• 한국HCI학회:학술대회논문집
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• 한국HCI학회 2007년도 학술대회 2부
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• pp.185-192
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• 2007

음성 사용자 인터페이스(Voice User Interface, 이하 VUI) 는 음성을 매개로 일어나는 인간과 기계 간 인터페이스를 뜻한다. 음성 인식율의 향상과 음성 재생 장치의 발달에 힘입어 최근 들어 휴대폰과 카 네비게이션 시스템에 주로 적용되고 있다. 최근 이러한 경향은 A/V 시스템 등 가전제품(Domestic Appliance) 에도 확대되고 있는데 본 연구에서는 사용자와 필수적이고 빈번한 상호작용이 일어나는 백색 가전을 대상으로 사용자를 만족시키는 음성 인터페이스의 주요 속성 중 음성 생성(Speech Generation)과 관련된 음성 표현을 중점 연구하였다. 연구방법으로 먼저 주부들이 느끼는 가전에서의 문제점과 VUI 로서 해결가능성에 대하여 F.G.I. 를 통하여 조사하여 주요 이슈를 도출하고, 대표적 백색 가전인 에어컨, 세탁기, 김치냉장고, 냉장고, 식기세척기, 오븐레인지 등 6개 제품에 대하여 음성의 물리적 특성, 내용적 특성, 기능에 따른 배치에 대하여 조건에 따라 다양한 프로토타입을 제작한 후 실제 환경과 유사한 실험실 상황에서 사용자의 선호도, 적합도 및 수행을 측정하였다. 연구 결과 각 이슈에 따라 가전제품에 적합한 VUI 가이드라인 특성을 찾아내었다.

• 한국진공학회지
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• 제12권S1호
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• pp.70-73
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• 2003

Sum-frequency vibrational spectroscopy has recently been used to investigate the surface of the various polymers and was able to find the chemical compositions and structures specific to the surface. Here we report our studies on two specific polymer samples to demonstrate its capability. Polyimide thin films were made by spin coating on fused quartz and $CaF_2$ substrates. The sum-frequency signal originating mainly from the air/polymer interface showed markedly different spectra, indicating the structural change of the polymer surface depending on the underlying substrate. Various polyethylene surfaces were also investigated by sum-frequency vibrational spectroscopy. The surface of polyethylene samples in the CH-region showed different sum-frequency spectra, presumably due to the trace amount of additives having much higher concentration at the air/polymer interface. These examples demonstrate the surface and interface of the polymer could have different structure and chemical composition from those of a bulk, which can be studied effectively by surface nonlinear optical spectroscopy.

• 컴퓨터교육학회논문지
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• 제10권3호
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• pp.67-73
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• 2007

본 논문에서는 대화 인터페이스 시스템을 구성하는 필수 요소들을 알아보고, 각각에 대한 실용적인 구현 방법을 제안한다. 구현 시스템은 담화 관리자, 의도 분석기, 개체명 인식기, SQL 질의어 생성기, 응답 생성기로 구성된다. 구현 과정에서 비교적 영역 의존성이 낮은 의도 분석 모듈은 통계 기반의 최대 엔트로피 모델을 이용한다. 그리고 높은 영역 이식성을 필요로 하는 개체명 인식기, SQL 질의어 생성기, 응답 생성기는 단순 패턴 매칭 방법을 이용한다. 일정 관리 영역에서의 실험에서 구현 시스템은 88.1%의 의도 분석 정확률과 83.4%의 SQL 질의어 생성 성공률을 보였다.

• 정보처리학회논문지D
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• 제12D권7호
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• pp.979-984
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• 2005

많은 웹 기반 정보시스템은 여러 가지 클라이언트 장치와 사용자들, 사용자 작업에 대한 시스템의 유저 인터페이스에 관한 적응을 요구한다. 본 논문에서는 개발자가 고수준 마크업 언어를 사용하여 웹 기반 인터페이스를 명세 할 수 있는 웹 기반 정보시스템에 적합한 클라이언트인터페이스를 제공하기 위한 새로운 접근방법을 제시하고자 한다. 단일 인터페이스 명세는 실행 시에 다중 웹 장치에 대한 인터페이스를 자동으로 제공하기 위한 것이다. 본 접근방법은 개발자들이 웹 기반 유저 인터페이스를 현재 다른 접근 방법들보다 더 쉽게 구성하고 유지할 수 있게 할 것이다.

• 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
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• 제13권6호
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• pp.402-406
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• 2007

쉽고 유연한 조작과 역동적인 화면구성에 초점을 맞춘 인터넷서비스 맞춤기술인 RIA(Rich Internet Application) 기술들은 웹2.0기술 중 사용자 편의성을 강조한 차세대 UI기술로 기대되고 있다. 본 논문은 평면적이고 순차적인 방법의 고급검색을 동적UI로 구현하고 사용자가 개인화 검색정보를 저장해서 검색에 활용할 수 있도록 구현하였다. 또한 사용자중심의 선호도를 통해 기존 웹 검색보다 개인화된 검색 결과물을 발견할 수 있는 검색구조를 설계하였다. 본 연구는 RIA 기술을 활용한 개인화 검색 관리자의 적용을 통해 검색된 페이지양의 감소를 입증하여 사용자에게 더욱 정제된 데이터를 제공하며 결론적으로 사용자들이 더욱 유연하고 편리한 방법으로 개인화된 웹 검색을 이용할 수 있음을 보였다.

