Design and Analysis of Insulator Gate Bipolor Transistor (IGBT) with SiO2/P+ Collector Structure Applicable to 1700 V High Voltage (SiO2/P+ 컬렉터 구조를 가지는 1700 V급 고전압용 IGBT의 설계 및 해석에 관한 연구)
-
- Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
- /
- v.19 no.10
- /
- pp.907-911
- /
- 2006