• Journal of Magnetics
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• 제11권1호
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• pp.16-19
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• 2006

$2-\mu{m}$ thick GaN epilayer was prepared, and 80 KeV $Co^{-}$ ions with a dose of $3X10^{16}\;cm^{-2}$ were implanted into GaN at $350^{\circ}C$. The implanted samples were post annealed at $700^{\circ}C$. We have investigated the magnetic and structural properties of Co ion-implanted GaN by various measurements. HRXRD results did not show any peaks associated with second phase formation and only the diffraction from the GaN layer and substrate structure were observed. SIMS profiles of Co implanted into GaN before and after annealing at $700^{\circ}C$ have shown a projected range of $\sim390\AA$ with 7.4% concentration and that there is little movement in Co. AFM measurement shows the form of surface craters for $700^{\circ}C$-annealed samples. The magnetization curve and temperature dependence of magnetization taken in zero-field-cooling (ZFC) and field-cooling (FC) conditions showed the features of superparamagnetic system in film. XPS measurement showed the metallic Co 2p core levels spectra for $700^{\circ}C$-annealed samples. From this, it could be explained that magnetic property of our films originated from Co magnetic clusters.

• 유변학
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• 제11권2호
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• pp.128-134
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• 1999

본 논문에서는 자성입자인 막대 모양의 $\gamma$-$Fe_{2}O_{3}$ 와 $CrO_2$ 분산액에 대한 유변학적 거동을 조사하였다. 특히 입자의 농도와 전단속도의 변화에 따른 자성 입자 분산액의 점도 거동을 살펴봄으로써 분산액의 미세구조 상태 및 입자의 배향에 영향을 주는 입자의 모양이 점성 소모에 미치는 영향을 조사였는데, 평균장(mean field) 이론과 Mooney식을 통해 분산액의 점도 거동을 해석하였다. 본 연구에서 사용한 모든 자성입자 분산액의 본성 점도가 희박 분산액의 수력학 이론으로부터 얻는 값보다 큰 것을 알 수가 있었는데, 이러한 사실은 분산액내에 자성입자의 고유한 인력에 기인하여 분산 용매를 내포하고 있는 덩어리(flocs)의 존재를 뒷받침하고 있다.

• 한국항행학회논문지
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• 제21권4호
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• pp.325-331
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• 2017

GPS 안전성에 대한 문제가 제기 되면서 ADS-B 대안 기술로 다변측정감시(MLAT; multilatration)시스템이 각광 받고 있다. MLAT는 항공기에 탑재된 트랜스폰더에서 송출되는 Mode A,C,S는 물론 1090ES(ADS-B) 신호를 지상의 여러 개의 수신기로 수신하여 항공기를 탐지하고 위치를 계산하며, GPS를 이용하는 ADS-B 수준의 위치 정밀도를 갖고 있으면서도 ADS-B와 달리 독립적으로 표적 위치를 계산 할 수 있다. 전 세계적인 환경변화에 따라 우리나라에서도 공항지역 이동차량 및 항공기 감시용으로 지역다변측정(LAM; local area multilateration)감시 시스템 개발 하고 있다. LAM시스템에 대한 지상 필드 시험을 태안 비행장에서 진행하고 있다. 본 논문에서는 태안 비행장에서 필드 시험 중인 MLAT의 위치 정확도를 확인하기 위하여, 지상에서 고정된 타겟과 움직이는 타겟에 대하여 MLAT 트렌스폰더와 RTK Rover를 설치하여 MLAT의 위치 정보와 RTK의 위치정보를 확인하여, RTK에서 보정된 위치 정보와 MLAT에서 계산되어진 위치정보를 비교하여 성능을 분석 하였다.

