• 한국통신학회논문지
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• 제25권3A호
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• pp.424-429
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• 2000

본 논문에서는 준정적 해석방법을 사용하여 다층 구조에서 유한한 도체 두께를 갖는 비대칭결합 마이크로스트립(ACM: Asymmetric Couple Microstrip) 선로의 특성을 연구하였다. 준정적 해석방법으로서 모드정합법을 이용하였으며, ACM 선로의 특성 임피던스와 유효 유전율 상수가 도체 두께의 함수로 나타나는 결과를 얻었다. 수치해석 결과를 통해서 단층 및 다층구조에서 도체 두께의 변화로 인하여 ACM 선로의 전파특성이 변화되는 것으로 나타났다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1999년도 춘계학술발표강연 및 눈문개요집
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• pp.13-13
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• 1999

• 분석과학
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• 제16권6호
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• pp.431-437
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• 2003

가압경수로 사용후핵연료 (이산화 우라늄)의 리튬환원공정으로부터 생산된 우라늄 금속 전환체에 대한 금속 전환율을 건식방법인 열중량분석법 (T.G.A)으로 측정하였다. 전환체를 고체와 분말로 분류하여 측정한 결과 우라늄 금속 전환율은 각각 90.7~95.9 및 77.8~71.5 wt% 이었다. 금속 전환체의 건식저장 시 열적 산화 안정성을 확인하기 위하여 전환체내에 함유되어 있는 Mo, Ru, Rh 및 Pd 합금에 대한 산화 거동을 조사하였다. 합금을 $600{\sim}700^{\circ}C$의 공기분위기에서 산화시킨 결과 0.40~0.55 wt%의 무게증가를 보였으며 $750^{\circ}C$부터는 표면으로부터 산화가 진행되어 상변화가 일어났다. $900^{\circ}C$에서는 Mo의 휘발에 의한 영향으로 0.76~25.22 wt%의 무게 감소를 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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• pp.625-628
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• 1999

Recently. high-density printed circuit boards(PCB) become indispensable with the minaturization of components. Nickel is deposited on the copper patterns and followed by the gold deposition for improving connection reliability between the printed circuit boards and electronic components. Conventionally electrodeposition has been applied to metalization of copper patterns. However metalization by this method is not applicable for the isolated fine and concentrated patterns. Therefore, metalization technology of the fine patterns by electroless plating is required in place of electrodeposition. The application of electroless nickel plating for interconnection with solder strongly relies on the solderability and the interactions between nickel and solder. Factors such as phosphorus content of the deposit additive and bath temperature may influence solderability of the electroless nickel deposit. So solderability of electroless nickel/ gold deposits was investigated with substrates plated changing the condition of nickel solution.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.237-237
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• 2009

전도 특성을 가지는 나노선 제작의 연구가 활발하게 진행되고 있다. 본 실험에서는 높은 전도성을 가지는 구리 이온을 이용하여 나노선을 제작하는 실험을 진행하였으며 제작된 구리-나노선의 전도특성을 분석하여 구리 이온 치환 정도에 따른 DNA 전도성 개선 여부를 확인하였다. DNA를 기반으로 구리 Metalization 횟수가 늘어날수록 나노선이 연속적으로 형성되며 선형적이고 높은 전도특성을 가지게 되는 것을 확인할 수 있었다. 이 결과로부터 본 연구에서 사용한 방법을 이용하여 제작된 구리 나노선이 향후 나노소자 제작에 크기 기여할 것으로 기대한다.

• 한국진공학회지
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• 제17권4호
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• pp.253-261
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• 2008

Programmable metalization cell (PMC) memory 소자로도 명명되는 고체 전해질 메모리 소자는 비휘발성, 고속 및 높은 ON/OFF 저항비 등을 갖고 있기 때문에, 차세대 비휘발성 메모리로서 각광받고 있는 소자 중의 하나이다. 본 논문에서는 고체 전해질 메모리 소자의 동작 원리를 먼저 소개하고자 한다. 또한, 메모리향 소자 개발을 진행 중인 미국 코지키 교수 그룹, 비메모리향 소자 개발을 진행 중인 일본 NEC 그룹 등의 해외 연구진과, Te 계열의 칼코게나이드 합금을 채택하여 소자를 제작한 한국전자통신연구원 및 충남대학교 등의 국내 연구진의 연구 성과를 소개하고자 한다.

• 동굴
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• 제82호
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• pp.1-4
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• 2007

In this paper, the etching of Au films using photoresist masks on Si substrates was investigated using a capacitively coupled plasma etch reactor. The advantages of plasma etch techniques over current methods for Au metalization include the ability to simplify the metalization process flow with respect to resist lift-off schemes, and the ability to cleanly remove etched material without sidewall redeposition, as is seen in ion milling. The etch properties were measured for different gas mixing ratios of CF4/Ar, and chamber pressures while the other conditions were fixed. According to statistical design of experiment (DOE), etching process of Au films was characterized and also 20 samples were fabricated followed by measuring etch rate, selectivity and etch profile. There is a chemical reaction between CF4 and Au. Au- F is hard to remove from the surface because of its high melting point. The etching products can be sputtered by Ar ion bombardment.

• 한국레이저가공학회:학술대회논문집
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• 한국레이저가공학회 1998년도 춘계학술발표대회 초록개요집
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• pp.35-36
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• 1998

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권8호
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• pp.45-51
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• 2007

[ $1.6{\mu}m$ ]의 활성층을 가지는 planar형태의 94 GHz graded-gap injector GaAs 건 다이오드를 설계, 제작하였다. 이 다이오드는 반 절연 기판에 성장된 에피 구조를 바탕으로 메사 식각, 오믹 금속 접촉형성 및 overlay metalization의 주요 공정을 통하여 두가지 형태의 planar 구조로 제작되었다. 제작된 건 다이오드의 부성저항 특성을 anode와 cathode 금속전극들의 배치를 달리 한 두 소자 구조에서 고찰하였고 graded-gap injector의 역할을 순방향과 역방향에서의 직류거동으로부터 살펴보았다. 결과적으로, 금속전극의 배치에 있어서, cathode와 anode 전극사이의 거리가 감소된 소자 구조에서 증가된 peak 전류와 breakdown 전압, 그리고 감소된 문턱전압을 얻었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제28권8A호
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• pp.626-632
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• 2003

본 논문에서는 모드정합법을 이용하여 도체두께를 고려한 비대칭 결합선로의 특성을 해석하고, 중심주파수 5㎓ 인 정방향 -3㏈ 방향성 결합기를 설계 및 제작하였다. 결합선로의 결합도에 대한 연구는 대부분 기하학적인 구조의 변화에 대해 연구되어 왔으나, 본 논문에서는 도체두께가 비대칭 결합선로의 간격, 선로 폭, 결합기의 길이에 미치는 영향을 이론적으로 분석하고, 도체두께를 고려한 비대칭 결합선로를 이용한 결합기를 설계하여 도체 두께가 두꺼울수록 강한 결합으로 인하여 정방향 결합기의 결합길이가 짧아지고 광대역 특성이 얻어지는 결과를 얻었다. 본 논문에서는 5㎓ 중심주파수로 한 도체두께가 서로 다른 비대칭 결합선로로 구성된 정방향 -3㏈ 결합기를 설계하고, 제작 및 실험을 통하여 약 -4.05㏈∼-4.09㏈의 결합특성을 갖는 주파수특성 측정결과를 얻어 설계 값에 거의 근접하는 것을 확인하였으며, 도체 두께를 고려한 정확한 설계로써 결합선로에서 강한결합과 광대역 특성을 만들 수 있다는 사실을 확인하였다.