• Journal of Acupuncture Research
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• 제19권5호
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• pp.92-111
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• 2002

Objective : Carthami Flos has been used as a herb to promote blood circulation to remove blood stasis in oriental medicine for many centuries, and Amun(GV15) has been used as a meridian point to treat apoplexy etc. To investigate treatment of cerevral vascular disease(CVA) by promoting blood circulation and removing blood stasis(活血化瘀法), we observed the experimental effects and mechanism of auqa-acupunture of Carthami Flos(ACF) injected into GV15 on cerevral hemodynamics and cardiovascular system of rats. Method : Aqua-acupuncture of Carthami Flos(ACF) was injected into GV15, and then we investigated experimental effects and mechanism of ACF on the cerebral hemodynamics[regional cerebral blood flow(rCBF), pial arterial diameter(PAD), meal arterial blood pressure(MABP)] and cardiovascular system[cardiac muscle contractile force(CMF), heart rate(HR)I by pretreatment with methylene blue(MTB) and indomethacin(IDN). The changes in rCBF, MABP, CMF and HR were tested by Laser Doppler Flowmetry(LDF), and the changes in PAD was determinated by video microscopy methods and video analyzer. Results :The results were as follows in normal rats ; The changes of rCBF and PAD were significantly increased by ACF($120{\mu}{\ell}/kg$) in a injected time-dependent manner, but MABP was not changed by ACF. The changes of cardiovascular system were increased by ACF in a injected time-dependent manner. And pretreatment with MTB was significantly inhibited ACE induced increase of rCBF and PAD, and was decreased ACF induced increase of HR. And pretreatment with IDN was increased ACF induced MABP and CMF. And the results were as follows in cerebral ischemic rats ; The changes of rCBF was increased stabilizly by treatment with ACF($120{\mu}{\ell}/kg$) in during the period of cerebral reperfusion, but pretreatment with MTB was increased ACF induced increase of rCBF during the period of cerebral reperfusion. The results were as follows in normal rats ; The changes of rCBF and PAD were significantly increased by ACF($120{\mu}{\ell}/kg$) in a injected time-dependent manner, but MABP was not changed by ACF. The changes of cardiovascular system were increased by ACF in a injected time-dependent manner. And pretreatment with MTB was significantly inhibited ACF induced increase of rCBF and PAD, and was decreased ACF induced increase of HR. And pretreatment with IDN was increased ACF induced MABP and CMF. And the results were as follows in cerebral ischemic rats ; The changes of rCBF was increased stabilizly by treatment with ACF($120{\mu}{\ell}/kg$) in during the period of cerebral reperfusion, but pretreatment with MTB was increased ACF induced increase of rCBF during the period of cerebral reperfusion Conclusions : In conclusion, ACF causes a diverse response of rCBF, PAD an HR, and action of ACF is mediated by cyclic GMP. I suggested that ACF has an anti-ischemic effect through the improvement of crebral hemodynamics in a transient cerebral ischemia.

• 전자공학회논문지
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• 제51권9호
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• pp.82-90
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• 2014

본 논문에서는 선형성을 가진 파노라믹 스캔 라이다(PSL) 시스템용의 4-채널 차동 트랜스임피던스 증폭기 어레이를 0.18-um CMOS 공정을 이용하여 구현하였다. PSL시스템을 위한 성능의 비교분석을 위하여 전류모드 및 전압모드의 두 종류 트랜스임피던스 어레이 칩을 각각 구현하였으며, 채널당 1.25-Gb/s 동작속도를 갖도록 설계하였다. 먼저 전류모드 칩의 경우, 각 채널 광 수신입력단은 전류미러 구조로 구현하였으며, 특히 로컬 피드백 입력구조로 개선하여 낮은 입력저항과 낮은 잡음지수를 가질 수 있도록 설계하였다. 칩 측정 결과, 채널 당 $69-dB{\Omega}$ 트랜스임피던스 이득, 2.2-GHz 대역폭, 21.5-pA/sqrt(Hz) 평균 잡음 전류 스펙트럼 밀도, -20.5-dBm 수신감도, 및 1.8-V 전원전압에서 4채널 총 147.6-mW 소모전력을 보이며, 1.25-Gb/s 동작속도에서 크고 깨끗한 eye-diagram을 보인다. 한편, 전압모드 칩의 경우, 각 채널 광 수신입력단은 인버터 입력구조로 구현하여 낮은 잡음지수를 갖도록 설계하였다. 칩 측정 결과, 채널 당 $73-dB{\Omega}$ 트랜스임피던스 이득, 1.1-GHz 대역폭, 13.2-pA/sqrt(Hz) 평균 잡음 전류 스펙트럼 밀도, -22.8-dBm수신감도, 및 4채널 총 138.4-mW 소모전력을 보이며, 1.25-Gb/s 동작속도에서 크고 깨끗한 eye-diagra을 보인다.

