Recently, Flash Memory Drives are one of the best media to support portable and desktop computers' storage devices. Their features include non-volatility, low power consumption, and fast access time for read operations, which are sufficient to present flash memories as major database storage components for desktop and server computers. However, we need to improve traditional storage management schemes based on HDD(Hard Disk Drive) and RAID(Redundant Array of Independent Disks) due to the relatively slow or freezing characteristics of write operations of SSDs, as compared to fast read operations. In order to achieve this goal, we propose a new storage management scheme called Hetero-Mirroring based on traditional HDD mirroring scheme. Hetero-Mirroring-based storage management improves RAID-1 operation performance by balancing write-workloads and delaying write operations to avoid SSD freezing.
노말프로판올과 노말데칸의 가연성혼합물의 하부인화점을 Tag개방식 장치를 이용하여 측정하였다. 실험결과 인화점과 조성의 관계에서 혼합물 보다 낮은 인화점을 보여주었다. 노말 프로판올의 몰분율 0.71에서 $27^{\circ}C$였으며, 노말프로판올의 인화점은 $28^{\circ}C$였다. 실험 결과는 이상용액을 근거로 한 예측 값과 활동도계수 예측식인 van Laar식을 사용하여 계산된 값을 각각 비교하였다. 이상용액 개념을 이용한 예측 값은 실험 값과 차이를 보였으나, van Laar 식에 의한 예측 값은 실험 값과 일치하였으며, van Laar식에 의한 예측 값과 실험 값은 평균 $0.83^{\circ}C$차이를 보였다. 본 연구에서 제시된 방법론은 가연성물질에 대해 안전한 저장 및 취급하는 조건의 결정과 같은 화학공정 설계의 본질적 안전 설계에 적용할 수 있다.
본 논문은 플래쉬 메모리 접근시 erase 횟수를 줄이기 위하여 섹터 매핑 기법을 적용한 FTL (Flash Translation Layer) 알고리듬을 제안한다. 블록 매핑 기법을 적용한 기존의 알고리듬에 비하여 제안한 알고리듬은 섹터 단위의 매핑 테이블을 활용하여 데이터를 억세스하는 섹터 매핑 기법을 사용하여 erase 횟수를 줄임으로써 전체적인 메모리 억세스 시간을 줄이고 플래쉬 메모리의 수명을 연장시킬 수 있다. 제안한 알고리듬에서는 write를 위한 빈 공간이 없을 때 erase 횟수가 가장 적은 블록을 victim 블록으로 선택함으로써 wear-leveling을 구현하였다. 제안한 알고리듬을 검증하기 위하여 MP3 재생기, 동영상 재생기, 웹 브라우저, 문서 편집기의 어플리케이션에 대해 실험을 수행하였다. 제안한 알고리듬을 사용하였을 때 기존의 BAST, FAST 알고리듬과 비교하여 72.4%, 61.9%의 erase 횟수가 감소하였다.
일반적으로 MLC NAND 플래시 저장장치는 SLC NAND 플래시 기반의 장치에 비해 정보 신뢰성이 낮은 것으로 평가된다. MLC 플래시는 SLC 플래시 보다 약 1000배 이상의 RBER (raw bit error rate)을 갖는다고 평가되나 최근 Google 데이터 센터에서 수집된 결과로부터 수행된 연구를 통해 실제 RBER은 이보다 훨씬 낮은 것으로 확인되었다. 이런 연구 결과를 바탕으로 우리는 MLC 플래시의 여유 저장 공간과 SSD 내부에 존재하는 Firmware 층을 활용하여 하드웨어적 구조 복잡성의 증가 없이 정보 신뢰성을 향상시키는 방법인 IDDD (in drive data duplication) 방식을 고안하였고 실 측정결과와 계산을 통해 MLC 플래시의 정보 신뢰성이 SLC 플래시 대비 상당히 높아질 수 있음을 보였다. 우리가 연구한 총 48개 상황 중 44개의 상황에서 SLC 플래시의 RBER이 MLC 플래시보다 낮았음에도 불구하고 IDDD방식을 적용함으로써 48개의 모든 상황에서 MLC 플래시의 RBER이 SLC 플래시보다 낮으며, 43개의 상황에서 UBER (uncorrectable bit error rate) 또한 SLC 플래시 대비 낮음을 보였다.
