• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.2
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• pp.177-182
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• 1995

저잡음 HEMT소자 제작을 위한 에피택셜 기판을 MBE방법을 이용하여 $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}AI_{0.48}$As/InP 물질계로 성장하였다. 기판온도의 변화, 채널층과 격리층 사이의 성장 일시 멈춤 등의 성장 조건 변화에 따른 Hall 이동도의 변화를 연구하였다. 전자 공급층을 Si으로 델타도핑한 결과 같은 조건에서 성장기판의 온도를 $520^{\circ}C$에서$ 540^{\circ}C$로 증가시키면 실온의 전자이동도는 7,850$\textrm{cm}^2$/Vsec으로 증가하였으며, 격리층과 채널층 사이에서 약 50초간 성장중 채널층의 표면 adatom의 surface migration 시간을 충분히 제공하여 결정결함의 감소로 계면의 급격성이 향상된 결과로 사료된다. 본 실험을 통하여 얻은 최고 이동도 값은 격리층의 두께가 $100\AA$인 경유에 상온 측정결과 $11,400\textrm{cm}^2$/vsec 및 77K 측정결과 $50,300\textrm{cm}^2$/Vsec이었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.476-477
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• 2013

반도체의 성능은 최근 10년 사이에 급격하게 발전했고 아날로그 및 디지털 회로 소자들에 있어 저전력/고속 특성 요구가 커지고 있다 [1]. 상온에서 30,000 $cm^2$/Vs 이상의 전자 이동도를 가지며 큰 conduction band offset을 갖는 InAs/AlSb 2차원전자가스(2DEG) 소자는 Spinorbit-interaction의 값이 매우 커서 SPIN-FET 소자로 크게 주목받고 있다 [2]. 본 발표자들은 GaAs 기판위에 성장한 InAs 2DEG HEMT 소자의 전/자기적인 특성과 고속반응 물질로 주목 받는 InSb 박막소자의 doping 특성에 따른 전기적/물리적인 특성의 평가에 대해 그 결과를 소개하고자 한다. 격자정합과 Semi-insulating 기판의 부재로 상용화되어 있는 GaAs와 InP 기판위에 물질차이에 따른 고유의 한계 특성을 줄이기 위한 Pseudomorphic이라 불리는 특별한 박막 성장 기법을 적용하여 높은 전자 이동도를 가지며 spin length가 길어 Spin-FET로서 크게 주목받고 있는 InAs 2DEG HEMT 소자를 완성시켰다. 60,000 ($cm^2$/Vs) 이상의 높은 전자 이동도를 갖는 소자의 구현을 목표로 연구를 진행하였으며 1.8 K에서 측정된 Spin-orbit interaction의 값은 6.3e-12 (eVm)이다. InAs/InGaAs/InAlAs 및 InGaAs/InAlAs 구조의 InP 기반의 소자에서 보다 큰 값으로 향후 Spin-FET 응용에 크게 기대하고 있다. 또한, GaAs 기판위에 구현된 InSb 소자는 격자부정합 감소를 위해 InAs 양자점을 사용하여 약 $2.6{\mu}m$ 두께로 구현된 InSb 박막 소자는 상온에서 약 60,400 ($cm^2$/Vs)의 상온 전자이동도를 보였으며 현재 동일 두께에서 세계 최고결과(~50,000 $cm^2$/Vs)에 비해 월등하게 높은 값을 보이고 있다. Hall bar pattern 공정을 거쳐 완성된 소자는 측정 결과 10~20% 이상 향상된 전자 이동도를 보였다. 2e18/$cm^3$ 미만의 p-doping의 경우, 상온에서 n-type 특성을 보이나, 저온에서 p-type으로 변하는 특성을 보였고 n-doping의 경우 5e17/$cm^3$까지는 전자 이동도만 감소하고, doping에 의한 효과는 크게 없었다. 1e18/$cm^3$의 높은 doping을 할 경우 carrier가 증가하는 것을 확인했다. 이상의 측정 결과로 Spin-FET 소자로서 아주 우수하다는 것을 확인할 수 있었고 n-/p- type이 특성을 고려한 high quality InSb 박막소자의 응용을 위한 중요한 정보를 얻을 수 있었다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.24 no.11
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• pp.1081-1090
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• 2013

In this paper, a C-band 10 W power amplifier with internally matched input and output matching circuit is designed and fabricated. The used power transistor for the power amplifier is GaAs pHEMT bare-chip. The wire bonding analysis considering the size of the capacitor and the position of transistor pad improves the accurate design. The matching circuit design with the package effect using EM simulation is performed. To reduce the unsymmetry of IMD3 in 2-tone measurement due to the memory effect, the bias circuit minimizing the memory effect is proposed and employed. The measured $P_{1dB}$, power gain, and power added efficiency are 39.8~40.4 dBm, 9.7~10.4 dB, and 33.4~38.0 %, respectively. Adopting the proposed bias circuit, the difference between the upper and lower IMD3 is less than 0.76 dB.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.12 no.8
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• pp.18-23
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• 1999

