Graphene oxide was synthesized from natural graphite, and its surface was modified using diisocyanatodicyclohexylmethane( $H_{12}MDI$). Isocyanate-graphene sheet(i-RGO) was obtained by reduction of surface modified GO. To select nanofiller having good dispersion with polyurethane, GO, i-RGO, natural graphite and thermal reduced graphite were analyzed, and then i-RGO was selected as a suitable nanofiller. PU/i-RGO nanocomposite was synthesized with various i-RGO contents to estimate effect of reinforcement on nanocomposite. Thermal stability, hardness, contact angle were increased with i-RGO contents due to i-RGO characteristic and crosslink bridge effect. But, tensile strength and elongation were decreased at i-RGO contents more than the 4 wt%. This phenomenon was interpreted by the excess formation of crosslink bridge.
To produce carbon electrodes for use in perovskite solar cells, electrode samples are prepared by mixing various weight ratios of 35 nm nano carbon(NC) and $1{\mu}m$ graphite flakes(GF), GF/(NC+GF) = 0, 0.5, 0.7, and 1, in chlorobenzene(CB) solvent with a $ZrO_2$ binder. The carbon electrodes are fabricated as glass/FTO/carbon electrode devices for microstructure characterization using transmission electron microscopy, optical microscopy, and a field emission scanning electron microscopy. The electrical characterization is performed with a four-point probe and a multi tester. The microstructure characterization shows that an electrode with excellent attachment to the substrate and no surface cracks at weight ratios above 0.5. The electrical characterization results show that the sheet resistance is <$70{\Omega}/sq$ and the interface resistance is <$70{\Omega}$ at weight ratios of 0.5 and 0.7. Therefore, a carbon paste electrode with microstructure and electrical properties similar to those of commercial carbon electrodes is proposed with an appropriate mixing ratio of NC and GF containing a CB solvent and $ZrO_2$.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.28
no.5
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pp.276-288
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1995
A nickel mesh and an expanded nickel sheet were used as a current collector for supporting active materials of cathode in rechargeable batteries, while a porous nickel substrate was extensively studied because of its 3-dimensional structure which has high capabilities for active materials and current collection. Optimum coating conditions were studied by SEM and two step d. c. constant current electrolysis for the graphite coating and electro-plated nickel on an urethane substance which was highly porous and 3-dimensional structure. The density and the porosity of nickel support obtained by using two step current density and 80 ppi urethane substance were 0.38∼0.40 g /㎤ and 94∼96%, respectively. It was possible to fabricate a highly porous and good packable nickel substrate using two step current density and surfactants at sulfamic acid nickel plating bath.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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v.4
no.3
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pp.113-118
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1980
Stresses were calculated for finite-width orthotropic laminates with a circular hole and remote uniaxial loading using a two-dimensional finite-element analysis with both uniform stress and uniform displacement boundary conditions. Five different laminates were analyzed: quasi-isotropic [0.deg./.+-.45.deg./90.deg.].$\_$s/, 0.deg., 90.deg., [0.deg./90.deg.]$\_$s/, and [.+-.45.deg.]$\_$s/, Computed results are presented for selected combinations of hole diameter-sheet-width ratio d/w and length-to width ratio L/w. For small L/w values, the stress-concentration factors K$\_$tn/ were significantly different for the uniform stress and uniform displacement boundary conditions. Typically, for the uniform stress conditions, the K$\_$tn/ values were much larger than for the infinite-strip reference conditions; however, for the uniform displacement conditon, they were only slighty smaller than for this reference. The results for long strips are also presented as width-correction factor. For d/w.leg.33, these width-correction factors are nearly equal for all five laminates.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.27
no.4
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pp.527-533
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1990
Zone-melting recrystallization (ZMR) system using two graphite heaters(a stationary sheet and a narrow movable bar) was constructed and implemented in recrystallization op Si films on insulating layers. The recystallized Si films were examined by Nomarski contrast optical microscopy after Dash etching, transmission electron diffraction pattern, and x-ray diffraction. With optimum conditions of process parameters(input powers of the bottom and upper heater, scanning speed of the upper heater, and the gap between sample and upper heater), the recrystallized Si layer has a (100) texture, but contains many subboundaries. The subgrains are misoriented by < 0.5\ulcorner and the average spacing between subboundaries is about 25\ulcorner.
We have studied the temperature dependence on the growth and structure of carbon nanotubes using thermal chemical vapor deposition. All the carbon nanotubes have bamboo shaped multi walled structure with closed tip. The growth rate and density of carbon nanotubes increase with increasing growth temperature. The numbers of graphite sheet at the wall increase with increasing growth temperature. The crystallinity of graphite sheets become enhanced at the high growth temperature.
