• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.135-135
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• 2013

The electronic and adsorption structures of Mg and p-tert-butylcalix[4]arene (p-TBCA) adsorbed onto a Ge(100) surface under a variety of sample conditions were characterized using high-resolution photoemission spectroscopy (HRPES) and their corresponding DFT calculation results. Interestingly, after 0.10 ML p-TBCA molecules had been adsorbed onto a Ge(100) surface, subsequent adsorption of a small amount of metallic Mg (~0.10 ML) resulted in the formation of a capped structure inside the pre-adsorbed p-TBCA molecules. The adsorption structures resulting from further deposition of Mg (~0.50 ML) onto the Ge(100) surface were monitored based on the surface charge state and Mg 2s core level spectrum. Work function measurements clearly indicated the electronic structures of the Mg and p-TBCA adsorbed onto the Ge(100) surface. Moreover, we confirmed that three different adsorption structures are experimentally favorable at room temperature through DFT calculation results.

• ETRI Journal
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• 제25권3호
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• pp.203-209
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• 2003

This paper reports on our investigation of DC and RF characteristics of p-channel metal oxide semiconductor field effect transistors (pMOSFETs) with a compressively strained $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ channel. Because of enhanced hole mobility in the $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ buried layer, the $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ pMOSFET showed improved DC and RF characteristics. We demonstrate that the 1/f noise in the $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ pMOSFET was much lower than that in the all-Si counterpart, regardless of gate-oxide degradation by electrical stress. These results suggest that the $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ pMOSFET is suitable for RF applications that require high speed and low 1/f noise.

• 한국자기학회지
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• 제19권4호
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• pp.133-137
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• 2009

GaAs 기판 위에 증착된 $MnGeP_2$ 박막이 상온에서 강자성을 보임을 자기화 및 자기저항 측정을 통해 확인하였다. 강자성-상자성 전이 온도는 320 K 정도였고, 항자력장은 5, 250, 300 K에서 각각 3870, 1380, 155 Oe 정도였다. 전하 운반자가 스핀 편극되어 있음을 암시하는 비정상 홀 효과를 관측하였다. 자기장에 따른 자기저항과 홀 저항을 측정할 때 이력곡선이 나타남을 확인하였다. $MnGeP_2$ 박막과 n-형 GaAs 기판 사이에 I-V 측정을 통해 전형적인 p-n 다이오드 특성을 보임을 확인하였다.

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권4호
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• pp.86-92
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• 1999

SiGe을 이용한 p형 전계 효과 트랜지스터의 전류 구동 능력 향상을 위하여 이중 δ도핑층을 이용한 MESFET을 설계하고 시뮬레이션을 통하여 전기적 특성의 개선을 확인하였다. 두 δ도핑층 사이의 도핑 농도가 낮은 분리층에 SiGe층을 위치시키면 양자 우물이 형성되어 δ도핑층에서 넘쳐 나온 정공이 Si 채널의 경우보다 더 많아져 전류 구동 능력이 크게 향상된다. δ도핑층 사이의 SiGe층의 두께는 0∼300Å, Ge 구성비는 0∼30%의 범위에서 변화시켜 SiGe 두께 200Å, Ge 구성비 30%일 때 이중 δ도핑 Si 채널 MESFET에 비해 최대 45% 이상 개선될 수 있음을 확인하였다.

• 한국식품영양과학회지
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• 제22권6호
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• pp.702-708
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• 1993

Bromobenzene투여시 GE-132의 해독기전을 추구할 목적으로 epoxide생성계와 해독계 효소 및 glutathione 관련 효소계의 활성에 GE-132가 어떤 영향을 주는가를 검토하여 다음과 같은 실험 결과를 얻었다. GE-132(100mg/kg)의 전처리로 cytochrome P-450, amino=pyrine demethylase 및 aniline hydroxylase와 해독계 효소인 epoxide hydrolase활성에는 영향을 미치지 않았으나, glutathions S-transferase활성은 증가 하였다. Bromobenzene(460mg/kg)을 주사하였을때 glutathione S-transferase의 활성이 현저히 감소되던 것이 GE-132의 투여로 대조군 수준으로 증가되었다. 조직내 glutathione의 함량변동도 bromobenzene 투여로 감소되던 것이 GE-132의 전처리로 bromobenzene단독 투여군보다 증가되었으며 ${\gamma}-glutamylcystein$ synthtase의 활성은 각 실험군에서 별다른 영향이 없는데 비해 glutathione reductase의 활성은 bromobenzene투여로 억제 되던 것이 GE-132의 전처리로 대조군 수준으로 활성을 유지하고 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제8권11호
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• pp.1026-1030
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• 1998

