• 한국게임학회 논문지
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• 제11권2호
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• pp.105-114
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• 2011

MMORPG와 같은 게임에서 근접전투가 벌어지는 샷에서 프라이머리 액터들간의 오클루젼이 종종 발생한다. 본 논문은 미디엄 샷(medium shot) 기법으로 오클루젼을 해결하고 오버-숄더 샷(over-shoulder shot) 기법으로 대결구도를 강화하는 미디엄 오버-숄더(Medium and Oversholder, MOS) 기법을 제안한다. 미디엄 샷 기법은 4개의 기준점을 설정하고. 오버-숄더 샷 기법은 측면의 기준점을 가변적으로 위치시키며 오클루더는 두 개의 스피어로 대체한다. 레이와 스피어가 교차하는지 여부로 잠재적 오클루젼 상태가 판별되면 오클루더의 우측 또는 좌측으로 카메라를 이동시키고, 오클루젼이 해결되면 이동을 멈춘다. 실험결과 MOS 기법은 샷당 평균 $13.7{\mu}s$ 의 연산시간의 성능을 보였으며, 오클루젼은 평균 9.26% 비율로 뷰어의 시선 장애에 영향을 주진 않았다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권5호
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• pp.8-14
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• 2007

본 논문에서는 MOS 소자의 게이트 유전체로 사용될 고유전 박막으로 $HfO_2$/Hf 박막을 제조하여 그 전기적 특성을 관찰하였다. $HfO_2$박막은 TEMAH와 $O_3$ 전구체를 사용한 ALD 방법으로 p-type (100) 실리콘 웨이퍼 위에 증착하였다. $HfO_2$막을 증착시키기 전에 중간층으로써 Hf 금속 층을 증착하였다. Round-type의 MOS 커패시터 제작을 위해, 상부 전극은 Al 또는 Pt을 이용하여 약 2000 ${\AA}$ 두께의 전극을 형성하였다. $HfO_2$ 박막은 화학정량적 특성을 보였으며, $HfO_2$/Si 계면에서 Si-O 결합 대신 Hf-Si 결합과 Hf-Si-O 결합이 관찰되었다. $HfO_2$와 Si 사이의 Hf 중간층은 $SiO_x$의 성장이 억제되었고, $HfSi_xO_y$으로 변형되었다. 이러한 결과로 $HfO_2$/Hf/Si 구조에서 Hf 중간층이 있음으로 게이트 유전체의 고유전율이 유지되면서 계면 특성이 개선됨을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
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• pp.3-4
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• 2005

Germanium nanocrystals(NCs) were formed in the silicon dioxide($SiO_2$) on Si layers by Ge implantation and rapid thermal annealing process. The density and mean size of Ge-NCs heated at $800^{\circ}C$ during 10 min were confirmed by High Resolution Transmission Electron Microscopy. Capacitance versus voltage(C-V) measurements of MOS capacitors with single $Al_2O_3$ capping layers were performed in order to study electrical properties. The C-V results exhibit large threshold voltage shift originated by charging effect in Ge-NCs, revealing the possibility that the structure is applicable to Nano Floating Gate Memory(NFGM) devices.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제3권3호
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• pp.607-616
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• 1999

본 논문에서는 제한된 대역에서 낮은 전송률로 족은 품질을 유지하도록 하는 개선된 4.8kbps VSELP를 제안한다. 그러나 대부분의 경우에 있어서 낮은 전송률에는 좋은 품질을 유지하지 못하는 실정이다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 많은 방법들이 제안되어 왔으나 대부분 외국어를 기준으로 맞추어져 우리 언어 구조에 적합하지 않다. 본 실험은 잡음이 없는 실험실에서 녹취한 데이터를 가지고 수행되었다. 본 논문은 저전송률을 가지며 한국어 음성에 적합한 코드북을 설계하고 8kbps의 VSELP와 4.8kbps의 VSELP를 SEGWSNR(Segmentally Weighted SNR) 평가와 MOS(Mean Opinion Score) 평가를 수행하고 주관적 평가에 있어서 4.8kbps의 VSELP의 우수함을 보인다.

