• 한국전자파학회논문지
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• 제12권2호
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• pp.245-250
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• 2001

전자산업 기술의 발달에 따라 인류는 많은 혜택을 누리고 있다. 그러나 전자제어기 등의 고속화, 저전력화, 소형화됨에 따라 불효전자파에 민감하게 반응하여 시스템의 오동작, 손상 등의 많은 문제점을 야기시키고 있다. 특히 과도성 불요전자파는 광대역특성과 높은 상승 전압을 갖고 있어 그 대책이 어렵다. 따라서, 본 논문에서는 위와 같은 문제점을 해결하기위하여 IEC에서 규정하고 있는 IEC61000-4-4에준하여 10MHz ~ 1.5GHz 대역에서 20 ~ 30 dB이상의 감쇠 특성을 가지는 Break-box 내의 EMC 필터를 설계.제작하였다.

• 한국마린엔지니어링학회:학술대회논문집
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• 한국마린엔지니어링학회 2005년도 전기학술대회논문집
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• pp.1161-1165
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• 2005

Due to the miniaturization of electrical components and assembles on signal circuits, transient overvoltages caused by switching operation or lightning surges have become more interesting concern to the field of electrical engineering. In this paper, the development of surge protective devices(SPDs) that can protect sensitive signal device on shipboard from overvoltages are described. Two kinds of SPDs are designed and tested by using a combination surge generator which can produce the standard impulse current of 8/20${\mu}s$ 2.1kA according to the IEC 61000-4-5 standard. From the simulation and experimental results, it is confirmed that the proposed SPDs have an enough protection performance with a low insertion loss and a low clamping voltage.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권1호
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• pp.1-7
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• 2014

A bidirectional transient voltage suppression (TVS) diode consisting of specially designed $p^--n^{{+}+}-p^-$ multi-junctions was developed using low temperature (LT) epitaxy and fabrication processes. Its electrostatic discharge (ESD) performance was investigated using I-V, C-V, and various ESD tests including the human body model (HBM), machine model (MM) and IEC 61000-4-2 (IEC) analysis. The symmetrical structure with very sharp and uniform bidirectional multi-junctions yields good symmetrical I-V behavior over a wide range of operating temperature of 300 K-450 K and low capacitance as 6.9 pF at 1 MHz. In addition, a very thin and heavily doped $n^{{+}+}$ layer enabled I-V curves steep rise after breakdown without snapback phenomenon, then resulted in small dynamic resistance as $0.2{\Omega}$, and leakage current completely suppressed down to pA. Manufactured bidirectional TVS diodes were capable of withstanding ${\pm}4.0$ kV of MM and ${\pm}14$ kV of IEC, and exceeding ${\pm}8$ kV of HBM, while maintaining reliable I-V characteristics. Such an excellent ESD performance of low capacitance and dynamic resistance is attributed to the abruptness and very unique profiles designed very precisely in $p^--n^{{+}+}-p^-$ multi-junctions.

• 전력전자학회논문지
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• 제11권4호
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• pp.361-370
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• 2006

단일단 단일스위치 통기정류기형 플라이백 컨버터를 제안한다. 제안된 단일단 단일스위치에 의해 역률이 개선되었으며 IEC 61000-3-2의 고조파 전류 요구조건을 만족한다. Flyback 컨버터의 경우 2 차 측 정류용 다이오드로 사용되는 쇼트키 다이오드의 전압 강하에 의한 전력손실이 크며, 이러한 전력 손실을 줄이기 위해 정류용 다이오드를 대신하여 도통 저항이 작은 MOSFET을 사용함으로써 전력손실을 줄일 수 있으며 이를 동기정류기 (SR : Synchronous Rectifier)라 한다. 제안된 동기 정류기는 MOSFET의 드레인 소스간의 전압 강하를 이용하여 동작하는 VDSR(Voltage Driven Synchronous Rectifier)이며 효율 향상을 목적으로 한다. 본 논문에서 제안한 단일단 단일스위치 동기정류기형 플라이백 컨버터는 출력 전력 85W (l2V /7.1A)에 적용되었으며 실험결과를 통해 확인할 수 있다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제23권4호
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• pp.29-38
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• 2009

GHP(Gas Heating Pump) 시스템은 가스 엔진으로 구동되는 압축기로 구성되는 효율적인 냉/난방기이고, 학교나 사무용 빌딩에 널리 쓰이고 있다. GHP는 느린 응답, 큰 시정수와 시간에 따라 변하는 시스템으로 제어하기가 어렵다. 이들 비선형 부하는 고조파 전류를 발생시키고, 전력계통의 정현파 전압을 왜곡시킨다. 고조파 측정 결과로 고조파는 시간에 따라 변하는 특성이 관측되었다. 시간에 따라 변하는 고조파를 해결하기 위해서 쓰이는 가장 보편적인 방법은 누적확률을 사용하는 것이다. 본 논문에서는 GHP부하의 고조파 특성, IEC 61000-3-2에 의한 고조파 평가와 사례연구 시스템의 고조파 시뮬레이션 및 고조파 필터 적용을 심도있게 다루고자 하였다.

