow with dominant peak at 172 nm. The vacuum ultraviolet excited the inner-side coated Zn2SiO4:Mn2+ phosphor film, which emitted the pure and strong green light.
PURPOSE. This study evaluated the relationship among translucency, crystalline phase, grain size, and fracture toughness of zirconia. MATERIALS AND METHODS. Four commercial zirconia - Prettau®Anterior® (PA), Prettau® (P), InCorisZI (ZI), and InCorisTZI (TZI)- were selected for this study. The bar specimens were prepared to determine fracture toughness by using chevron notched beam method with four-point bending test. The grain size was evaluated by a mean linear intercept method using a scanning electron microscope. X-ray diffraction and Rietveld refinement were performed to evaluate the amount of tetragonal and cubic phases of zirconia. Contrast ratio (CR) was measured to investigate the level of translucency. RESULTS. PA had the lowest fracture toughness among other groups (P < .05). In addition, the mean fracture toughness of P was significantly less than that of ZI, but there was no difference compared with TZI. Regarding grain size measurement, PA had the largest average grain size among the groups. P obtained larger grain size than ZI and TZI (P < .05). However, there was no significant difference between ZI and TZI. Moreover, PA had the lowest CR value compared with the other groups (P < .05). This means PA was the most translucent material in this study. Rietveld refinement found that PA presented the greatest percentage of cubic phase, followed by TZI, ZI, and P, respectively. CONCLUSION. The different approaches are used by manufacturers to fabricate various types of translucent zirconia with different levels of translucency and mechanical properties, which should be concerned for material selection for successful clinical outcome.
Severely worn dentition causes various complications such as loss of tooth structure, discoloration, pulp complications and loss of function and aesthetics. In this case, the patient showed particularly severe attrition in the anterior teeth and lack of space for restoration. The amount of vertical dimension was determined based on the diagnostic wax up, and the patient's adaptation was evaluated by using a removable occlusal splint for 6 weeks. Thereafter, the coordination of the muscular nervous system, aesthetics, temporomandibular joint were re-evaluated for 3 months by restoring the fixed provisional restoration. Through the above treatment process, the final restoration was completed with full mouth fixed prosthesis using monolithic zirconia, and functionally and aesthetically stable results were obtained.
Installation of dental implants at optimal angles and positions is critical in long-term stable implant-supported restorations. Surgery and prosthodontic procedures should be performed accurately as the treatment is planned. In this clinical case, Computer aided design and manufacturing technology was used not only to establish a precise surgical plan, but also to fabricate both provisional and definitive fixed prostheses. A surgical guide was designed to install the implants at proper positions for the definitive prostheses. The patient's esthetic information, which was necessary for the new provisional and definitive fixed prostheses, was obtained from the existing temporary dentures. Finally, the complete mouth fixed implant-supported rehabilitation using monolithic zirconia provided the patient with functionally and esthetically satisfactory prostheses.
As the 5G service market is expected to grow rapidly, the development of high-power, high-efficiency power amplifiers for the 5G communication infrastructure is indispensable. Gallium nitride (GaN) is attracting great interest as a key device in power devices and integrated circuits due to its wide bandgap, high carrier concentration, high electron mobility, and high-power saturation characteristics. In this study, we investigate the technology trends of Ka-band GaN radio frequency (RF) power devices and integrated circuits for operation in the millimeter-wave band of recent 5G mobile communication services. We review the characteristics of GaN RF high electron mobility transistor (HEMT) devices to implement power amplifiers operating at frequencies around 28 GHz and compare the technology of foreign companies with the device characteristics currently developed by the Electronics and Telecommunication Research Institute (ETRI). In addition, the characteristics of Ka-band GaN monolithic microwave integrated circuit (MMIC) power amplifiers manufactured using various GaN HEMT device technologies are reviewed by comparing characteristics such as frequency band, output power, and output power density of integrated circuits. In addition, by comparing the performance of the power amplifier developed by ETRI, the current status and future direction of domestic GaN power devices and integrated circuit technology will be discussed.
Byeong-Ok, Lim;Joo-Seoc, Go;Keun-Kwan, Ryu;Sung-Chan, Kim
Journal of IKEEE
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v.26
no.4
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pp.722-727
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2022
In this paper, we present the design and characterization of a power amplifier (PA) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) in the X-band. The device is designed using a 0.25 ㎛ gate length AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) on SiC process. The developed X-band AlGaN/GaN power amplifier MMIC achieves small signal gain of over 21.6 dB and output power more than 46.11 dBm (40.83 W) in the entire band of 9 GHz to 10 GHz. Its power added efficiency (PAE) is 43.09% ~ 44.47% and the chip dimensions are 3.6 mm × 4.3 mm. The generated output power density is 2.69 W/mm2. It seems that the developed AlGaN/GaN power amplifier MMIC could be applicable to various X-band radar systems operating X-band.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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