• 치위생과학회지
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• 제16권4호
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• pp.284-292
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• 2016

DUWL에 형성된 바이오필름 제거를 위한 효과적인 소독제의 제시와 새로운 소독제의 개발을 위해 DUWL의 실험실 모델의 확립이 필요하다. 따라서 본 연구에서는 실험실에서 쉽게 구할 수 있는 장비들로 실험실 모델을 제작하여, DUWL 바이오필름을 재현하기 위한 새로운 실험실 모델을 확립하고자 하였다. 사용 중인 DUWL을 통해 수집한 물에서 세균을 모은 후, R2A 액체 배지에서 10일 동안 배양시켰다. 10일 배양시킨 세균액을 $-70^{\circ}C$에 보관하여 사용하였다. $-70^{\circ}C$에 저장한 세균 stock은 R2A 액체배지에 5일 동안 회분 배양시킨 배양액은 모델에서 바이오필름을 형성시키기 위해 사용되었다. 바이오필름 형성 모델은 실험실 내 장비인 1 L 비커에 폴리우레탄 튜빙이 부착된 20 cm 유리막대를 꽂아서 제작하였다. 모델을 멸균시킨 후 R2A 액체배지 300 ml와 5일 동안 회분 배양한 세균액 50 ml을 넣고 stir plate에서 $25^{\circ}C$로 배양시켰다. 배양 2일마다 R2A 액체배지를 교체해주었다. 임상의 상황과 유사한 조건에서 바이오필름을 형성하기 위해 와류상태는 오전 9시에서 오후 6시까지 적용시키고 그 이외의 시간에는(약 15시간) 정체상태로 배양시켰다. 바이오필름 형성은 4일 동안 진행하였으며, 그 후 바이오필름의 두께, 바이오필름을 구성하는 세균의 분포 및 형태학적 특징을 SEM과 CLSM을 사용하여 분석하였다. 4일 바이오필름 형성 후 평균 바이오필름 축적량은 $4.68{\times}10^4CFU/cm^2$였고, 바이오필름의 두께는 $10{\sim}14{\mu}m$였다. 또한 바이오필름을 구성하는 세균들이 부분적으로 응집되어 덩어리를 이루고 있는 양상을 확인할 수 있었다. 본 연구에서 제작한 실험실 모델을 대상으로 차아염소산나트륨, 과산화수소 그리고 클로르헥시딘과 같은 소독제의 효과를 확인하였다. 그 결과 적용된 소독제의 농도가 낮을수록 바이오필름 내 생존한 세균의 수가 많았다. 따라서 우리의 실험실 모델에서 형성시킨 바이오필름은 소독제의 효과를 비교하기 위해 적절한 것으로 판단된다. 우리의 실험실 모델은 향후 DUWL 소독을 위한 새로운 방법의 개발을 위해 유용하게 사용될 것으로 예상된다.