• Journal of Power Electronics
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• 제14권4호
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• pp.641-648
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• 2014

This paper presents the design considerations and analysis for an interleaved boundary conduction mode power factor correction buck converter. A thorough analysis of the harmonic content of the AC line current is presented to examine the allowable voltage gain (K value) for meeting the EN61000-3-2, Class D standard while maximizing efficiency. The results of the harmonic analysis are used to derive the required value of K and therefore the output voltage necessary to meet the class D requirements for a given AC line voltage. The discussed design consideration and harmonic current analysis are verified on a 300W universal line experimental prototype converter with an 80V output. The measured efficiencies remain above 96% down to 20% of the full load. The input current harmonics also meet the IEC61000-3-2 (class D) standard.

• 한국전자파학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.234-241
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• 2000

전기적인 빠른 과도 현상에 대한 내성 시험 시, 전원선 또는 선호선을 통해 과도한 전압을 인가하게 되는데, 이때, 이들 전원선 또는 신호선을 통해 복사되는 불요 복사파가 인근 피시험체에 직. 간접적으로 영향을 주게 되어 시험 결과의 신뢰성을 떨어 뜨리게 된다 따라서 본 논문에서는 피시험체에 직접적으로 영향을 줄 수 있는 근방계 영역에서 불요 전자파의 세기와 특성에 대해서 실제 측정과 전송선 모델을 이용한 수치 해석적 방법으로 고찰하였다 lEC 61000-4-4의 시험조건과 동일한 상태에서 평가를 했을 때, 전원선으로 부터의 불요 복사파가 피시험체에 상당한 장해를 유발할 수 있는 약 2.4 kV/m 정도의 전계 세기로 나타나는 것으로 확인되었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2017년도 추계학술대회
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• pp.53-54
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• 2017

본 논문에서는 스마트폰 배터리로 사용되는 리튬 이온 배터리에서 과충전, 과방전, 단락 등으로 인한 폭발 위험성을 막기 위해 사용되는 배터리 보호회로 모듈에 대한 정전기 방전 실험을 연구하였다. 실험 시료로 S사의 리튬이온 배터리를 사용하였고, 정전기 방전 인가를 위해 IEC 61000-4-2 표준에 호환되는 ESD Gun simulator를 사용하였다. 배터리 보호회로 모듈의 여러 핀에 2kV ~ 10kV에서는 2kV 단위로 증가시키고, 10kV ~ 30kV에서는 5kV단위로 증가시켜 접촉방전을 인가하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권4호
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• pp.495-502
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• 2014

Fast recovery diodes (FRDs) were developed using the $p^{{+}{+}}/n^-/n^{{+}{+}}$ epitaxial layers grown by low temperature epitaxy technology. We investigated the effect of electrostatic discharge (ESD) stresses on their electrical and switching properties using current-voltage (I-V) and reverse recovery time analyses. The FRDs presented a high breakdown voltage, >450 V, and a low reverse leakage current, < $10^{-9}$ A. From the temperature dependence of thermal activation energy, the reverse leakage current was dominated by thermal generation-recombination and diffusion, respectively, at low and high temperature regions. By virtue of the abrupt junction and the Pt drive-in for the controlling of carrier lifetime, the soft reverse recovery behavior could be obtained along with a well-controlled reverse recovery time of 21.12 ns. The FRDs exhibited excellent ESD robustness with negligible degradations in the I-V and the reverse recovery characteristics up to ${\pm}5.5$ kV of HBM and ${\pm}3.5$ kV of IEC61000-4-2 shocks. Likewise, transmission line pulse (TLP) analysis reveals that the FRDs can handle the maximum peak pulse current, $I_{pp,max}$, up to 30 A in the forward mode and down to - 24 A in the reverse mode. The robust ESD property can improve the long term reliability of various power applications such as automobile and switching mode power supply.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제17권4호
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• pp.196-200
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• 2016

We have developed new electrostatic discharge (ESD) protection devices with, bidirectional flip chip transient voltage suppression. The devices differ in their epitaxial (epi) layers, which were grown by reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD). Their ESD properties were characterized using current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) measurement, and ESD analysis, including IEC61000-4-2, surge, and transmission line pulse (TLP) methods. Two BD-FCTVS diodes consisting of either a thick (12 μm) or thin (6 μm), n-Si epi layer showed the same reverse voltage of 8 V, very small reverse current level, and symmetric I-V and C-V curves. The damage found near the corner of the metal pads indicates that the size and shape of the radius governs their failure modes. The BD-FCTVS device made with a thin n- epi layer showed better performance than that made with a thick one in terms of enhancement of the features of ESD robustness, reliability, and protection capability. Therefore, this works confirms that the optimization of device parameters in conjunction with the doping concentration and thickness of epi layers be used to achieve high performance ESD properties.