• 제목/요약/키워드: GE-array

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Reliability Analysis of the 300 W GaInP/GaAs/Ge Solar Cell Array Using PCM

  • Shin, Goo-Hwan;Kwon, Se-Jin;Lee, Hu-Seung
    • Journal of Astronomy and Space Sciences
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    • 제36권2호
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    • pp.69-74
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    • 2019
  • Spacecraft requires sufficient power in orbit to perform its mission. So as to comply with system requirements, the sufficient power should be made by a solar cell array by photovoltaic power conversion. A life time of space program depends on its mission considering parts reliability and parts grade. Based on the mission life time, power equipment might be designed to meet specifications. In outer space, solar cell array might generate the dc power by photovoltaic conversion effects and GaInP/GaAs/Ge solar cells are used in this study. Space programs that require more than five years should select parts for high reliability applications. Therefore, reliability analysis for high reliability applications should be performed to check its fulfilment of the requirements. This program should also require more five years for its mission and we performed its analysis using parts count method (PCM) for its reliability. Finally, we performed reliability analysis and obtained quantitative figures found out 99.9%. In this study, we presented the reliability analysis of the 300 W GaInP/GaAs/Ge solar cell array.

GaInP/GaAs/Ge 3중 접합 태양전지 배열기의 정지궤도에서 전력 성능 평가 (GaInP/GaAs/Ge Triple Junction Solar Array Power Performance Evaluation on Geostationary Orbit)

  • 구자춘;박희성;이나영;천이진;차한주;문건우;나성웅
    • 한국항공우주학회지
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    • 제42권12호
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    • pp.1057-1064
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    • 2014
  • 정지궤도위성은 다수의 탑재체를 하나의 위성체 플랫폼에 탑재하고 2010년 6월 26일에 발사되었다. 태양기간 동안 인공위성에서 요구되는 전력은 태양전지 배열기 윙에서 생성된다. 태양전지는 Spectrolab사의 적층법을 사용한 RWE Space사의 Gaget 2로 명명되는 GaInP/GaAs/Ge 3중 접합 셀이다. 본 논문은 정지궤도 비행 데이터에 대한 경향을 분석한 결과를 바탕으로 설계수명 말기에서 태양전지 배열기의 전력 성능을 평가하였다. 설계수명 말기에서 예측한 태양전지 배열기의 전력 성능은 태양전지 배열기 제작사가 제공한 전력 성능과 비교하였다. 경향분석 결과를 통해 태양전지 셀은 현저한 성능감소 없이 정상적으로 동작되고 있다.

강도 3의 직교대열을 평가하기 위한 측도 (Measures for Evaluating the Orthogonal Array of Strength 3)

  • 장대흥
    • 응용통계연구
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    • 제18권3호
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    • pp.617-625
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    • 2005
  • 우리는 직교배열로서 직교계획, 즉 강도(strength)가 2인 직교배열을 주로 이용한다. 그러나, 강도 3인 직교배열은 주효과들과 2인자교호작용이 포함되는 가법모형 하에서 전체최적화(universal optimality)하다는 것이 밝혀져 있다. 그러므로 임의의 배열이 강도 3인 직교배열인가를 평가하는 측도가 필요하다. 이를 확장하면 임의의 배열이 강도 t($\ge$ 2)인 직교배열인가를 평가하는 측도를 제안할 수 있다.

가열용융 방법에 의한 Ge-BPSG 마이크로렌즈 어레이 제작 (Ge-doped Boro-Phospho-Silicate Glass Micro-lens Array Produced by Thermal Reflow)