The widely used low-cost design methodology for IoT devices is very popular. In such a networked device, memory is composed of flash memory, SRAM, DRAM, etc., and because it processes a large amount of data, memory design is an important factor for system performance. Therefore, each device selects optimized design factors such as function, performance and cost according to market demand. The design of a memory architecture available for low-cost IoT devices is very limited with the configuration of SRAM, flash memory, and DRAM. In order to process as much data as possible in the same space, an architecture that supports parallel processing units is usually provided. Such parallel architecture is a design method that provides high performance at low cost. However, it needs precise software techniques for instruction and data mapping on the parallel architecture. This paper proposes an instruction/data mapping method to support optimized parallel processing performance. The proposed method optimizes system performance by actively using hardware and software parallelism.
화학공정 설계에서 공정의 위험성 판단은 중요한 부분이다. 실제 화학공정에 사용되는 가연성 물질의 화재 및 폭발 위험성을 판단하는 인화점에 대한 예측은 그 방법 중의 하나이다. 본 연구에서는 2성분계 가연성 물질의 인화점에 대한 실험 자료를 이용하여 다변량 통계 분석법(partial least squares(PLS), quadratic partial least squares(QPLS))을 이용하여 2성분계 혼합물의 인화점을 예측하였고, 기존의 Raoult의 법칙과 Van Laar 식에 의한 예측값과 비교해 보았다.
This paper presents an equalizer reducing CCI(cell-to-cell interference) in MLC NAND flash memory. High growth of the flash memory market has been driven by two combined technological efforts that are an aggressive scaling technique which doubles the memory density every year and the introduction of MLC(multi level cell) technology. Therefore, the CCI is a critical factor which affects occurring data errors in cells. We introduced an equation of CCI model and designed an equalizer reducing CCI based on the proposed equation. In the model, we have been considered the floating gate capacitance coupling effect, the direct field effect, and programming methods of the MLC NAND flash memory. Also we design and verify the proposed equalizer using Matlab. As the simulation result, the error correction ratio of the equalizer shows about 20% under 20nm NAND process where the memory channel model has serious CCI.
본 연구에서는 플래시 기반 X-인터넷 프레임워크와 이를 위한 API를 개발하였다. 개발된 플래시기반의 X-인터넷 프레임워크는 웹 어플리케이션에 비하여 동적인 사용자 인터페이스를 확보할 수 있고 개발기간을 단축할 수 있다. 개발된 x-인터넷 프레임워크는 본 연구에서 개발된 API 와 상용 Flash 재생기를 사용하기 때문에 별도의 서버모듈이 필요하지 않다. 연구 분석 결과, 개발된 X-인터넷 프레임은 네트워크 트래픽, 저렴한 개발비용, 동적인 사용자 인터페이스 구현과 같은 장점이 있는 것을 알 수 있었으며 현재의 개발자들과 익숙한 개발환경을 취하였기 때문에 다양한 응용프로그램 개발에 유용하게 활용될 수 있을 것이다.
This study proposes a novel double-base log encoder (DBLE) for flash Analog-to-Digital converters (ADCs). Analog inputs of flash ADCs are represented in logarithmic number systems with bases of 2 and 3 at the outputs of DBLE. A look up table stores the sets of exponents of base 2 and 3 values. This algorithm improves the performance of a DSP (Digital Signal Processor) system that takes outputs of a flash ADC, since the double-base log number representation does multiplication operation easily within negligible error range in ADC. We have designed and implemented 6 bits DBLE implemented with ROM (Read-Only Memory) architecture in a $0.18\;{\mu}m$ CMOS technology. The power consumption and speed of DBLE are better than the FAT tree and binary ROM encoders at the cost of more chip area. The DBLE can be implemented into SoC architecture with DSP to improve the processing speed.
The fire and explosion properties necessary for waste, safe storage, transport, process design and operation of handling flammable substances are lower explosion limits(LEL), upper explosion limits(UEL), flash point, AIT( minimum autoignition temperature or spontaneous ignition temperature), fire point etc., An accurate knowledge of the combustion properties is important in developing appropriate prevention and control measures fire and explosion protection in chemical plants. In order to know the accuracy of data in MSDSs(material safety data sheets), the flash point of phenol was measured by Setaflash, Pensky-Martens, Tag, and Cleveland testers. And the AIT of phenol was measured by ASTM 659E apparatus. The explosion limits of phenol was investigated in the reference data. The flash point of phenol by using Setaflash and Pensky-Martens closed-cup testers were experimented at $75^{\circ}C$ and $81^{\circ}C$, respectively. The flash points of phenol by Tag and Cleveland open cup testers were experimented at $82^{\circ}C$ and $89^{\circ}C$, respectively. The AIT of phenol was experimented at $589^{\circ}C$. The LEL and UEL calculated by using Setaflash lower and upper flash point value were calculated as 1.36vol% and 8.67vol%, respectively. By using the relationship between the spontaneous ignition temperature and the ignition delay time proposed, it is possible to predict the ignition delay time at different temperatures in the handling process of phenol.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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