• 천문학회지
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• 제36권spc1호
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• pp.93-99
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• 2003

Various attempts have been made to explain the: pronounced seasonal and universal time (UT) variations of geomagnetic indices. As one of such attempts, we analyze the hourly-averaged auroral electroject indices obtained during the past 20 years. The AU and AL indices maximize during summer and equinoctial months, respectively. By normalizing the contribution of the solar conductivity enhancement to the AU index, or to the eastward electrojet, it is found that the AU also follows the same semiannual variation pattern of the AL index, suggesting that the electric field is the main modulator of the semiannual magnetic variation. The fact that the variation pattern of the yearly-mean AU index follows the mirror image of the AL index provides another indication that the electric field is the main modulator of magnetic disturbance. The pronounced UT variations of the auroral electrojet indices are also noted. To determine the magnetic activity dependence, the probability of recording a given activity level of AU and AL during each UT is examined. The UT variation of the AL index, thus obtained, shows a maximum at around 1200-1800 UT and a minimum around 0000-0800 UT particularly during winter. It is closely associated with the rotation of the geomagnetic pole around the rotational axis, which results in the change of the solar-originated ionospheric conductivity distribution over the polar region. On the other hand the UT variation is prominent during disturbed periods, indicating that the latitudinal mismatch between the AE stations and the auroral electrojet belt is responsible for it. Although not as prominent as the AL index, the probability distribution of the AU also shows two UT peaks. We confirm that the Dst index shows more prominent seasonal variation than the AE indices. However, the UT variation of the Dst index is only noticeable during the main phase of a magnetic storm. It is a combined result of the uneven distribution of the Dst stations and frequent developments of the partial ring current and substorm wedge current preferentially during the main phase.

• 센서학회지
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• 제9권2호
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• pp.106-112
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• 2000

REFET(reference electrode field-effect transistor)의 사용은 기준전각의 집적화 및 FET형 전해질 센서가 가지고 있는 온도와 빛의 의존성, 드리프트와 같은 전형적인 문제점들을 해결할 수 있는 효과적인 방법이다. 그러나 언급한 문제를 해결하기 위한 신뢰성 높은 REFET의 제작은 매우 어렵고 까다롭다. 본 논문에서는 고분자 이중층을 이용한 이온 방해막을 형성하여 고신뢰성의 REFET를 제작하여 FET형 전해질 센서에 적용하였다. 제작된 REFET를 pH, pNa-ISFET에 적용하여 측정한 결과, 정상적인 감도(55.4mV/pH, 53.5mV/decade)와 안정도를 보였으며, 드리프트 감소도 향상되었다.

• 센서학회지
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• 제27권3호
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• pp.204-208
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• 2018

Monolayer graphene grown via chemical vapor deposition (CVD) is recognized as a promising material for sensor applications owing to its extremely large surface-to-volume ratio and outstanding electrical properties, as well as the fact that it can be easily transferred onto arbitrary substrates on a large-scale. However, the Dirac voltage of CVD-graphene devices fabricated with transferred graphene layers typically exhibit positive shifts arising from transfer and photolithography residues on the graphene surface. Furthermore, the Dirac voltage is dependent on the channel lengths because of the effect of metal-graphene contacts. Thus, large and nonuniform Dirac voltage of the transferred graphene is a critical issue in the fabrication of graphene-based sensor devices. In this work, we propose a fabrication process for graphene field-effect transistors with Dirac voltages close to zero. A vacuum annealing process at $300^{\circ}C$ was performed to eliminate the positive shift and channel-length-dependence of the Dirac voltage. In addition, the annealing process improved the carrier mobility of electrons and holes significantly by removing the residues on the graphene layer and reducing the effect of metal-graphene contacts. Uniform and close to zero Dirac voltage is crucial for the uniformity and low-power/voltage operation for sensor applications. Thus, the current study is expected to contribute significantly to the development of graphene-based practical sensor devices.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제14권6호
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• pp.73-83
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• 2014

이 논문은 인도의 공예분야 사회적기업 인더스트리 크래프트가 정부 보조금 의존에서 벗어나 지난 30년간 어떻게 수익을 창출하고 글로벌 사회적기업으로 지속가능한 성장이 가능했는지를 분석한 논문이다. 분석을 통해 도출한 성공요인들은 다음과 같다. 첫 번째 요인은 이해관계자들의 가치 창출로서 사회적 미션을 목표로 각 이해관계자들의 가치를 최우선 고려하였으며 가치를 상호간 공유했다는 점이다. 두 번째 요인은 독특한 내부경영방식으로서 더 많은 부가가치 창출을 위해 조직체계에 독특한 비즈니스 모형과 4P전략을 도입하고 생산자집단의 자립을 돕는 경영방식을 도입했다는 것이다. 세 번째 요인은 학습 및 혁신문화 조성으로서 변화를 두려워하지 않고 끊임 없이 새로운 디자인 전략을 세워 도전하고 시행착오를 조직학습으로 이끈 학습문화를 구축했다는 점이다. 마지막 네 번째 요인은 시의적절한 재정 및 자원의 확보로서 규모 확대 시기 때마다 민간기업과의 제휴 및 투자 유치, 충분한 기술인력자원 확보 등 적절한 재정 및 자원을 확보했던 점을 들 수 있다.