  • 정진호;오진경;최준석;최기선;이형종;배병성
    • 한국광학회지
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    • 제16권4호
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    • pp.340-344
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    • 2005
  • 화염가수분해 증착법(FHD : Flame Hydrolysis Deposition)으로 제작된 Ge이 첨가된 BPSG(Boro-Phospho-Silicate-Glass)막의 표면을 절단톱(dicing saw)을 이용하여 일정한 깊이로 절단함으로써 각 단위 마이크로렌즈 셀들을 형성시켰다. 또한 절단된 각 단위 마이크로렌즈 셀들을 가열용융(thermal reflow) 방법을 이용하여 $1200^{\circ}C$에서 가열용응시킴으로써 직경이 $53.4{\mu}m$인 마이크로렌즈 어레이를 제작할수 있었다. 이 때 렌즈간 간격은 $70{\mu}m,$ 렌즈 두께는 약 $28.4{\mu}m$이었다. 제작된 마이크로렌즈 어레이의 형상을 이미지-프로세스로 분석하였으며. 초점거리는 $62.2{\mu}m$이었다. 본 제작방법은 일반적인 사진식각 공정을 이용한 마이크로렌즈 제작보다 간단하면서도 저렴한 비용으로 제작이 가능하다. 또한 곡률반경의 조절이 용이하고, 보다 정밀하며 다양한 마이크로렌즈 어레이를 구현할 수 있다.

병렬식 광 인터컨넥트용 멀티채널 수신기 어레이 (Multichannel Photoreceiver Arrays for Parallel Optical Interconnects)

  • 박성민
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제42권7호
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    • pp.1-4
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    • 2005
  • 본 논문에서는 병렬식 광 인터컨넥트 응용을 위한 멀티채널 광수신기 어레이를 구현한다. 0.8$\mu$m Si/SiGe HBT 공정을 이용하여 설계한 수신기 어레이는 4채널의 전치증폭기 (transimpedance amplifier 혹은 TIA)와 PIN 광다이오드를 포함하는데, TIA는 일반적인 에미터 접지 (common-emitter 혹은 CE) 입력단을 취한다. 측정결과로서, CE TIA 어레이는 3.9GHz 주파수 대역폭과 62dB$\Omega$ 트랜스 임피던스 이득, 7.SpA/sqrt(Hz) 평균 노이즈 전류 스펙트럼 밀도 및 -2SdB 채널 간 crosstalk 성능을 가지며, 4채널 전체 모듈이 40mW 전력소모를 보인다.

SiGe HBT 제작을 위한 실리콘 게르마늄 단결정 박막의 RBS 분석 (RBS Analysis on the Si0.9Ge0.1 Epitaxial Layer for the fabrication of SiGe HBT)

  • 한태현;안호명;서광열
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제17권9호
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    • pp.916-923
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    • 2004
  • In this paper, the strained Si$_{0.9}$Ge$_{0.1}$ epitaxial layers grown by a reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD) on Si (100) were characterized by Rutherford backscattering spectrometery (RBS) for the fabrication of an SiGe heterojunction bipolar transistor(HBT). RBS spectra of the ${Si}_0.9{Ge}_0.1$epitaxial layers grown on the Si substrates which were implanted with the phosphorus (P) ion and annealed at a temperature between $850^{\circ}C$ - $1000^{\circ}C$ for 30min were analyzed to investigate the post thermal annealing effect on the grown${Si}_0.9{Ge}_0.1$epitaxial layer quality. Although a damage of the substrates by P ion-implantation might be cause of the increase of RBS yield ratios, but any defects such as dislocation or stacking fault in the grown ${Si}_0.9{Ge}_0.1$ epitaxial layer were not found in transmission electron microscope (TEM) photographs. The post high temperature rapid thermal annealing (RTA) effects on the crystalline quality of the ${Si}_0.9{Ge}_0.1$ epitaxial layers were also analyzed by RBS. The changes in the RBS yield ratios were negligible for RTA a temperature between $900^{\circ}C$ - $1000^{\circ}C$for 20 sec, or $950^{\circ}C$for 20 sec - 60 sec. A SiGe HBT array shows a good Gummel characteristics with post RTA at $950^{\circ}C$ for 20 sec.sec.sec.