Proceedings of the Korea Committee for Ocean Resources and Engineering Conference
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2002.05a
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pp.29-34
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2002
[ $Nb/MoSi_2-ZrO_2$ ] laminate composites have been successfully fabricated by alternately stacking $MoSi_2-ZrO_2$ powder layer and Nb sheet, followed by hot pressing in a graphite mould. The fabricating parameters were selected as hot press temperatures. The instrumented Charpy impact test was carried out at the room temperature in order to investigate the relationship between impact properties and fabricating temperatures. The interfacial shear strength between $MoSi_2-ZrO_2$ and Nb, which is associated with the fabricating temperature and the growth of interfacial reaction layer, is also discussed. The plastic deformation of Nb sheet and the interfacial delamination were macroscopically observed. The $Nb/MoSi_2-ZrO_2$ laminate composites had the maximum impact value when fabricated at 1623K, accompanying the increase of fracture displacement and crack propagation energy. The interfacial shear strength of $Nb/MoSi_2-ZrO_2$ laminate composites increased with the growth of interfacial reaction layer, which resulted from the increase of fabricating temperature. there is an appropriate interfacial shear strength for the enhancement of impact value of $Nb/MoSi_2-ZrO_2$ laminate composites. A large increase of interfacial shear strength restrains the plastic deformation of Nb sheet.
Park, Jin-Seon;Han, Gyu-Seok;Jo, Bo-Ram;Seong, Myeong-Mo
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.280.2-280.2
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2016
The graphene, a single atomic sheet of graphite, has attracted tremendous interest owing to its novel properties including high intrinsic mobility, optical transparency and flexibility. However, for more diverse application of graphene devices, it is essential to tune its transport behavior by shifting Dirac Point (DP) of graphene. So, in the following context, we suggest a method to tune structural and electronic properties of graphene using atomic layer deposition. By atomic layer deposition of zinc oxide (ZnO) on graphene using 4-mercaptophenol as linker, we can fabricate n-doped graphene. Through ${\pi}-{\pi}$ stacking between chemically inert graphene and 4-mercaptophenol, conformal deposition of ZnO on graphene was enabled. The electron mobility of graphene TFT increased more than 3 times without considerably decreasing the hole mobility, compared to the pristine graphene. Also, it has high air stability. This ZnO doping method by atomic layer deposition can be applicable to large scale array of CVD graphene TFT.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.628-628
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2013
Graphene, a single layer of graphite, has raised extensive interest in a wide scientific community for its extraordinary thermal, mechanical, electrical and other properties [1,2]. However, because of zero-band gap of graphene, it is difficult to apply for electronic applications. To overcome this problem, chemical doping is one of way to opening grahene bandgap. According to experimental results, by changing doping concentration and doping time, it is possible to control work function of graphene. We can obtain results through raman spectroscopy, UPS, Sheet resistance. Moreover, electronic properties of doped graphene were studied by making field effect transistors. We were able to control the doping concentration, dirac point of graphene and work function of graphene by formng n-type, p-type doping materials. In this research, the chemicals of diazonium salts, viologen, etc. were used for extrinsic doping.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.384-384
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2008
그라핀 기판 제작을 위해서는 그라파이트의 탈착이 가장 핵심 기술이다. 본 연구에서는 신뢰성 있는 그라핀 기판 제작을 위해서, HOPG(Highly Ordered Pyrolytic Graphite) 기판에 고농도의 이온을 주입하고, HOPG를 이형기판에 본딩한후, 후속 열처리를 통해 HOPG를 탈착시켜 그리핀을 얻는 일련의 기본 실험에 대한 결과를 보여 주고자 한다. 기대하는 효과는 고농도의 수소/산소 이온의 경우 주입된 고농도의 수소/산소가 후속 열처리동안 이동 및 뭉침현상을 통해 HOPG기판 내에 수소압력(혹은 CO2 발생)을 증가시켜 HOPG를 자르는 것을 기대하고 있다. 일차 수소이온 주입의 실험결과, 기대와는 달리 $900^{\circ}C$ 열처리에도 절단현상이 발견되지 않아서 산소이온주입에 대한 추가실험을 진행 중이다. 그라핀 본딩의 경우 그라핀의 큰 roughness로 인해 $SiO_2$만의 Fusion 본딩은 불가능함을 여러 실험을 통해 알 수 있었고, 현재 SiO2/SOG 혹은 SiO2/Fox를 이용한 본딩실험을 진행중이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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