• 한국재료학회지
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• 제24권3호
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• pp.140-144
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• 2014

The contact mechanism of devices is usually researched at electrode contacts. However, the contact between a dielectric and channel at the MOS structure is more important. The graphene was used as a channel material, and the thin film transistor with MOS structure was prepared to observe the contact mechanism. The graphene was obtained on Cu foil by the thermal decomposition method with $H_2$ and $CH_4$ mixed gases at an ambient annealing temperature of $1000^{\circ}C$ during the deposition for 30 min, and was then transferred onto a $SiO_2/Si$ substrate. The graphene was doped in a nitrogen acidic solution. The chemical properties of graphene were investigated to research the effect of nitric atoms doping. The sheet resistance of graphene decreased after nitrogen acidic doping, and the sheet resistance decreased with an increase in the doping times because of the increment of negative charge carriers. The nitric-atom-doped graphene showed the Ohmic contact at the curve of the drain current and drain voltage, in spite of the Schottky contact of grapnene without doping.

• 대한전자공학회논문지
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• 제24권1호
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• pp.102-109
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• 1987

This study is carrier out to investigate the carrier injection and the characteristics of trapping for the CVD deposited Al2O3 film on Si substrates. Samples used are metal -Al2O3-Si Structure in which metal field plates are used with Aluminium or God. Canier injection and trapping, which result in flat band voltalge shift, occur at fields as low as 1~2 MV/cm. An approximate method is proposed for computing the location of the centroid of the trapped electrons in this paper. Results show that carriers are trapped near the injecting interface at fields less than about 5MV/cm. Because of continued charging, a steady state can not be reached. Therefore the unique I-V curve is obtained when the traps are initially empty. By utilization of applied voltage on each point of the fresh device sample, it is measured the I-V surves for two polarities of applied voltage. The current densities observed in the Al2O3 films are much larger than those obtained in SiO2.

• 전자공학회논문지C
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• 제34C권4호
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• pp.1-15
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• 1997

This paper proposes CMOS on-chip voltage and current reference circuits that operate at supply voltages between 2.5V and 5.5V without using a vonventional bandgap voltage structure. The proposed reference circuits based on enhancement-type MOS transistors show low cost, compatibility with other on-chip MOS circuits, low-power consumption, and small-chip size. The prototype was implemented in a 0.6 um n-well single-poly double-metal CMOS process and occupies an active die area of $710 um \times 190 um$. The proposed voltage reference realizes a mean value of 0.97 V with a standard deviation of $\pm0.39 mV$, and a temperature coefficient of $8.2 ppm/^{\circ}C$ over an extended temeprature range from TEX>$-25^{\circ}C$ to $75^{\circ}C$. A measured PSRR (power supply rejection ratio) is about -67 dB at 50kHz.

• 전기의세계
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• 제27권4호
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• pp.45-51
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• 1978

A new method of realizing the field effect transistor with a sub-.mu. channel width is described. The sub-.mu. channel width is made possible by etching grooves into n$^{+}$ pn$^{[-10]}$ n$^{[-10]}$ structure and using p region at the wall for the channel region of the Metal-Oxide-Semiconductor transistor (MOST), or by diffusing two different types of impurities through the same diffusion mask and using p region at the surface for the channel region of MOST. When the drain voltage is increased at the pn$^{[-10]}$ drainjunction the depletion layer extends into the n$^{[-10]}$ region instead of into p region; this is also the secret of success to realize the sub-.mu. channel width. As the result of the experimental fabrication, a microwave MOST was obtained. The cut-off frequency was calculated to be 15.4 GHz by Linvill's power equation using the measured capacitances and transconductance.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1989년도 하계종합학술대회 논문집
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• pp.359-363
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• 1989

Recently, it is reported that the behavior of thermal $SiO_2$ under high electric field and current condition has a major effect on MOS device degration. Furthermore, when thin oxide films are applied in practical device, the presence of oxide defects will be a serious problem. In this paper, because TDDB is the useful method to measure the effective density of defects, we stressed MOS structure that is 150 A of thermally grown $SiO_2$as a function of electric field (9-19 MV/cm), temperature ($22^{\circ}C$ - $150^{\circ}C$) and current. By examing TDDB under positive voltage, long-term oxide breakdown reliabiliy is described. From these data, breakdown wearout limitation for the oxide films can be characterized.

• 전기전자학회논문지
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• 제22권2호
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• pp.356-361
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• 2018

고온에서 이용 가능한 수소 센서에 관해 연구하였다. 센서는 $Pd/Ta_2O_5/SiC$으로 구성된 MOS 구조로 제작되었으며, $Ta_2O_5$ 박막은 급속 열 산화법(RTO)법으로 형성하였다. 본 연구에서는 3가지 다른 패턴의 팔라듐(Pd) 전극으로 만든 센서를 제작하여, Pd 전극의 형태가 응답 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. 그 결과, 센서는 Pd 전극의 채워진 면적이 클수록, 정전용량의 응답특성이 개선됨을 확인하였다.