• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2002년도 학술대회지
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• pp.815-818
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• 2002

The elliptic relaxation model(ERM) with the inhomogeneous correction intermediate between near wall with and far from the wall. The source of the ERM usually was appled quasi-homogeneous pressure-strain correlation in homogeneous situations. This formulation was easily applied to the linear model or non-linear pressure-strain model. It is observed that the boundary conditions of the relaxation operator dominate the homogeneous pressure-strain model in the near wall region. While looking at high-Reynolds number flows, it was found necessary to modify the effect of the relaxation operator throughout the log region by accounting for gradients of the flatness variable and turbulent length scales. These effects are kinematic blocking of the wall normal velocity fluctuation and pressure reflections from the surface. This model is wall distances and unit vectors which make the model applicable to flows boundary by a complex geometry. Inhomogeneous correction model is computed inertial and non-inertial channel flow These are compared DNS(Kim et at., Kristofffrsen & Andersson) for channel flow. The present model could be predicted well for rotating flows.

• 한국방재학회 논문집
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• 제7권1호통권24호
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• pp.57-66
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• 2007

본 연구에서는 WMS를 이용하여 소유역 분할에 따른 수문지형정보의 변화와 강우-유출모의를 통한 효과적인 분할방법을 제공하는데 있다. 대상유역은 금강수계의 미호천 유역으로 선정하였으며 유역의 분할 방법은 유역면적, 하천경사, 하천연장에 대하여 분할하였다. 소유역 분할 방법에 대한 유역의 수문학적 적용은 Clark 단위도법, SCS 무차원단위도법, Snyder 단위도법으로 실제 관측수문곡선과 비교하였다. 적용결과 유역면적에 의해 5개의 소유역으로 분할할 경우에 SCS 단위도법이 가장 좋은 결과를 나타났으며, 본 연구는 미호천유역의 유출변동에 대한 기초 자료로 활용될 수 있다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 춘계학술대회
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• pp.693-695
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• 2012

본 연구에서는 DGMOSFET의 항복전압에 대하여 고찰할 것이다. 이를 위하여 포아송방정식의 분석학적 해를 이용하였으며 Fulop의 항복전압 조건을 사용하였다. DGMOSFET는 게이트길이가 나노단위까지 사용가능한 소자로서 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. 그러나 단채널에서 나타나는 항복전압의 감소는 피할 수 없으므로 이에 대한 연구가 필요하다. 포아송방정식을 풀 때 사용하는 전하분포함수에 가우시안 함수를 적용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 이중게이트 MOSFET의 소자크기에 따라 항복전압의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 전위모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 항복전압을 분석할 것이다. DGMOSFET의 항복전압을 관찰한 결과, 채널길이가 감소할수록 그리고 도핑농도가 증가할수록 항복전압이 감소하는 것으로 나타났다. 또한 게이트산화막두께 및 채널두께에 따라서 항복전압의 변화가 관찰되었다.

• 전자공학회논문지
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• 제50권9호
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• pp.55-59
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• 2013

Sub-$0.1{\mu}m$로 스케일이 감소함에 따라 기생 저항 효과가 크게 발생되는 dc Ids 측정 데이터 없이 측정 S-파라미터로부터 얻어진 RF Ids를 사용하여 벌크 MOSFET의 포화영역에서 게이트 전압 종속 유효 캐리어 속도를 추출하는 새로운 방법이 개발되었다. 이 방법은 바이어스 종속 기생 게이트-소스 캐패시턴스와 유효 채널 길이의 복잡한 추출 없이 포화영역의 유효 캐리어 속도를 추출할 수 있게 한다. 이러한 RF 기술을 사용하여 벌크 포화 속도를 초과하는 전자 속도 overshoot 현상이 $0.065{\mu}m$ 게이트 길이의 벌크 N-MOSFET에서 관찰되었다.

• 디지털콘텐츠학회 논문지
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• 제7권3호
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• pp.169-174
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• 2006

RFID는 각종 서비스 산업은 물론 물류, 산업 현장, 제조 공장과 물품의 흐름이 있는 곳이면 어디에서나 적용이 가능하여 사회 여러 분야로부터 큰 관심을 받고 있다. 하지만 현재 900Mhz 대역의 RFID에서 사용하는 ISO/IEC 18000-6의 프로토콜에서는 에러검출을 위한 CRC16만을 사용하여, 에러정정능력을 갖추지 못해 그 신뢰성이 떨어질 것으로 여겨진다. 본 논문에서는 이러한 RFID 시스템의 신뢰성 향상을 위해 Reader에서 Tag로의 명령어 및 데이터 전송 시에 콘벌루션 부호를 적용하여 시스템의 신뢰성 향상을 목적으로 하며, 이런한 방식을 적용했을 때와 적용하지 않았을 때의 에러율을 측정 비교하였다.

