Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
권호 표지

A Study on the Growth of $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}AI_{0.48}$As/InP Epitaxial Layers for HEMT by MBE

MBE에 의한 HEMT 소자용 $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}AI_{0.48}$As/InP 에피택셜층 성장 연구

  • 노동완 (한국전자통신연구소 반도체연구단) ;
  • 이해권 (한국전자통신연구소 반도체연구단) ;
  • 이재진 (한국전자통신연구소 반도체연구단) ;
  • 이재진 (한국전자통신연구소 반도체연구단) ;
  • 편광의 (한국전자통신연구소 반도체연구단) ;
  • 남기수 (한국전자통신연구소 반도체연구단)
  • Published : 1995.06.01
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Abstract

저잡음 HEMT소자 제작을 위한 에피택셜 기판을 MBE방법을 이용하여 $In_{0.53}Ga_{0.47}As/In_{0.52}AI_{0.48}$As/InP 물질계로 성장하였다. 기판온도의 변화, 채널층과 격리층 사이의 성장 일시 멈춤 등의 성장 조건 변화에 따른 Hall 이동도의 변화를 연구하였다. 전자 공급층을 Si으로 델타도핑한 결과 같은 조건에서 성장기판의 온도를 $520^{\circ}C$에서$ 540^{\circ}C$로 증가시키면 실온의 전자이동도는 7,850$\textrm{cm}^2$/Vsec으로 증가하였으며, 격리층과 채널층 사이에서 약 50초간 성장중 채널층의 표면 adatom의 surface migration 시간을 충분히 제공하여 결정결함의 감소로 계면의 급격성이 향상된 결과로 사료된다. 본 실험을 통하여 얻은 최고 이동도 값은 격리층의 두께가 $100\AA$인 경유에 상온 측정결과 $11,400\textrm{cm}^2$/vsec 및 77K 측정결과 $50,300\textrm{cm}^2$/Vsec이었다.

Keywords