• 대한소아치과학회지
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• 제32권1호
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• pp.89-100
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• 2005

형태학적으로 아주 유사한 상, 하악 제2유구치와 제1대구치의 교합면 형태를 분석하고자 정상교합의 유치열기 아동(Hellman dental age II A) 100명(남자 50명, 여자 50명)과 영구치열기의 성인(Hellman dental age IV A) 86명 (남자 43명, 여자 43명)을 대상으로 하였다. 상, 하악 제2유구치와 제 1대구치의 상, 하악 석고모형의 3차원 형상 data로부터 각 교두정간 거리, 교두정을 최소한의 오차로 지나는 평면과 교합면사이의 체적, 평면에서 교두정간 까지의 방향별 Section curve를 구하여 다음과 같은 결론을 얻었다. 1. 형성된 표준평면과 각 교두정과의 거리에 관한 오차는 하악 제2유구치에서 남자 0.05-0.09mm, 여자 0.04-0.09mm로서 제일 작았다. 2. 각 교두정간의 거리는 하악 제2유구치와 제 1대구치 에서 남자가 크게 나타났다. 특히 제2 유구치에서는 유의성이 존재하였다(p<0.05). 3. 남녀 모두에서 사주 교두거리를 제외하고, 상악 제2유구치는 원심 협측교두와 설측교두 사이가, 하악 제2유구치는 원심교두와 원심 설측교두 사이가, 상악 제1대구치는 근심 설측교두와 협측교두 사이가, 하악 제1대구치는 원심 설측교두와 근심 설측교두 사이의 거리가 가장 크게 측정되었다. 4. 제2유구치와 제1대구치에서 교합면 체적은 하악에서 크게 나타났고, 영구치가 1.40-1.75배 값을 보였으며(p<0.05), 남녀간에는 남자가 큰 값을 보이긴 하였지만 통계적인 유의성이 없었다. 5. 대부분의 경우 유치열에서 보다 영구치열에서 section curve가 넓고 깊었으며 교두사이의 사선거리를 제외하고 상악의 경우 근심 협측과 설측교두 사이에서 유치열과 영구치열 모두에서 가장 깊은 section curve를 이루었으며 하악에서는 영구치열은 원심 협측과 원심교두사이 유치열은 원심 설측과 원심교두 사이에서 가장 깊은 section curve를 이루었다.

• Tuberculosis and Respiratory Diseases
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• 제42권1호
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• pp.25-34
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• 1995

연구배경: 기관지결핵을 기관지경소견에 따라 섬유성협착형, 부종충혈형, 건락성괴사형, 종양형, 궤양형, 과립형, 비특이성기관지염형의 일곱가지 아형으로 분류하고, 활동성 기관지결핵에서 기관지내병변이 치료경과에 따라 어떠한 변화를 보이는지를 기관지경검사로 추적관찰하고자 전향적으로 본 연구를 수행하였다. 방법: 1990년 5월부터 1993년 8월까지 서울특별시립 보라매병원에 내원한 환자중 기관지경검사상 기관지내부에 병변이 있고 조직생검에서 활동성 기관지결핵이 확진된 66명을 대상으로 하였으며, 기관지경검사는 치료경과중 변화가 없을때까지 매달 추시하고 이후에는 3개월간격으로 그리고 치료종결시에도 시행하여 기관지내부에 활동성병변이 없음을 확인하였는데 예정대로 기관지경검사가 모두 추시된(최소 5회부터 최다 10회) 증례는 47예였다. 결과: 대상환자는 남자가 12명, 여자가 54명으로 남녀비는 2:9였고 연령별로는 10대가 8명, 20대가 21명, 30대가 12명, 40대가 10명, 50대가 6명, 60대가 5명, 70대이상이 4명이었으며, 기관지결핵을 기관지경소견에 따라 분류해보면 건락성괴사형이 23예, 섬유성협착형이 12예, 비특이성기관지염형이 10예, 종양형 및 과립형이 각각 7예, 부종충혈형이 6예, 그리고 궤양형이 1예로, 주된 아형은 건락성괴사형, 섬유성협착형 및 비특이성기관지염형이었다. 기관지결핵의 치료경과에 따른 기관지경소견의 변화를 살펴보면, 건락성괴사형은 항결핵제투여후 1개월에 괴사물질이 거의 소실되면서 과립형이나 비특이성기관지염형 혹은 육아성병변으로 변형되었는데 치료 2-3개월후에는 20예중 7예(35.0%)가 특별한 후유증없이 치유되었으나 13예(65.0%)는 기도협착을 초래하였고 육아성병변을 형성한 경우는 7예 모두(100.0%)에서 기도협착이 발생하였다. 섬유성협착형은 치료에도 불구하고 4예중 2예(50.0%)에서는 기도가 완전폐쇄되는 경과를 보였고 나머지 2예(50.0%)는 기도협착이 호전되지 않았다. 부종충혈형은 6예중 4예(66.7%)가 섬유성협착형으로 이행되고 2예(33.3%)는 후유증없이 치유되었다. 과립형은 7예중 6예(85.7%)가 후유증없이 치유되었으나 1예(14.3%)에선 기도협착이 발생하였고, 비특이성기관지염형은 3예 모두(100.0%) 후유증없이 치유되었다. 이러한 변화는 치료후 2~3개월의 기관지경소견으로 모두 예측가능하였지만, 종양형에서는 7예중 치료 6개월후에 기존의 종괴가 더욱 돌출된 경우가 1예 있었고 각각 치료 4개월후와 6개월후에 다른 기관지부위에 새로운 종괴를 형성한 경우가 2예 있어 3예(42.9%)의 경과를 전혀 예측할수 없었으며 나머지 4예(57.1%)는 치료에도 불구하고 1예(14.2%)에선 기도내부의 병변이 전혀 호전되지 않았고 3예(42.9%)는 더 악화되는 경과를 보였다. 결론: 활동성 기관지결핵에서는 치료후 2~3개월간은 매달 그리고 종양형결핵은 치료후 6개월까지도 기관지경검사를 추시해볼 필요가 있으며, 치료경과중 육아성병변이 관찰되는 경우와 섬유성협착형 및 종양형 결핵에서는 기도폐쇄를 예방하기 위한 스텐트삽입이나 레이저요법, 전기소작술같은 적극적인 치료가 바람직할 것이다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.107-108
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• 2008