InP 소자 기술은 밀리미터파 회로 제작에 지금까지 개발된 기술 중 가장 경쟁력 있는 기술로 InP HEMT와 HBT를 이용하여 100㎓ 이상의 회로가 만들어지고 있다. GaAs 소자 기술에 비해 InP 소자기술은 주파수 특성과 잡음특성, 집적도에 있어서 우수하나 반면에 V-band 이하의 주파수에서 전력특성이 나쁘며, 가격이 비싼 단점이 있다. V-band 이상의 고주파 대역에서 InP 소자기술은 대부분의 면에서 GaAs 소자기술을 능가하여 극초고주파에서 적용가능한 유일한 소자기술이 된다. 본 논문에서는 InP 소자 기술에 대한 기본적인 내용과 응용 예를 소개한다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• v.6 no.3
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• pp.136-145
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• 2006

Two major processing technologies of GaAs HBT and pHEMT have been released in production at Win Semiconductors corp. to address the strong demands of power amplifiers and switches for both handset and WLAN communications markets. Excellent performance with low processing cost and die shrinkage features is reported from the manufactured MMICs. With the stringent tighter manufacturing quality control WIN has successfully become one of the major pure open foundry house to serve the communication industries. The advancing of both technologies to include E/D-pHEMTs and BiHEMTs likes for multifunctional integration of PA, LNA, switch and logics is also highlighted.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.29 no.3
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• pp.171-183
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• 2018

Herein, we show the design and fabrication of a serial-to-parallel converter (SPC) using the $0.25-{\mu}m$ GaAs pHEMT process. The serial-to-parallel converter is composed of four bits to control the four phase shifters used in the core chip. The SPC stores the received serial data signal to a register in the SPC and converts the stored data into the parallel data. Each converted output data can control four phase shifters. The size of the fabricated SPC is $1,200{\times}480{\mu}m^2$ and it uses two DC power supplies of 5 V and -3 V. The consumption current of each DC power supply is 7.1 mA for 5 V, and 2.1 mA for -3 V.

• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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• v.21 no.3
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• pp.29-34
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• 2021

For the purpose of Application to the small radar sensor, the MMIC Chips, which are the core component of the W-band, was designed in Korea according to the characteristics of the transceiver and manufactured by 60nm GaN and 0.1㎛ GaAs pHEMT process. The output power of PA is 28 dBm at center frequency of W-band and Noise figure is 6.7 dB of switch and LNA MMIC. Output power and Noise figure of MMIC chips developed in domestic was applied to the transmitter and receiver module through W-band waveguide low loss transition structure design and impedance matching to verify the performance after the fabrication are 26.1~27.7 dBm and 7.85~10.57 dB including thermal testing, and which are close to the analysis result. As a result, these are judged that the PA and Switch and LNA MMICs can be applied to the small radar sensor.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• v.13 no.4
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• pp.342-354
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• 2013

The aim of this work is to investigate and study the quantum effects in the modeling of nanoscale symmetric double-gate InAlAs/InGaAs/InP HEMT (High Electron Mobility Transistor). In order to do so, the carrier concentration in InGaAs channel at gate lengths ($L_g$) 100 nm and 50 nm, are modelled by a density gradient model or quantum moments model. The simulated results obtained from the quantum moments model are compared with the available experimental results to show the accuracy and also with a semi-classical model to show the need for quantum modeling. Quantum modeling shows major variation in electron concentration profiles and affects the device characteristics. The two triangular quantum wells predicted by the semi-classical model seem to vanish in the quantum model as bulk inversion takes place. The quantum effects thus become essential to incorporate in nanoscale heterostructure device modeling.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2001.07a
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• pp.255-258
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• 2001

In this paper, DC and small signal characteristics with different physical parameters are expected for p-HEMTs (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors) with different temperatures ranging from 300K to 623K which are widely used for a low noise and/or ultra high frequency device. A device of 0.2$\times$200 ${\mu}{\textrm}{m}$$^2$dimension having very low noise has been chosen to extract the experimental data. Theoretical prediction has been obtained using a simulaor(HELENA) which needs experimental input data extracted from reverse engineering process. From the results, relation between structural parameters and temperature dependency of electrical characteristics are qualitatively explained to use in the design of descrete and integrated circuits to guarantee the optimal operation of the system.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1996.02a
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• pp.28-29
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• 1996