본 연구에서는 기존의 SCFL(Source Coupled FET Logic)회로보다 고속 저전력 특성을 지닌 회로를 설계하였다. 설계된 SCFL을 이용하여 4:1 병렬 A/D 컨버터를 구성, 시뮬레이션 한 결과 비교기(Comparator 혹은 양자화기)는 66MHz 입력신호와 2GHz 샘플링 주파수에서 Integral Nonlinearity는 $\pm$28mV로 한계치 $\pm$68mV 보다 훨씬 작으며, ADC 설계시 150여개의 소자를 줄여 전력소비 0.43mW를 실현케 하였다.
페라이트, 비정질 코아등의 고주파 연자성재료의 고주파 자기특성 데이터를 디지타이징 방법으로 얻고, 철손 및 B-H 곡선, 투자율을 자동적으로 측정할 수 있는 고주파 자기특성측정장치를 제작하였다. 본 시스템은 교류 인가를 위한 신호발생기와 전력증폭기, 인가자장을 게측하기 위한 전류측정용 저항, H 및 B 신호를 디지타이징 (digitizing)하기 위한 대역폭 500 MHz, 샘플링속도 1 Gs/s의 디지털 오실로스코프, 시스템 제어에 사용되는 GPIB 케이블 및 퍼스널 컴퓨터로 구성되었다. 자계 H 계측을 위한 전류센서로서 저항기(resistor)와 Rogowski 코일을 비교 검토한 결과 고주파 변류기 (current transformer : 이하 CT)가 주파수 특성과 노이즈 억제효과에서 보다 우수하였다. 측정시스템에 동작자속밀도 설정, 비대칭 B-H 곡선의 보정, 구형파등의 다양한 파형지원등의 기능을 부가하였다.
Background: With volatile organic compounds (VOCs) containing aromatic and halogenated hydrocarbons such as benzene, toluene, and xylene that can adversely affect the respiratory and cardiovascular systems when a certain concentration is reached, it is important to accurately evaluate the source and the corresponding health risk effects. Objectives: The purpose of this study is to provide scientific evidence for the city of Seoul's VOC reduction measures by confirming the risk of each VOC emission source. Methods: In 2020, 56 VOCs were measured and analyzed at one-hour intervals using an online flame ionization detector system (GC-FID) at two measuring stations in Seoul (Gangseo: GS, Bukhansan: BHS). The dominant emission source was identified using the Positive Matrix Factorization (PMF) model, and health risk assessment was performed on the main components of VOCs related to the emission source. Results: Gasoline vapor and vehicle combustion gas are the main sources of emissions in GS, a residential area in the city center, and the main sources are solvent usage and aged VOCs in BHS, a greenbelt area. The risk index ranged from 0.01 to 0.02, which is lower than the standard of 1 for both GS and BHS, and was an acceptable level of 5.71×10-7 to 2.58×10-6 for carcinogenic risk. Conclusions: In order to reduce the level of carcinogenic risk to an acceptable safe level, it is necessary to improve and reduce the emission sources of vehicle combustion and solvent usage, and eco-car policies are judged to contribute to the reduction of combustion gas as well as providing a response to climate change.
Although the yellow mealworm (Tenebrio molitor L.) is a promising alternative protein source, the effects of processing conditions on functional properties are unclear. In this study, a protein extract of yellow mealworm larvae (PEYM) was subjected to different heat temperature ($55^{\circ}C$, $75^{\circ}C$, and $95^{\circ}C$) with different time (20, 40, and 60 min) to evaluate the functional properties and protein oxidation. Different heat temperature treatment significantly affected the exposure of surface hydrophobicity of the proteins and protein molecule aggregation, which reached maximum levels at $95^{\circ}C$ for 60 min. Protein oxidation was inversely proportional to the temperature. Both the highest carbonyl value (1.49 nmol/mg protein) and lowest thiol value (22.94 nmol/mg protein) were observed at $95^{\circ}C$ for 60 min. The heating time-temperature interaction affected several functional properties, including solubility, emulsifying potential, and gel strength (GS). Solubility decreased near the isoelectric point (pH 5 to 6). As the temperature and heating time increased, emulsifying properties decreased and GS increased. The oil absorption capacity and foaming properties decreased and the water absorption capacity increased. These results confirmed that PEYM is a suitable source of proteins for processing and applications in the food industry.