The spectacular development of AMLCDs, been made possible by a-Si:H technology, still faces two major drawbacks due to the intrinsic structure of a-Si:H, namely a low mobility and most important a shift of the transfer characteristics of the TFTs when submitted to bias stress. This has lead to strong research in the crystallization of a-Si:H films by laser and furnace annealing to produce polycrystalline silicon TFTs. While these devices show improved mobility and stability, they suffer from uniformity over large areas and increased cost. In the last decade we have focused on microcrystalline silicon (${\mu}c$-Si:H) for bottom gate TFTs, which can hopefully meet all the requirements for mass production of large area AMOLED displays [1,2]. In this presentation we will focus on the transfer of a deposition process based on the use of $SiF_4$-Ar-$H_2$ mixtures from a small area research laboratory reactor into an industrial gen 1 AKT reactor. We will first discuss on the optimization of the process conditions leading to fully crystallized films without any amorphous incubation layer, suitable for bottom gate TFTS, as well as on the use of plasma diagnostics to increase the deposition rate up to 0.5 nm/s [3]. The use of silicon nanocrystals appears as an elegant way to circumvent the opposite requirements of a high deposition rate and a fully crystallized interface [4]. The optimized process conditions are transferred to large area substrates in an industrial environment, on which some process adjustment was required to reproduce the material properties achieved in the laboratory scale reactor. For optimized process conditions, the homogeneity of the optical and electronic properties of the ${\mu}c$-Si:H films deposited on $300{\times}400\;mm$ substrates was checked by a set of complementary techniques. Spectroscopic ellipsometry, Raman spectroscopy, dark conductivity, time resolved microwave conductivity and hydrogen evolution measurements allowed demonstrating an excellent homogeneity in the structure and transport properties of the films. On the basis of these results, optimized process conditions were applied to TFTs, for which both bottom gate and top gate structures were studied aiming to achieve characteristics suitable for driving AMOLED displays. Results on the homogeneity of the TFT characteristics over the large area substrates and stability will be presented, as well as their application as a backplane for an AMOLED display.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.31-31
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• 2010