반응성 질소와 플라즈마 처리에 의한 문턱 스위칭 소자의 개선 (Improved Distribution of Threshold Switching Device by Reactive Nitrogen and Plasma Treatment)

  • 김동식
    • 전자공학회논문지
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    • 제51권8호
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    • pp.172-177
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    • 2014
  • 두 가지 $N_2$ 프로세스(성장 중 반응성 질소 그리고 질소 플라즈마 경화)에 의해 특별히 개선된 AsGeTeS 위에 만들어진 문턱 스위칭 소자를 제시하고자 한다. 적층과 열적 안정적인 소자 구조가 가능한 두 스텝 프로세스에서의 질소의 사용은 나노급 배열 회로의 응용에서의 스위치와 메모리 소자의 집적을 가능하게 한다. 이것의 좋은 문턱 스위칭 특성에도 불구하고 AsTeGeSi 기반의 스위치는 높은 온도에서의 신뢰성 있는 저항 메모리 적용에 중요한 요소를 가진다. 이것은 보통 Te의 농도 변화에 기인한다. 그러나 chalconitride 스위치(AsTeGeSiN)은 $30{\times}30(nm^2)$ 셀에서 $1.1{\times}10^7A/cm^2$가 넘는 높은 전류 농도를 갖는 높은 온도 안정성을 보여준다. 스위치의 반복 능력은 $10^8$번을 넘어선다. 더하여 AsTeGeSiN 선택 소자를 가진 TaOx 저항성 메모리를 사용한 1 스위치-1저항으로 구성된 메모리 셀을 시연하였다.

theta 코일을 이용한 척추용 코일의 개발

  • 이희조;김대홍;서진석;이삼현
    • 대한자기공명의과학회:학술대회논문집
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    • 대한자기공명의과학회 2002년도 제7차 학술대회 초록집
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    • pp.95-95
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    • 2002
  • 목적: 기존의 척추용 코일은 phased array 코일을 주로 많이 사용하여 왔다. Phased array 코일은 여러개의 표면 코일로 구성되어 있어 RE 자기장의 영역이 표면코일과 비슷하다. 그래서, 척추 영상을 얻기 위해서는 다른 부위의 핵 스핀을 포화시키는 불편함이 있다. 기존의 표면 코일보다 RF penetration depth가 적은 theta coil을 이용하여, 척추에 적합한 코일을 개발했다. 대상 및 방법: theta coil을 길게 제작하여 척추에 적합하게 하였다. 코일의 길이는 약 35cm, 폭은 16cm이다. 수신 전용으로 하기 위해서, 다이오드를 이용하여 detune 회로를 포함하였다. 기존의 코일과 비교하기 위해 theta coil과 GE사의 척추용 코일로부터 각각 영상을 획득하였다.

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Si 모재 위의 $Si_xGe_{1-x}$ 박막에서 부정합 전위와 임계두께에 관한 연구 (Study on Misfit Dislocations and Critical Thickness in a $Si_xGe_{1-x}$ Epitaxial Film on a Si Substrate)

  • 신정훈;김재현;엄윤용
    • 대한기계학회:학술대회논문집
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    • 대한기계학회 2001년도 춘계학술대회논문집A
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    • pp.298-303
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    • 2001
  • The critical thickness of an epitaxial film on a substrate in electronic or optoelectronic devices is studied on the basis of equilibrium dislocation analysis. Two geometric models, a single dislocation and an array of dislocations in heteroepitaxial system, are considered respectively to calculate the misfit dislocation formation energy. The isotropic linearly elastic stress fields for the models are obtained by means of complex potential method combined with alternating technique, and are used for calculating the formation energies. As a result, the effect of elastic mismatch between film and substrate on critical thickness is presented and $Si_xGe_{1-x}/Si$ epitaxial structure is analyzed to predict the critical thickness with varying germanium concentration.

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Array 검출 Module 신호처리 System의 Digital Signal Processing Board 개발 (Development of Digital Signal Processing Board for Detection Array Module Signal Processing System)

  • 박지오;성소영;김영길
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2017년도 춘계학술대회
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    • pp.375-378
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    • 2017
  • 전 세계적으로 해운물류 안전 보안체계가 강화됨에 따라 국가물류보안 체계 구축을 위한 해운물류안전 보안 핵심기술 개발이 이루어지고 있다. 또한 미국에서 2018년 시행예정인 컨테이너 사전 100% 전수검사에 대응하기 위한 컨테이너 검색기의 핵심구성 요소인 Array 검출 System의 국산화 개발이 필요하다. 본 논문에서는 현재 해외제품을 대체할 Array 검출 system 중 자체 개발한 Digital Signal Processing Board에 대한 연구를 제안하고자 한다.

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