Electrical Properties of MOS Capacitors and Transistors with in-situ doped Amorphous Si Gate (증착시 도핑된 비정질 Si 게이트를 갖는 MOS 캐패시터와 트랜지스터의 전기적 특성)
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- Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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- v.31A no.6
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- pp.107-116
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- 1994