• 전자공학회논문지A
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• 제33A권10호
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• pp.123-129
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• 1996

LDD structure is widely accepted in fabricating short channel MOSFETs due to reduced short channel effect originated form lower drain edge electric field. However, modeling of the LDD device is troublesome because the analysis methods of LDD region known are either too complicated or inaccurate. To solve the problem, this paper presents a nonlinear resistance model for the LDD region based on teh fact that the electron mobility changes with positive gate bias because accumulation layer of electrons is formed at the surface of the LDD region. To prove the usefulness of the model, single source/drain and LDD nMOSFETs were fabricated with 0.35$\mu$m CMOS technolgoy. For the fabricated devices we have measured I$_{ds}$-V$_{gs}$ characteristics and compare them to the modeling resutls. First of all, we calculated channel and LDD region mobility from I$_{ds}$-V$_{gs}$ characteristics of 1050$\AA$ sidewall, 5$\mu$m channel length LDD NMOSFET. Then we MOSFET and found good agreement with experiments. Next, we use calculated channel and LDD region mobility to model I$_{ds}$-V$_{gs}$ characteristics of LDD mMOSFET with 1400 and 1750$\AA$ sidewall and 5$\mu$m channel length and obtained good agreement with experiment. The single source/drain device characteristic modeling results indicates that the cahnnel mobility obtained form our model in LDD device is accurate. In the meantime, we found that the LDD region mobility is governed by phonon and surface roughness scattering from electric field dependence of the mobility. The proposed model is useful in device and circuit simulation because it can model LDD device successfully even though it is mathematically simple.

• 한국자기학회지
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• 제7권3호
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• pp.146-151
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• 1997

DC magnetron sputtering 방법으로 Corning glass 기판 위에 버퍼층을 Fe와 N $i_{81}$$Fe_{19}$로 바꾸어가면서 보자력이 다른 $Co_{90}$ F $e_{10}$와 Co를 이용하여 buffer/CoFe(35 .angs. )/Cu(t .angs. )/Co(35 .angs. )의 형태로 샌드위치 박막을 제작하고 버퍼층 두께 및 바자성층 Cu층 두께, 자성층 두께 변화에 따른 자기저항비 의존성을 조사하였다. 자기저항비와 포화 자기장( $H_{s}$ )은 버퍼층의 두께가 두꺼워짐에 따라 증가하다가 극대치 3%를 보인 후 완만하게 감소하였다. NiFe, Fe 버퍼층을 갖는 시료를 비교한 경우, 각각 CoFe층과 Co층 사이의 결합 자기장( $H_{int}$)은 큰 차이가 없었으나 NiFe 버퍼층을 갖는 시료가 minor 자기저항 곡선의 반가폭 $H_{w}$ 는 감소하고 자기저항(MR) 기울기(slope)와 관련된 field sensitivity(%/Oe)는 향상되었다.다.

• 한국자기학회지
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• 제4권3호
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• pp.272-276
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• 1994

진공증착방법으로 제작한 $Ni_{53}-Fe_{47}$ 박막에 관한 신형전류자기 기전력효과의, 전류와 자장 방향이 만드는 각 $\theta$ 의존성이, 자기저항효과의 $cos\;2{\theta}$, Hall 1효과의 경우 $sin\;{\theta}$임에 대하여 $sin\;2{\theta}$로 관측되고, 이 효과의 자장에 의존하는 전압변화율이 자기저 항효과의 비교할 때 차수가 다르게 큰 것이 조사된다. 이 효과가 2 Carrier형 모델로 이해할 수 있음을 이론적으로 확인된다.