The growth of the high-quality GaN epilayers is of significant technological importance because of their commercializedoptoelectronic applications as high-brightness light-emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) in the visible and ultraviolet spectral range. The GaN-based heterostructural epilayers have the polar c-axis of the hexagonal structure perpendicular to the interfaces of the active layers. The Ga and N atoms in the c-GaN are alternatively stacked along the polar [0001] crystallographic direction, which leads to spontaneous polarization. In addition, in the InGaN/GaN MQWs, the stress applied along the same axis contributes topiezoelectric polarization, and thus the total polarization is determined as the sum of spontaneous and piezoelectric polarizations. The total polarization in the c-GaN heterolayers, which can generate internal fields and spatial separation of the electron and hole wave functions and consequently a decrease of efficiency and peak shift. One of the possible solutions to eliminate these undesirable effects is to grow GaN-based epilayers in nonpolar orientations. The polarization effects in the GaN are eliminated by growing the films along the nonpolar [$11\bar{2}0$] ($\alpha$-GaN) or [$1\bar{1}00$] (m-GaN) orientation. Although the use of the nonpolar epilayers in wurtzite structure clearly removes the polarization matters, however, it induces another problem related to the formation of a high density of planar defects. The large lattice mismatch between sapphiresubstrates and GaN layers leads to a high density of defects (dislocations and stacking faults). The dominant defects observed in the GaN epilayers with wurtzite structure are one-dimensional (1D) dislocations and two-dimensional (2D) stacking faults. In particular, the 1D threading dislocations in the c-GaN are generated from the film/substrate interface due to their large lattice and thermal coefficient mismatch. However, because the c-GaN epilayers were grown along the normal direction to the basal slip planes, the generation of basal stacking faults (BSFs) is localized on the c-plane and the generated BSFs did not propagate into the surface during the growth. Thus, the primary defects in the c-GaN epilayers are 1D threading dislocations. Occasionally, the particular planar defects such as prismatic stacking faults (PSFs) and inversion domain boundaries are observed. However, since the basal slip planes in the $\alpha$-GaN are parallel to the growth direction unlike c-GaN, the BSFs with lower formation energy can be easily formed along the growth direction, where the BSFs propagate straightly into the surface. Consequently, the lattice mismatch between film and substrate in $\alpha$-GaN epilayers is mainly relaxed through the formation of BSFs. These 2D planar defects are placed along only one direction in the cross-sectional view. Thus, the nonpolar $\alpha$-GaN films have different atomic arrangements along the two orthogonal directions ($[0001]_{GaN}$ and $[\bar{1}100]_{GaN}$ axes) on the $\alpha$-plane, which are expected to induce anisotropic biaxial strain. In this study, the anisotropic strain relaxation behaviors in the nonpolar $\alpha$-GaN epilayers grown on ($1\bar{1}02$) r-plane sapphire substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVO) were investigated, and the formation mechanism of the abnormal zigzag shape PSFs was discussed using high-resolution transmission electron microscope (HRTEM).

• 생명과학회지
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• 제22권1호
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• pp.16-24
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• 2012

Polyamine은 모든 세포의 성장과 분화에 필수적인 요소지만 그 기작은 아직 정확하게 밝혀져 있지 않다. 본 논문에서는 MCF-7세포에서 spm의 세포독성 기작을 연구하였다. MTT assay 결과 저농도의 spm (<10 ${\mu}M$) 처리시 cell viability가 증가하는 반면 고농도의 spm 처리시 처리 시간과 처리 농도에 의존적으로 감소되었으며, 이는 고농도의 spm이 MCF-7 cell에 cytotoxic한 효과를 가지고 있는 것으로 사료된다. Cell cycle 분석 결과 spm 농도에 의존적으로 sub-G1 단계의 세포 양이 증가하는 것으로 나타났으며, 이는 spm이 세포분열을 억제함으로써 세포사를 유발하는 것으로 생각된다. 또한 고농도의 spm 처리 후 2시간이 지나자 cell 표면이 움츠려 들며 rounding되기 시작하여 하루가 지난 후 거의 모든 cell이 culture dish 에서 떨어진 것을 관찰할 수 있었다. 이는 spm이 세포부착에 관여하여 세포사를 유발하는 것이라 생각되며, 세포부착을 조절하는 Integrin ${\beta}1$은 저농도의 spm에선 별다른 차이를 보이지 않다가 농도가 높아질수록 조금씩 감소하였으며, cytoskeletal protein인 actin은 농도의존적으로 감소하였다. 반면 adhesion protein인 FAK는 저농도의 spm 처리시에도 급격히 감소하였다. 이는 spm이 adhesion 및 cytoskeletal proteins의 발현을 억제하는 것으로 보이며, 특히 Integrin ${\beta}1$과 actin에 비해 FAK에 더 많은 영향을 끼치는 것으로 사료된다. 단백질들의 세포막상의 분포에 관한 연구에서, membrane 상에 위치하던 Integrin ${\beta}1$은 10 ${\mu}M$의 spm 처리시 세포 내로 약간의 위치변동이 일어났으나 그 양에는 크게 차이가 없었으며, 반면에 actin은 위치상엔 큰 변화가 일어나지는 않았지만 농도에 따라 크게 감소하는 것으로 나타났다. 세포이동과 형태조절에서 중추적인 역할을 하는 FAK는 세포막 안쪽에 위치하고 있다가 spm 처리시 세포 가운데로 이동하는 모습이 관찰되었으며 그 양도 크게 감소하였다. 이상의 실험에서 세포 내 spm의 변화는 MCF-7 cell의 adhesion protein인 Integrin ${\beta}1$과 FAK, 그리고 cytoskeletal protein인 actin의 발현을 조절하여 cell attachment를 억제함으로써 세포분열과 생장을 억제하는 것으로 분석된다.

