• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권11호
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• pp.2090-2094
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• 2007

박막음향공진기(FBAR) 기술은 현재의 실리콘 공정기술과 높은 집적화 가능성으로 인하여 차세대 RF 필터를 제작할 수 있는 매우 희망적인 기술로 최근에 큰 관심을 불러 일으켜 왔다. RF 필터는 기본적으로 여러 개의 FBAR 소자들을 직렬과 병렬로 연결된 형태로 구성되므로 그 필터의 특성은 각각의 FBAR 소자의 특성에 크게 의존하게 된다. 따라서 우수한 품질의 FBAR 소자를 제작하기 위해서는 우선적으로 소자 및 공정의 최적화 설계가 중요한다. 이러한 최적화 설계는 FBAR 소자 특성을 크게 향상 시킬 수 있게 되고, 궁극적으로 우수한 성능을 가진 FBAR 필터의 구현으로 이어지게 된다. 본 논문에서는, 이러한 FBAR 소자의 공진특성을 더욱 효과적으로 향상시킬 수 있는 방법들에 관한 연구결과를 고찰하고 논의한다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2007년도 추계종합학술대회
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• pp.204-207
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• 2007

Film bulk acoustic wave resonator (FBAR) technology has attracted a great attention as a promising technology to fabricate the next-generation RF filters mainly because the FBAR technology can be integrated with current Si processing. The RF filters are basically composed of several FBAR devices connected in parallel and in series, and their characteristics depend highly on the FBAR device characteristics. Thus, it is important to design high quality FBAR devices by device or process optimization. This kind of effort may enhance the FBAR device characteristics, eventually leading to FBAR filters of high performance. In this paper, we describe the methods to more effectively improve the resonance characteristics of the FBAR devices.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제5권7호
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• pp.1321-1325
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• 2001

본 논문에서는 압전박막 및 이들의 FBAR소자 응용에 대한 연구를 발표 한다. FBAR소자는 상부 및 하부 전극 사이에 압전체가 삽입되어 있는 공진부와 SiO2/W 이 여러층으로 적층되어 있는 음향반사층부분 크게 두 부분으로 구성되어 있다. 시뮬레이션 및 측정을 통하여 제작된 여러가지 FBAR 소자들을 평가하였다. 실험결과 우수한 삽입손실, 반사손실 및 풀질계수가 얻어졌다. 따라서 FBAR 기술은 RF 대역 필터 응용을 위해서 대단히 유망한 기술로 생각된다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2001년도 추계종합학술대회
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• pp.621-625
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• 2001

본 논문에서는 압전박막 및 이들의 FBAR 소자 응용에 대한 연구를 발표 한다. FBAR 소자는 상부 및 하부 전극 사이에 압전체가 삽입되어 있는 공진부와 SiO$_2$/W 이 여러층으로 적층되어 있는 음향반사층부분 크게 두 부분으로 구성되어 있다. 시뮬레이션 및 측정을 통하여 제작된 여러가지 FBAR 소자들을 평가하였다. 실험결과 우수한 삽입손실, 반사손실 및 품질계수가 얻어졌다. 따라서 FBAR 기술은 RF 대역 필터 응용을 위해서 대단히 유망한 기술로 생각된다.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제3권3호
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• pp.137-141
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• 2005

The paper presents some methods to improve characteristics of film bulk acoustic resonator (FBAR) devices. The FBAR devices were fabricated on Bragg reflectors. Thermal treatments were done by sintering and/or annealing processes. The measurement showed a considerable improvement of return loss $(S_{11})$ and quality factor $(Q_{s/p}).$ These thermal treatment techniques seem very promising for enhancing FBAR resonance performance.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2011년도 춘계학술대회
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• pp.696-698
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• 2011

박막 벌크 음향 공진 소자 (Film Bulk Acoustic Resonator, FBAR) 기술은 현 실리콘 공정 기술과 호환되며 차세대 초소형 RF소자 구현을 가능하게 하는 기술로 각광받아 오고 있다. FBAR 소자 제작 시 박막 증착에 RF 스퍼터링 (sputtering) 방식을 이용하는 경우 산소 ($O_2$) 및 아르곤 (Ar)의 혼합가스 분위기에서 증착하는 것이 통상적이다. 본 논문에서는 아산화질소 ($N_2O$) 및 아르곤 (Ar)의 혼합가스 분위기에서 RF 스퍼터링 방식으로 증착된 고품위의 산화아연 (Zinc Oxide, ZnO) 압전(piezoelectric) 박막을 적용하여 FBAR 소자를 제작하는 새로운 방법을 제시한다. 이때 소자 제작과정에 다양한 조건에서의 열처리 과정 (thermal annealing treatments)이 수반되었으며, 이러한 공정조건이 제작된 FBAR 소자의 공진특성 (resonance characteristics)에 미치는 영향을 반사손실 (return loss)의 측면에서 조사하였다. 결과적으로, 공정 조건을 최적화함으로써 ~2.9 MHz 에서 매우 우수한 공진특성을 가지는 FBAR 소자를 제작할 수 있었다.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제3권4호
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• pp.167-171
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• 2005

In this paper, the resonance characteristics of SMR-type FBAR devices annealed by three different annealing methods are investigated and compared. The resonance characteristics could be effectively improved by the proposed efficient annealing method which optimizes the annealing conditions. It seems very useful for improving the performance of the SMR-type FBAR devices as a cost-effective way.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제1권3호
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• pp.129-132
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• 2003

In this paper, cobalt (Co)-electrode FBAR devices fabricated on seven-layered Bragg Reflectors are presented along with their resonance characteristics. ZnO films are used as the resonating material in FBAR devices where the Co electrode is 3000${\AA}$ thick. All processes are preformed in an RF magnetron sputtering system. As a result of characterization, the resonance characteristics are observed to depend strongly on the quality of ZnO film and Bragg Reflectors. In addition, the FBAR devices with W/$SiO_2$ reflectors show good resonance characteristics in term of return loss and quality-factor (Q-factor).

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2005년도 추계종합학술대회
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• pp.311-315
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• 2005

In this paper, we emphasize the advantage of thermal annealing treatments for improvement characteristics of film bulk acoustic resonator (FBAR) devices. The FBAR devices were fabricated on multi-layer thin films, namely, Bragg reflectors. Sintering and/or annealing processes were applied in our experiments. The measurements confirm once again a considerable improvement of return loss $(S_{11})$ and quality factor $(Q_{s/p})$. these thermal treatment techniques are really promising for enhancing performance of FBAR resonators in industry fabrication of RF devices.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1865-1867
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• 2005

Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices which adopt an air-gap type (metai/AlN/metal/air/substrate) configuration are fabricated by a novel process. The newly fabricated resonator doesn't employ any supporting layer below it. FBAR devices with the air-gap type are also fabricated using the conventional method. The frequency response characteristics of all the devices fabricated are measured and compared, in terms of the kinds of top and bottom electrode materials. The results show that the better device performance of FBAR devices can be achieved by employing the proposed process.