• 한국응용곤충학회지
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• 제52권1호
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• pp.5-12
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• 2013

비트의 주요 해충인 흰띠명나방을 9개의 다른 온도조건(15.0, 17.5, 20.0, 22.5, 25.0, 27.5, 30.0, 32.5 및 $35.0^{\circ}C$), 상대습도 $65{\pm}5%$, 광조건 16L:8D에서 발육특성을 조사한 결과, 알에서 성충 우화 전까지의 발육기간은 $17.5^{\circ}C$에서 51.0일로 가장 길었고, $35^{\circ}C$에서 14.6일로 가장 짧게 조사되었다. 온도와 발육율의 관계를 직선회귀에 의해 분석한 결과, 결정계수($R^2$) 값이 0.87 이상으로 나타났으며, 온도에 따른 발육은 직선회귀에 부합되었다. 알부터 성충 우화 전까지의 발육영점온도와 유효적산온도는 $10.4^{\circ}C$와 384.7일도를 나타내었다. 각 태별 발육모형은 $R^2$값이 0.97~0.99로 비선형회귀식에 잘 부합되었다. 각 태별 발육누적분포와 발육기간에 대한 평균 발육기간으로 나눈 값을 Weibull 함수에 적용한 결과 $r^2$값이 0.63~0.87이었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권1호
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• pp.1-7
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• 2007

In this paper, two kinds of initial oxidation methods i.e., SLTO(Slow Low Temperature Oxidation: $700^{\circ}C$) and RTO(Rapid Thermal Oxidation: $850^{\circ}C$) are applied prior to the plasma nitridation for ultra thin oxide of RPNO (Remote Plasma Nitrided Oxide). It is observed that SLTO has superior characteristics to RTO such as lower SS(Sub-threshold Slope) and improved Ion-Ioff characteristics. Low frequency noise characteristics of SLTO also showed better than RTO both in linear and saturation regime. It is shown that flicker noise is dominated by carrier number fluctuation in the channel region. Therefore, SLTO is promising for nano-scale CMOS technology with ultra thin gate oxide.

• Journal of Biosystems Engineering
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• 제14권2호
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• pp.128-136
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• 1989

The purpose of this study was to develop a computer operated automatic drip irrigation system for application in vinyl-house cultivation. The results can be summarized as follows: 1) The T-type ice compensation wire was used to measure the temperature. The voltage level measured up to 0.02 volt was used as input to an 8-bit A/D converter. 2) A specially devised tensiometer was used to content the watering system. When the needle of the pressure gauge reaches the lower threshold position it turns on the pumping system and turns off when it reaches higher threshold position. 3) In order to use the multiple gypsum blocks for one transducer, reed relays and a D/O board were used to make the sequential switching possible. 4) It was possible to automate the trickle irrigation system for the whole growth period of vinyl-house crops with the help of microcomputer. 5) In terms of furrow irrigation, the irrigation water consumption was the smallest, 2.8 times less than conventional method of surface trickle irrigation, 3.4 times less than subsurface trickle irrigation method. 6) In terms of productivity of cucumber, there was a drop in productivity when compared to furrow irrigation method, 7.2% for surface trickle irrigation, 27.4% for subsurface irrigation method.

• 한국응용곤충학회지
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• 제45권3호
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• pp.269-274
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• 2006

잎들깨 시설하우스에서 발생하는 들깨진딧물과 목화진딧물의 발육실험은 $15{\sim}35^{\circ}C$, 광주기 16:8(L:D h)에서 수행하였다. 진딧물 약충의 사망률은 초기 1-2령충이 대부분을 차지하였고, 온도의 상승에 따라 사망률이 높아져 $35^{\circ}C$에서 들깨진딧물과 목화진딧물의 전체약충 누적사망률은 각각 15.6%와 50.0% 였다. 들깨진딧물의 경우 $35^{\circ}C$에서 령기별 사망률에 큰 차이는 없었으나, 목화진딧물의 경우 고온에서 1-2령충보다 3-4령충의 사망률이 각각 12.2%와 15.6%로 높았다. 들깨진딧물과 목화진딧물 전체약충의 온도별 발육기간이 $15-30^{\circ}C$까지 온도의 상승에 따라 각각 $20.8{\sim}5.4$일, $22.6{\sim}9.1$일로 짧아지는 경향을 보였고, 고온의 영향을 받은 것으로 생각되는 $35^{\circ}C$에서는 오히려 발육기간이 각각 7.i일, 10.7일로 길어졌다. 발육영점온도는 들깨진딧물이 $9.9^{\circ}C$, 목화진딧물이 $4.9^{\circ}C$였고, 유효적산온도는 들깨 진딧물이 108.0일도, 목화진딧물이 221.2일도 였다. 잎들깨 시설하우스에서의 발생시기는 목화진딧물이 들깨진딧물보다 약 15일 정도 빨랐다. 목화진딧물은 4월 초순에 발생하여 5월 하순 발생최성기를 보였고 들깨진딧물은 4월 중순 발생하여 7월 상준 발생최성기를 보였다.