• 한국재료학회지
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• 제19권12호
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• pp.699-702
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• 2009

Due to the importance of the SiGe/Si heterostructure in the fields of thermoelectric and electronic applications, SiGe/Si heterostructures have been extensively investigated. For practical applications, thermal stability of the heterostructure during the thermoelectric power generation or fabrication process of electronic devices is of great concern. In this work, we focused on the effect of thermal annealing on the defect configuration in the SiGe/Si heterostructure. The formation mechanism of planar defects in an annealed SiGe/Si heterostructure was investigated by transmission electron microscopy. Due to the interdiffusion of Si and Ge, interface migration phenomena were observed in annealed heterostructures. Because of the strain gradient in the migrated region between the original interface and the migrated interface, the glide of misfit dislocation was observed in the region and planar defects were produced by the interaction of the gliding misfit dislocations. The planar defects were confined to the migrated region, and dislocation pileup by strain gradient was the origin of the confinement of the planar defect.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.47-50
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• 2000

This paper investigated structural and electrical properties of $Y_2$ $O_3$ as a buffer layer of single transistor FRAM (ferroelectric RAM). $Y_2$ $O_3$ buffer layers were deposited at a low substrate temperature below 40$0^{\circ}C$ and then RTA (rapid thermal anneal) treated. Investigated parameters are substrate temperature, $O_2$ partial pressure, post-annealing temperature, and suppression of interfacial $SiO_2$ layer generation. For a well-fabricated sample, we achieved that leakage current density ( $J_{leak}$) in the order of 10$^{-7}$ A/$\textrm{cm}^2$, breakdown electric field ( $E_{br}$ ) about 2 MV/cm for $Y_2$ $O_3$ film. Capacitance versus voltage analysis illustrated dielectric constants of 7.47. We successfully achieved an interface state density of $Y_2$ $O_3$/Si as low as 8.72x1010 c $m^{-2}$ e $V^{-1}$ . The low interface states were obtained from very low lattice mismatch less than 1.75%.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2011년도 추계학술대회
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• pp.759-761
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• 2011

최근 사용자 편리를 위한 인터페이스에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있다. 사용자 인터페이스 기술은 사용자의 선택에 따른 UI를 적용할 수 있는 기술이다. 이를 위해 W3C에서도 다양한 디바이스 환경에서 N-스크린 서비스, 일관된 서비스 제공 및 사용자의 선호도에 따른 UI 적응 서비스를 지원하기 위한 다양한 연구가 진행 중에 있다. 이에 본 논문에서는 사용자의 편의를 위한 UI를 개발하는 데 있어 기본적인 모델 기반의 사용자 인터페이스 기술에 대해 연구하였다. 이는 웹 응용 어플리케이션 적용방안 기술 확보 및 차세대 웹 어플리케이션을 적용하는데 활용 될 것이다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권9호
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• pp.693-696
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• 2011

Recently, amorphous oxide semiconductors (AOSs) based thin-film transistors (TFTs) have received considerable attention for application in the next generation displays industry. The research trends of AOSs based TFTs investigation have focused on the high device performance. The electrical properties of the TFTs are influenced by trap density. In particular, the threshold voltage ($V_{th}$) and subthreshold swing (SS) essentially depend on the semiconductor/gate-insulator interface trap. In this article, we investigated the effects of Ar plasma-treated $SiO_2$ insulator on the interfacial property and the device performances of amorphous indium gallium zinc oxide (a-IGZO) TFTs. We report on the improvement in interfacial characteristics between a-IGZO channel layer and gate insulator depending on Ar power in plasma process, since the change of treatment power could result in different plasma damage on the interface.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권7호
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• pp.569-574
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• 2007

In this paper, the reliability (NBTI degradation: ${\Delta}V_{th}$) and device characteristic of nano-scale PMOSFET with plasma nitrided oxide (PNO) is characterized in depth by comparing those with thermally nitrided oxide (TNO). PNO case shows the reduction of gate leakage current and interface state density compared to TNO with no change of the $I_{D.sat}\;vs.\;I_{OFF}$ characteristics. Gate oxide capacitance (Cox) of PNO is larger than TNO and it increases as the N concentration increases in PNO. PNO also shows the improvement of NBTI characteristics because the nitrogen peak layer is located near the $Poly/SiO_2$ interface. However, if the nitrogen concentration in PNO oxide increases, threshold voltage degradation $({\Delta}V_{th})$ becomes more degraded by NBT stress due to the enhanced generation of the fixed oxide charges.