• 치위생과학회지
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• 제17권4호
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• pp.283-289
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• 2017

DUWL에 형성한 바이오필름을 효율적으로 제거할 수 있는 새로운 소독제는 개발되어야 하며, 실험실에서 소독제의 효과를 확인하기 위해 DUWL 바이오필름 시료는 필요하다. 이 연구의 목적은 well plate를 사용하여 간단하고 재현 가능한 DUWL 바이오필름 모델을 개발하는 것이다. 사용중인 4대의 DUWL에서 배출된 1 L의 물을 여과지에 여과시켜 세균을 얻었다. 여과지를 PBS (pH 7.4) 용액 20 ml에 현탁시킨 후, 현탁액을 R2A 액체배지에 접종하고 $25^{\circ}C$에서 10일 동안 배양하였다. 10일 배양한 세균 배양액을 $-70^{\circ}C$에 보관하였고 매 실험에 사용하였다. 세균배양액을 R2A 배지에서 5일 동안 회분 배양하였다. 12-well plate에 회분 배양한 세균 배양액과 멸균한 폴리우레탄 튜빙 조각을 넣고 정체된 상태로 $25^{\circ}C$에서 바이오필름을 형성시켰다. R2A 액체배지는 2일마다 2 ml씩 교체해주었다. 폴리우레탄 내형성된 바이오필름의 축적량을 확인하기 위해 폴리우레탄 튜빙 조각을 내면에서 수집한 바이오필름을 R2A 고체배지에 도말하였다. 도말한 R2A 고체배지는 $25^{\circ}C$에서 7일 배양하고 $CFU/cm^2$를 계산하였다. 그리고 바이오필름의 두께와 구성 세균의 형태 및 분포를 확인하기 위해 CLSM과 SEM을 사용하였다. 4일 동안 배양시킨 바이오필름의 평균 축적량은 $1.15{\times}10^7CFU/cm^2$였다. 바이오필름은 구균, 짧은 길이의 간균, 그리고 중간길이의 간균을 포함하고 있었고 폴리우레탄 튜빙 내면에 넓게 분포하고 있었다. 바이오필름두께는 위치에 따라 차이가 있지만 $2{\mu}m{\sim}7{\mu}m$였다. 이 연구에서 제작된 DUWL 바이오필름 model은 DUWL에서 수집된 모든 세균을 사용하여 세균의 다양성을 확보했고 또한 실험실에서 쉽게 구할 수 있는 well-plate를 사용했기 때문에 비용 효율적이고 재현이 간단하다. 본 연구의 DUWL 바이오필름 모델은 새로운 소독방법의 개발하는 데 유용하게 사용될 수 있다.