• 한국응용곤충학회지
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• 제52권4호
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• pp.387-394
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• 2013

갈색거저리의 온도에 따른 유충 발육시험을 15, 17, 20, 22, 25, 28 및 $30^{\circ}C$의 7개 항온조건, 광주기 14L:10D, 상대습도 60~70% 조건에서 수행하였다. 유충은 13령까지 경과하였고 항온 조건에서 사망률은 17, $20^{\circ}C$에서 극소수 개체만이 발견되었고, $22^{\circ}C$ 이상의 항온조건에서는 발견되지 않았다. 유충의 발육기간은 $17^{\circ}C$에서 244.3일로 가장 길었고, $30^{\circ}C$에서 110.8일로 가장 짧았다. $15^{\circ}C$는 부화되지 않아 유충 발육 조사가 불가능하였다. 온도와 발육율과의 관계를 알아보기 위하여 선형모형과 비선형모형(Logan 6)을 이용하였으며, 선형모형을 이용하여 추정한 전체유충의 발육영점온도는 $6.0^{\circ}C$, 발육 유효적산온도는 2564.1DD 였으며 선형, 비선형 모두 결정계수값($r^2$) 이 0.95로 높은 값을 보였다. 전체유충의 발육완료분포는 2-parameter Weibull 함수를 사용하였으며 전체 유충의 결정계수 값은 0.8502~0.9390의 양호한 모형 적합성을 보였다.

• 한국환경과학회지
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• 제24권5호
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• pp.657-670
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• 2015

Visibility and Automatic Weather System(AWS) data near Nakdong river were analyzed to characterize fog formation during 2012-2013. The temperature was lower than its nearby city - Daegu, whereas the humidity was higher than the city. 157 fog events were observed in total during the 2 year period. About 65% of the events occurred in fall (September, October, and November) followed by winter, summer, and spring. 94 early morning fog events of longer than 30 minutes occurred when south westerly wind speed was lower than 2 m/s. During these events, the water temperature was highest followed by soil surface and air temperatures due to the advection of cold and humid air from nearby hill. The observed fog events were categorized using a fog-type classification algorithm, which used surface cooling, wind speed threshold, rate of change of air temperature and dew point temperature. As a result, frontal fog observed 6 times, radiation 4, advection 13, and evaporation 66. The evaporation fog in the study area lasted longer than other reports. It is due to the interactions of cold air drainage flow and warm surface in addition to the evaporation from the water surface. In particular, more than 60% of the evaporation fog events were accompanied with cold air flows over the wet and warm surface. Therefore, it is needed for the identification of the inland fog mechanism to evaluate the impacts of nearby topography and land cover as well as water body.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제9권3호
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• pp.166-173
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• 2009

The reliability of hafnium oxide gate dielectrics incorporating lanthanum (La) is investigated. nMOSFETs with metal/La-doped high-k dielectric stack show lower $V_{th}$ and $I_{gate}$, which is attributed to the dipole formation at the high-k/$SiO_2$ interface. The reliability results well correlate with the dipole model. Due to lower trapping efficiency, the La-doping of the high-k gate stacks can provide better PBTI immunity, as well as lower charge trapping compared to the control HfSiO stacks. While the devices with La show better immunity to positive bias temperature instability (PBTI) under normal operating conditions, the threshold voltage shift (${\Delta}V_{th}$) at high field PBTI is significant. The results of a transconductance shift (${\Delta}G_m$) that traps are easily generated during high field stress because the La weakens atomic bonding in the interface layer.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제17권6호
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• pp.1-11
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• 2012