Fe기 비정질합금에서 과냉각액체영역의 유무에 따른 열적 안정성을 비교평가하기 위하여 결정화온도 이하에서 유리천이가 나타나지 않는 $Fe_{80}P_6C_{12}B_{12}$합금과 52K의 과냉각 액체영역을 갖는 $Fe_{73}P_{11}C_6B_4AI_4Ge_2$ glassy 합금을 열분석하였다. 등온결정화에 의한 열분석의 결과 JMA plot의 n값은 $Fe_{80}P_6C_{12}B_{12}$합금이 1.8-2.2이고 과냉각 액체영역을 갖는 $Fe_{73}P_{11}C_6B_4AI_4Ge_2$ 합금이 2.5-4.0으로서 후자의 경우가 열적으로 안정하였다. 결정화의 양상은 $Fe_{80}P_6C_{12}B_{12}$ 합금의 경우 핵생성속도가 일정할 때 확산율속에 의해 결정입자가 성장하는 반면 $Fe_{73}P_{11}C_6B_4AI_4Ge_2$ glassy합금의 경우 핵생성속도가 일정할 때 계면입자가 성장한다. $Fe_{73}P_{11}C_6B_4AI_4Ge_2$ 합금 및 $Fe_{80}P_6C_{12}B_{12}$ 합금의 결정화에 필요한 활성화에너지, 핵생성 및 성장에 필요한 활성화에너지는 각각 371, 353kJ/mol, 그리고 324, 301KJ/mol 및 301, 273KJ/mol로서 과냉각 액체영역을 갖는 합금이 열적으로 안정하다고 판단된다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 춘계종합학술대회
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• pp.682-684
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• 2003

본 논문에서는 p형 SiGe pMOSFET를 디자인하고 온도에 따른 전기적 특성들을 분석하였다. 채널 길이는 0.9$\mu\textrm{m}$로 하였으며, 온도는 300K와 77K일 때의 특성을 조사하였다. 게이트 전압이 -1.5V로 인가되었을 때, 실온에서는 -0.97V의 문턱전압 값을 얻었으나 77K에서는 -1.15V의 문턱전압 값을 얻었다. 이것은 실온에서의 Si pMOSFET가 갖는 문턱전압 값(-1.36V)보다 동작특성이 우수함을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권3호
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• pp.474-477
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• 2003

본 논문에서는 p형 SiGe pMOSFET를 디자인하고 온도에 따른 전기적 특성들을 분석하였다. 채널길이는 0.9$\mu\textrm{m}$로 하였으며, 온도는 300K와 77K일 때의 특성을 조사하였다. 게이트 전압이 -1.5V로 인가되었을 때, 실온에서는 -0.97V의 문턱전압 값을 얻었으나 77K에서는 -1.15V의 문턱전압 값을 얻었다. 이것은 실온에서의 Si pMOSFET가 갖는 문턱전압 값(-1.36V)보다 동작특성이 우수함을 알 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.55-56
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• 2006

We investigated the diffraction grating efficiency by the DPSS laser beam wavelength to improve the diffraction efficiency on AsGeSeS & Ag/ AsGeSeS thin film. Diffraction efficiency was obtained from DPSS(532nm)(P:P)polarized laser beam on AsGeSeS, Ag/ AsGeSeS and AsGeSeS/Ag/AsGeSeS thin films. As a result, for the laser beam intensity, 0.24 mW, single AsGeSeS thin film shows the highest value of 0.161% diffraction efficiency at 300 s and for 2.4 mW, it was recorded with the fastest speed of 50 s, which the diffraction grating forming speed is faster than that of 0.24 mW beam. Ag/ AsGeSeS and AsGeSeS/ Ag/ AsGeSeS multi-layered thin film also show the faster grating forming speed at 2.4 mW and higher value of diffraction efficiency at 0.24 mW.

• 한국약용작물학회지
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• 제4권2호
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• pp.101-108
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• 1996

강활의 캘러스 및 식물체 중 Ge 함량에 미치는 $GeO_2$와 구연산의 영향을 구명하기 위하여 식물체 부위별로 캘러스를 유도하고 캘러스 증식시 $GeO_2$와 구연산을 농도별로 처리하여 증식율 및 캘러스의 Ge 함량을 조사하였으며 강활을 pot에 재배하여 $GeO_2$와 구연산을 농도별로 시용하여 식물체 중의 Ge 함량을 조사한 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 캘러스 유도는 소엽병 > 엽병 > 소엽 순으로 잘 되었고, 생장 조절제는 2, 4 - D 1. 0ppm에서 가장 잘되었다. 2. 캘러스 증식에는 2, 4 - D 농도별로는 2, 4 - D 2. 0ppm에서, 2, 4 - D 2. 0ppm이 첨가된 배지에서 $GeO_2$ 농도별로는 $GeO_2$ 2. 5ppm에서 2, 4 - D 2. 0ppm과 $GeO_2$ 2. 5ppm 첨가한 배지에서 구연산 농도와 pH별로는 구연산 0. 1, 1mM, pH 6에서 캘러스 증식이 가장 좋았다. 3. 캘러스 중 Ge 함량은 $GeO_2$ 시용량이 20ppm까지는 많을수록 높았고, 구연산과 pH 별로는 구연산은 0. 1mM, pH는 낮을수록 Ge 함량이 높았다. 4. 식물체 부위별 Ge 함량은 잎 > 뿌리 > 줄기 순으로 함량이 높았으며, $GeO_2$ 시용으로 Ge 함량이 높았고, 구연산 시용은 구연산 1mM에서 Ge 함량(含量)이 가장 높았고, 10mM 이상에서는 오히려 감소되었다. 5. $GeO_2$ 시용량 증가는 캘러스나 식물체 중 $GeO_2$ 함량을 증가시키나 기타 무기성분 함량은 감소되는 경향이었고 구연산 $0.\;1{\sim}1mM$ 시용으로 약간 증가되는 경향이다.