• 융합신호처리학회논문지
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• 제4권4호
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• pp.23-29
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• 2003

본 논문에서는 무향실에서 녹음된 모노 음으로부터 효과적인 음의 확산감을 얻기 위해서 스테레오 헤드폰을 이용한 개선된 입체음향 시스템의 구현을 위한 알고리듬을 제안하고자 한다. 머리전달함수(HRTF)를 이용해서 음상을 정위하고 음의 확산 효과를 위해서 시간 지연을 삽입한 웨이블릿 필터 뱅크를 이용한다. 좌$.$우 머리전달함수의 샘플링률을 변화시키면서 음상 정위의 왜곡 정도를 파악한다. 계산의 복잡도를 고려하여 공간상의 정보를 잃지 않는 가장 낮은 샘플링률을 갖는 머리전달함수와 실험 음원과의 컨벌루션 처리를 통해서 2 채널의 스테레오 음을 획득한다. 헤드폰의 좌$.$우측 신호에 대한 상관계수 값의 제어를 통해서 음의 확산 정도를 비교한다. 잔향처리를 통하여 최종적인 확산 음원을 획득한다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제8권4호
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• pp.174-177
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• 2007

We fabricated organic field-effect transistors (OFETs) based a fluorinated copper phthalocyanine ($F_{16}CuPC$) and copper phthalocyanine (CuPc) as an active layer. And we observed the surface morphology of the $F_{16}CuPC$ thin film. The $F_{16}CuPC$ thin film thickness was 40 nm, and the channel length was $50{\mu}m$, channel width was 3 mm. And we also fabricated the $F_{16}CuPc/CuPc$ double layer FET and with different $F_{16}CuPc$ film thickness devices. We observed the typical current-voltage (I-V) characteristics and capacitance-voltage (C-V) in $F_{16}CuPc$ FET and we calculated the effective mobility. From the double layer FET devices, we observed the higher drain current more than single layer FET devices.

• 한국광학회지
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• 제3권3호
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• pp.198-202
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• 1992

은 이온 교환법으로 만든 유리 도파로는 표면 굴절율 차가 크고 도파로 깊이가 얕기 때문에 반도체 박막 이식법을 이용한 반도체 소자와 유리 도파로의 혼성 집적에 사용되기에 적합하다. 이 노문은 묽게한 잘산화은 용액에서 이온 교환으로 만들어진 평면 및 채널 유리 도파로의 가시광선 및 적외선 파장영역에서의 특성을 보고한다. 특히 광통신에 중요한 파장인 1.5.$\mu$m에서의 단일 모우드 채널 도파로의 제작 조건을 결정하였다. 또한 여러가지 다른 구성 형태의 방향성 결합기가 제작되어 파장과 편광 방향에 따른 3dB 결합 길이가 결정되었다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제9권8호
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• pp.847-852
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• 2014

반도체 소자 제조에서 비용 절감을 위한 공정기술의 스케일링 가속화 경향에 따라 축소기술에 대한 요구가 증가되고 있다. 축소에 따른 또 다른 가장 큰 문제점의 하나는 Hot Carrier Injection (HCI) 특성의 열화이다. 이는 축소 과정에서 생기는 불가피한 가장 큰 이슈중의 하나이며, 특히 입출력 소자에 있어 극복하기 어려운 부분이다. 이의 개선을 위해 유효 채널 길이를 늘이고자 LDD 임플란트 공정 이전에 산화막이 추가되었고, 또한 I/O LDD 임플란트 공정의 이온 입사 각도를 최적화함으로써, LDD 영역에서 E-field 열화 없이 HCI 규격을 만족할 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제47권6호
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• pp.10-21
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• 2010

많은 노드와 넓은 지역을 커버하기 위해 클러스터-트리 형태로 구성된 모니터링 네트워크는 싱크 주변에 트래픽이 집중된다. IEEE 802.15.4가 이러한 센서 네트워크에 적용 되었을 때 싱크 주변지역에서의 트래픽 집중으로 인하여 데이터의 전송지연이 길어지고, 데이터를 잃어버릴 가능성이 높다. 본 논문에서는 LR-WPAN에서 채널을 동적으로 할당하여 채널 사용률을 높이고, 데이터 전송 성공률을 높이는 알고리즘을 제안한다. 본 논문에서는 제안한 알고리즘의 성능평가를 위하여 IEEE 802.15.4의 액티브 구간길이를 다양하게 설정하여 실험하였다. 실험 환경은 클러스터-트리 형태의 모니터링 네트워크를 가정하고, 트래픽이 집중되는 지역인 싱크와 1홉 거리에서 발생하는 트래픽을 분석했다. 실험결과 트래픽이 많을수록 DCA가 우수한 성능을 보였다. 트래픽이 가장 적은 상황에 대한 실험에서 IEEE 802.15.4는 최소한의 액티브길이인 14.40ms로 동착하여 90.3%의 데이터 전송 성공률을 보이고, DCA는 11.8ms의 액티브 구간을 유지하며 98.9%의 데이터 전송 성공률을 보였다.