공정기술이 지속적으로 발달함에 따라 멀티코어 프로세서는 성능 향상이라는 장점과 함께 내부 연결망의 긴 지연 시간, 높은 전력 소모, 그리고 발열 현상 등의 문제점들을 내포하고 있다. 이와 같은 2차원 멀티코어 프로세서의 문제점들을 해결하기 위한 방안 중 하나로 3차원 멀티코어 프로세서 구조가 주목을 받고 있다. 3차원 멀티코어 프로세서는 TSV를 이용하여 수직으로 쌓은 여러 개의 레이어들을 연결함으로써 2차원 멀티코어 프로세서와 비교하여 배선 길이를 크게 줄일 수 있다. 하지만, 3차원 멀티코어 프로세서에서는 여러 개의 코어들이 수직으로 적층되므로 전력밀도가 증가하고, 이로 인해 발열문제가 발생하여 높은 냉각 비용과 함께 신뢰성에 부정적인 영향을 유발한다. 따라서 3차원 멀티코어 프로세서를 설계할 때에는 성능과 함께 온도를 반드시 고려하여야 한다. 본 논문에서는 캐쉬 구성에 따른 3차원 쿼드코어 프로세서의 온도를 상세히 분석하고, 이를 기반으로 발열문제를 해결하기 위해저온도 캐쉬 구성 방식을 제안하고자 한다. 실험결과, 명령어 캐쉬는 최고온도가 임계값보다 낮고 데이터 캐쉬는 많은 웨이를 가지는 구성을 적용할 때 최고온도가 임계값보다 높아짐을 알 수 있다. 또한, 본 논문에서 제안하는 캐쉬구성은 쿼드코어 프로세서를 사용하는 3차원 구조에서 캐쉬의 온도 감소에 효과적일 뿐만 아니라 성능 저하 또한 거의 없음을 알 수 있다.

• 천문학회지
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• 제24권2호
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• pp.191-215
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• 1991

We have compared the column densities of $H_2CO$, $^{13}CO$, $C^{18}O$, $^{12}CO$, CS, and $HCO^+$ to the visual extinctions derived from star counts in eight dark clouds, L1317, B1, L1551, L1535, L1544, L134, L134N, and B335. We examined the degree of correlation between molecules and extinctions. The contours of $^{13}CO$, $H_2CO$, and CS distributions show an excellent coincidence with those of the visual extinction. Even though the plots of molecule brightness temperature or column density as a function of the visual extinction show a considerable scatter, a good correlation is found between the two quantities. The turnover of the ratios of $^{13}CO$ and $H_2CO$ column densities to the visual extinction at high extinctions observed in several clouds is not apparent in this work. The ratios seem to maintain constant values within the range of $A_V$ we studied. The slopes of the relations between the molecule column density and extinction, and the threshold values of extinction for detection of molecules are comparable to the other works. The cause of the slope difference is discussed. We derived, for the first time, the relations of CS and $HCO^+$ column densities and the visual extinction. The ratio of CS column density to extinction is at least two orders of magnitude lower than the mean value for $^{13}CO$, but the threshold for detection of CS is comparable to that of $^{13}CO$. The ratio of the $HCO^+$ column density to extinction is one to two orders of magnitude lower than the mean ratio for $H_2CO$.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.289.2-289.2
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• 2016

In-Ga-Zn-O(IGZO) receive great attention as a channel material for thin film transistors(TFTs) as next-generation display panel backplanes due to its superior electrical and physical properties such as a high mobility, low off-current, high sub-threshold slope, flexibility, and optical transparency. For the purpose of fabricating high performance IGZO TFTs, a thermal recovery process above a temperature of $300^{\circ}C$ is required for recovery or rearrangement of the ionic bonding structure. However diffused metal atoms from source/drain(S/D) electrodes increase the channel conductivity through the oxidation of diffused atoms and reduction of $In_2O_3$ during the thermal recovery process. Threshold voltage ($V_{TH}$) shift, one of the electrical instability, restricts actual applications of IGZO TFTs. Therefore, additional investigation of the electrical stability of IGZO TFTs is required. In this paper, we demonstrate the effect of Ti diffusion and modulation of interface traps by carrying out an annealing process on IGZO. In order to investigate the effect of diffused Ti atoms from the S/D electrode, we use secondary ion mass spectroscopy (SIMS), X-ray photoelectron spectroscopy, HSC chemistry simulation, and electrical measurements. By thermal annealing process, we demonstrate VTH shift as a function of the channel length and the gate stress. Furthermore, we enhance the electrical stability of the IGZO TFTs through a second thermal annealing process performed at temperature $50^{\circ}C$ lower than the first annealing step to diffuse Ti atoms in the lateral direction with minimal effects on the channel conductivity.