1973년(年) 7월(月) 서울특별시내(特別市內) Smoke통닭 공장(工場)에서 얻은 이병닭 폐(肺)에서 Aspergilli를 분리(分離)할 수 있었고 또 C-source 및 N-source의 배양조건(培養條件)을 실험(實驗)한 결과(結果) 다음과 같은 결론(結論)을 얻었다. 1. Aspergillus fumigatus group에 속(屬)한 1 strain을 분리(分離) 하였다. 2. 분리용(分離用) 배지(培地)로서는 Czapek agar에 누에, 메주를 4g씩 첨가(添加)한 것이 과거 Austuwick(1962)가 보고한 2% malt extract agar medium보다 양호하였다. 3. 배양(培養)에 있어서 C-source는 종류(種類)와 양(量)에 따라 생장율과 sporulation의 차(差)가 많았고 20%에서 생장율이 떨어겼다. N-source에서는 종류(種類)에 따라 생장율의 차가 생기나 양(量)에 따라서는 생장율의 차(差)가 거의없고 다만 mycelium과 sporulation에서 차(差)가 생겼다.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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제32권8호
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pp.1263-1268
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2008
In this paper, the low noise power amplifier for GaAs FET ATF-10136 is designed and fabricated with active bias circuit and self bias circuit. To supply most suitable voltage and current, active bias circuit is designed. Active biasing offers the advantage that variations in the pinch-off voltage($V_p$) and saturated drain current($I_{DSS}$) will not necessitate a change in either the source or drain resistor value for a given bias condition. The active bias network automatically sets a gate-source voltage($V_{gs}$) for the desired drain voltage and drain current. Using resistive decoupling circuits, a signal at low frequency is dissipated by a resistor. This design method increases the stability of the LNA, suitable for input stage matching and gate source bias. The LNA is fabricated on FR-4 substrate with active and self bias circuit, and integrated in aluminum housing. As a results, the characteristics of the active and self bias circuit LNA implemented more than 13 dB and 14 dB in gain, lower than 1 dB and 1.1 dB in noise figure, 1.7 and 1.8 input VSWR at normalized frequency $1.4{\sim}1.6$, respectively.
In this work, N-LDMOSFET(Lateral Double diffused MOSFET) was designed and fabricated on SOI(Silicon-On-Insulator) substrate, for such applications as motor controllers and high voltage switches, fuel injection controller systems in automobile and SSR(Solid State Rexay)etc. The LDMOSFET was designed to overcome the floating body effects that appear in the conventional thick SOI MOS structure by adding p+ region in source region. Also, RESURF(Reduced SURface Field) structure was proposed in this work in order to reduce a large on-resistance of LDMOSFET when operated keeping high break down voltage. Breakdown voltage was 268v in off-state ($V_{GS}$=OV) at room temperature in $22{\mu}m$ drift length LDMOSFET. When 5V of $V_{GS}$ and 30V of $V_{DS}$ applied, the on resistance(Ron), the transcon ductance($G_m$) and the threshold voltage($V_T$) was 1.76k$\Omega$, 79.7uA/V and 1.85V respectively.
본 연구는 산화물반도체트랜지스터의 터널링 현상을 살펴보기 위해서 게이트 절연막으로서 SiOC 박막을 사용하고 채널층으로 IGZO를 이용하여 트랜지스터를 제작 하였다. SiOC 박막은 분극이 작아질수록 비정질특성이 우수해지면서 절연특성이 좋아진다. SiOC 게이트 절연막과 채널 층 사이의 계면에 존재하는 접합특성은 SiOC의 분극특성에 따라서 달려졌다. 드레인소스 전류($I_{DS}$)와 게이트소스 전압($V_{GS}$)의 전달특성은 분극이 낮은 SiOC를 사용할 경우 양방향성 전달특성이 나타나고 분극이 높은 SiOC 게이트 절연막을 사용할 경우 단방향성 전달 특성이 나타났다. 터널링에 의한 양방향성 트랜지스터의 경우 바이어스 인가 전압이 낮은 ${\pm}1V$의 영역에서 쇼키접합을 나타냈었지만 트래핑효과에 의한 단방향성 트랜지스터의 경우 오믹접합 특성을 나타내었다. 특히 양방향성 트랜지스터의 경우 터널링 현상에 의하여 on/off 스위칭 특성이 개선되었다.
Plasmodiphora brassicae에 의해 발생하는 뿌리혹병은 전세계 십자화과 작물에 많은 피해를 주고 있다. 본 연구에서는 우리나라 여러 지역으로부터 10개의 뿌리혹병균을 채집하여 Williams 판별품종을 이용하여 레이스를 검정하고, 이들 균주에 대한 뿌리혹병 저항성(CR) 배추 품종 25개의 저항성 정도를 조사하였다. 실험한 뿌리혹병균 중 HS와 YC 균주는 레이스 2, HN1과 HN2는 레이스 4, DJ와 SS 균주는 레이스 5 그리고 GS, GN, JS 및 PC 균주는 레이스 9로 동정되었다. 시판 중인 25개 CR 배추 품종의 이들 균주에 대한 저항성을 조사한 결과, 각 균주에 대하여 25개 CR 품종은 거의 동일하게 반응하였으며, 뿌리혹병균의 레이스와 관계없이 두 종류의 반응을 나타냈다. DJ, GS, GN, HS 및 JS 등의 5개 균주에는 저항성 반응을 나타내었으며, SS, HN1, HM2, PC 및 YC 균주에 의해서는 감수성 품종과 동일한 정도의 뿌리혹병 발생을 보였다. 이상의 결과로부터 우리나라 포장에는 CR 배추를 감염하는 뿌리혹병균이 이미 존재하고 있으며, 실험한 CR 품종들의 저항성 유전자원은 매우 단순하다고 생각되었다. 또 동일한 레이스의 뿌리혹병균도 CR 품종에 다른 반응을 나타내므로 CR 배추 품종의 저항성 유전자는 Williams 판별 기주의 저항성 유전자와 다르다고 추정된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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