• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제16권2호
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• pp.166-171
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• 2016

Nickel silicide is main issue in Polycrystalline silicon Thin Film Transistor (TFT) which is made by Metal Induced Lateral Crystallization (MILC) method. This Nickel silicide acts as a defect center, and this defect is one of the biggest reason of the high leakage current. In this research, we fabricated polycrystalline TFTs with novel method called Edge Cut (EC). With this new fabrication method, we assumed that nickel silicide at the edge of the channel region is reduced. Electrical properties are measured and trap state density also calculated using Levinson & Proano method.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권4호
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• pp.33-39
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• 1997

The crystallization temperature of an amorphous silicon (a-Si) can be lowered down to 400.deg. C by a new method : Double-metal induced lateral crystallization (DMILC). The a-Si film was laterally crystallized from Ni and Pd deposited area, and its lateral crystallization rate reaches up to 0.2.mu.m/hour at that temperature and depends on the overlap length of Ni and Pd films; the shorter the overlap length, the faster the rate. Poly-Silicon thin film transistors (poly-Si TFT's) fabricated by DMILC at 400.deg. C show a field effect mobility of 38.5cm$^{3}$/Vs, a minimum leakage current of 1pA/.mu.m, and a slope of 1.4V/dec. The overlap length does not affect the characteristics of the poly-Si TFT's, but determines the lateral crystallization rate.

• Journal of Information Display
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• 제2권2호
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• pp.7-12
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• 2001

A viscous Ni solution was coated over amorphous Si thin film for evenly spread of Ni metal source. The Ni s. prepared by dissolving $NiCl_2$ into IN HCI and mixing with propylene glycol. $NiCl_2$ and Ni were deposited on the amorphous film after oven dry and they enabled to obtain a uniform crystallization. The crystallization using the viscous Ni solution was a Ni-silicide mediated process, the same process used with Ni metal layer. The crystallization temperature was lowered to $480^{\circ}C$ by the synergy effect of silicide-mediated crystallization and microwave-induced crystallization. Lateral crystallization was also enhanced such that the velocity of lateral crystallization by microwave annealing became faster than by furnace annealing.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.274-277
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• 2000

Thin Film Transistor(TFTs) were fabricated from poly-Si crystallized by a two-step annealing process on glass substrates. The combination of low-temperature(500$^{\circ}C$) Metal-Induced Lateral Crystallization(MILC) furnace annealing and high -temperature (700$^{\circ}C$) rapid thermal annealing leads to the improvement of the material quality The TFTs measured with this two-step annealing material exhibit better characteristics than those obtained by using conventional MILC furnace annealing.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권4호
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• pp.31-37
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• 2000

금속 유도 측면 결정화 (Metal-Induced Lateral Crystallization; MILC)에 의해 저온다결정 실리콘 박막트랜지스터를 형성할 때 Ni박막을 게이트와 소오스/드레인간 경계로부터 거리를 달리하여 형성한 뒤 결정화시킴으로써 소오스와 드레인으로부터 결정화가 진행되어 서로 만나는 경계 면을 채널 내부 외부에 인위적으로 위치시킬 수 있었고 이들의 전기적 특성비교를 통하여 MILC경계가 트랜지스터 특성에 미치는 영향을 고찰할 수 있었다. MILC 경계를 채널 내부로부터 제거시킴으로써 On Current, Subthreshold slope 특성을 향상시킬 수 있었고 누설전류 특성도 크게 향상시킬 수 있었다. 채널 내부에 MILC 경계가 존재할 경우 전기적 스트레스를 인가함에 따라 누설전류의 양이 감소하였고, 전체 감소량은 채널 폭이 넓을수록 증가하였고 채널길이에는 무관하였다.

• 융합정보논문지
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• 제9권5호
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• pp.117-124
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• 2019

본 논문에서는 AMOLED 디스플레이 구동회로로 사용되는 박막트랜지스터의 구성요소 중에서 반도제 물질 제조의 최근 동향에 대해 논한다. 트랜지스터에 적용을 위해 특성이 좋은 반도체 막을 얻는 방법으로 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 변화시켜야 하는데 레이저와 열처리 방법이 있으며, 레이저를 이용한 기술에는 SLS(Sequential Lateral Solidification), ELA(Excimer Laser Annealing), TDX(Thin-beam Directional Crystallization), 열처리 기술에는 SPC(Solid Phase Crystallization), SGS(Super Grain Silicon), MIC(Metal Induced Crystallization), FALC(Field Aided Lateral Crystallization)가 대표적이며, 이들에 대해 상세히 설명한다. 본 연구실에서 연구중인 레이저 결정화 기술의 대형 AMOLED 디스플레이 제작을 위한 연구 내용도 다룬다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.985-988
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• 2008

Metal induced crystallization of a-Si with a source of Ni/Si oxide was studied. Its mechanism to induce crystallization was discussed. It was found that new source behaves an effect of self-released nickel and reducing nickel residua, so can provide a wider process tolerance; improve the uniformity and stability of TFTs.

• 한국세라믹학회지
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• 제41권8호
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• pp.578-581
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• 2004

본 연구에서는 Palladium-Metal Induced Lateral Crystallization(Pd-MILC)과 Nickel-Metal Induced Lateral Crystallization (Ni-MILC)을 동시에 사용하여 Ni-MILC의 결정화 속도를 향상시키는 방법을 제안하였다 이 방법을 사용하여 기존의 Ni-MILC 보다 거의 4배나 빠른 결정화 속도인 15 $\mu$m/h를 얻을 수 있었다. Ni과 Pd의 간격이 좁을수록 Ni-MILC의 결정화 속도가 더 빨라졌으며 Pd두께, Ni두께에, 비정질 실리콘 너비와는 큰 의존관계가 없었다. 하지만 Pd이 Ni에 의해 덮혀져 Pd-MILC가 일어나지 못하는 경우에는 이러한 현상이 발견되지 않았다. 이는 Pd물질 그 자체가 Ni-MILC를 향상시키는 것이 아니라 Pd MILC가 진행되면서 발생하는 tensile stress에 의해 향상되는 것임을 의미한다. 이와 같은 현상들을 새로운 MILC mechanism으로 설명하였다.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권5호
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• pp.48-53
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• 1998

Poly-Si TFT's could be fabricated on glass substrates by metal induced lateral crystallization (MILC) method at 450.deg. C. Channel area of the poly-Si TFT's was laterally crystallized from source and drain areas, where a thn nickel film was deposited. Dopants activation for the formation of source and drain region could be achieved by thermal annealing at 450.deg. C after the ion mass doping of phosphorus. The field effect mobility of thus formed N-channel poly-Si TFT's was 76cm$^{2}$/Vs, and the on/off current ratio was higher than 7E6.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1997년도 한국재료학회 춘계학술발표회
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• pp.107-107
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• 1997