• Radiation Oncology Journal
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• 제19권4호
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• pp.301-305
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• 2001

목적 : 초기 성문암의 방사선치료에 있어 소분할 치료(hypofractionated radiation therapy)의 용이성과 그 부작용의 정도를 파악하고자 하였다. 대상 및 방법 : 1999년 2월부터 2000년 2월까지 서울대학교 병원 치료방사선과에 내원하여 조직학적으로 확진된 I, II 병기의 초기 성문암환자 20명을 대상으로 전향적 연구를 진행하였다. 환자군의 성별분포는 18명이 남자, 2명이 여자였으며, 연령의 중앙값은 59세였다. 병기의 분포는 T1aN0 - 16명, T1bN0 - 1명, T2N0 3명이었다. 18명의 환자는 후두미세수술을 통한 조직생검을 시행하였으며 2명의 환자는 레이저 절제술을 시행받았다. 모든 환자는 근치적 방사선치료를 2.5 Gy의 분할조사선량으로 총 50 Gy의 방사선을 24회 분할하여 시행받았다. 치료 기간의 중앙값은 36일 이었다(범위 $31\~45$일). 결과 : 방사선치료 기간 중 급성 반응으로 치료를 중단한 환자는 없었다. 주된 급성 부작용은 식도염과 애성이었으며 치료 후에는 호전되었다. RTOG grade 3의 식도염으로 인한 연하통을 보인 환자가 1례에서 있었고, 6례에서 grade 3의 애성을 보였다. 방사선치료에 대한 반응은 치료 종료 1개월 후에 판정하고 모든 환자에서 완전관해를 보였다. 20명의 환자 중 3명에서 재발이 관찰되었는데, 2례는 방사선치료 후 10개월과 13개월의 시점에서 국소재발이 관찰되었고, 1례는 방사선치료 후 2개월의 시점에서 경부 림프절에서의 재발이 관찰되었고 4개월 후 원격전이가 관찰되었다. 결론 : 소분할 방사선치료는 시행상의 큰 어려움 없이 진행되었으며 질병의 관해에 효과적인 것으로 나타났다. 하지만 방사선치료기간의 단축이 종양의 치료 결과에 미치는 영향과 만성 부작용을 파악하기 위해서 보다 오랜 기간의 추적 관찰이 필요할 것으로 생각된다.X>은 필름에 비해 2 mm 가량 크며, 최소 beamlet 크기가 5 mm 임을 감안할 때 부적합한 것으로 판명되었다. RTP commissioning 후 계산 선량은 $1\times1\;cm^2$ 크기 소조사면에서의 측정치와 $2\%$ 범위 내에서 일치하였다. C자 형태의 PTV에 대한 9개의 세기변조된 조사빔에 대한 2회에 걸친 치료중심점에서의 절대선량 측정결과 개별 조사빔에 대하여는 $10\%$ 이상 차이를 보였으나 총 선량은 $2\%$ 이내에서 일치하였다. 필름을 이용한 선량분포도도 계산치와 비교적 잘 일치하였다. 실제 치료환자의 팬톰 내에서의 절대선량 측정 결과 총 선량은 $1.5\%$ 차이를 보였다. 각 조사빔에 대해 중심 leaf의 측방선량분포도를 필름 및 선형배열다중검출기를 사용하여 측정하였으며, 조사면 밖에서 계산선량이 $2\%$ 내외로 작게 나타났으나, 특정 위치를 제외하고는 $3\%$ 이내로 잘 일치함을 확인하였다. 결론 : 세기조절방사선치료를 위해서는 다엽콜리메이터의 위치에 대한 보다 정밀한 정도관리 절차가 개발되어야 될 것으로 판단되며, 조사빔내 세기패턴을 효율적으로 확인할 수 있는 정도보증 절차가 필요할 것으로 사료된다. 본원에서는 팬톰 내에서의 치료중심점과 같이 특정 지점에서의 절대선량 확인 및 필름 혹은 선형배열다중검출기를 사용한 세기분포 패턴의 확인 과정을 통하여, 이를 적절히 병행하여 사용함으로써 세기조절방사선치료에 적합한 정도관리를 시행할 수 있었다.용하여 방광 보존을 및 5년 생존율에 있어 만족할 만한 결과를 얻었다. 완전한 TURBT와 유도 MCV 항암요법과 cisplatin 방사선 병용요법에서 완전관해 여부가 방광보존가능성과 생존율에 영향을 미치는 요소로 생각되고 만약 완전관해를