Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

FBAR devices for RF bandpass filter applications

RF 대역통과필터 응용을 위한 FBAR 소자

  • Published : 2001.10.01
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

In this article, piezoelectric films and their application for film bulk acoustic resonator (FBAR) devices are presented. The FBAR is composed of piezoelectric film sandwiched between top and bottom electrodes and an acoustic reflector of SiO$_2$/W slatted multilayers. Various FBAR devices were fabricated and evaluated through simulation and measurement. The insertion loss, return loss and Q-factor were observed to be reasonably high and good. The FBAR technology seems very promising particularly for RF band filter application.

본 논문에서는 압전박막 및 이들의 FBAR 소자 응용에 대한 연구를 발표 한다. FBAR 소자는 상부 및 하부 전극 사이에 압전체가 삽입되어 있는 공진부와 SiO$_2$/W 이 여러층으로 적층되어 있는 음향반사층부분 크게 두 부분으로 구성되어 있다. 시뮬레이션 및 측정을 통하여 제작된 여러가지 FBAR 소자들을 평가하였다. 실험결과 우수한 삽입손실, 반사손실 및 품질계수가 얻어졌다. 따라서 FBAR 기술은 RF 대역 필터 응용을 위해서 대단히 유망한 기술로 생각된다.

Keywords