$SiN_x$ 박막을 $200^{\circ}C$의 저온에서 $SiH_4$ 가스의 흐름 비율을 바꾸어 가며 PECVD 기법으로 성장하였다. 시료의 광 특성을 규명하기 위하여 상온 광 발광 스펙트럼을 측정하였다. 성장 시 $SiH_4$ 가스의 흐름 비율이 증가함에 따라 시료의 발광 최대치 파장이 장파장으로 이동하였으나, $SiH_4$ 가스의 흐름 비율과 무관하게 모든 시료에서 1.8, 1.9, 2.2, 2.4, 그리고 3.1 eV 에너지의 발광 현상을 관찰하였다. $N_2$, $H_2$, 그리고 $O_2$ 가스 분위기에서 후열처리를 거친 후, 발광 스펙트럼의 변화를 조사하였다. 열처리 후의 발광 세기는 증가하였고, 특히, $H_2$ 및 $O_2$가스 열처리로 인하여 발광 최대치 파장이 단파장으로 이동하였으나, 특정한 파장에서 발광효과는 여전히 존재하였다. 발광 메카니즘에 대하여, $SiN_x$ 박막의 에너지 갭 내에 Si와 N 원자의 비결합 결함에 의한 에너지 준위 모델을 설정하였고, 이 에너지 준위의 천이에 의한 발광으로 이해하였다. 그리고 저온에서 성장한 $SiN_x$ 박막의 발광 효과는 앞으로 구부러짐이 가능한 Si 계 광소자 개발 가능성을 보여주고 있다.
본 연구는 제주도에 분포하는 수생 및 습생 식물의 식물상을 규명하고, 습지환경의 식물종다양성을 보존하기 위한 기초자료를 확보하고자 수행하였다. 야외 조사는 제주도 전 지역을 대상으로 2010년 5월부터 2014년 9월에 걸쳐 이루어졌다. 본 식물상 연구를 통해 확인된 습지식물은 총 52과 98속 181종 6변종 2품종 189분류군이었다. 이 중 총 38과 60속 96종 3변종 99분류군이 수생식물로, 23과 45속 85종 3변종 2품종 90분류군이 습생식물로 나타났다. 또한 사초과 식물인 Eleocharis${\times}$yezoensis H. Hara를 한국미기록식물로 보고하였다. 조사된 식물 중 환경부지정보호야생식물은 순채, 전주물꼬리풀 등 5분류군이 분포하는 것으로 조사되었다. 멸종위기종은 위급종이 제주고사리삼 1분류군, 위기종이 물까치수염 등 5분류군, 취약종이 대구돌나물 등 7분류군으로 나타났다. 식물구계학적 특정식물로는 V등급이 10분류군, IV등급이 7분류군, III등급이 15분류군, II등급이 5분류군, I등급이 7분류군으로 총 44분류군이 확인되었다. 귀화식물은 총 8과 9속 9종 1변종 10분류군으로 나타났다. 제주도의 습지는 식물종다양성이 매우 높고, 희귀식물 및 식물지리학적으로 중요한 식물 등이 다수 분포하여 식물학적 가치가 매우 높은 것으로 판단된다. 따라서 습지 및 종의 보존을 위한 구체적인 보호 및 관리 체계의 수립이 요구된다.
Passivation quality is mainly governed by epitaxial growth of crystalline silicon wafer surface. Void-rich intrinsic a-Si:H interfacial layer could offer higher resistivity of the c-Si surface and hence a better device efficiency as well. To reduce the resistivity of the contact area, a modification of void-rich intrinsic layer of a-Si:H towards more ordered state with a higher density is adopted by adapting its thickness and reducing its series resistance significantly, but it slightly decreases passivation quality. Higher resistance is not dominated by asymmetric effects like different band offsets for electrons or holes. In this study, multilayer of intrinsic a-Si:H layers were used. The first one with a void-rich was a-Si:H(I1) and the next one a-SiOx:H(I2) were used, where a-SiOx:H(I2) had relatively larger band gap of ~2.07 eV than that of a-Si:H (I1). Using a-SiOx:H as I2 layer was expected to increase transparency, which could lead to an easy carrier transport. Also, higher implied voltage than the conventional structure was expected. This means that the a-SiOx:H could be a promising material for a high-quality passivation of c-Si. In addition, the i-a-SiOx:H microstructure can help the carrier transportation through tunneling and thermal emission.
돔배기 육, 연골 및 껍질의 저장 중 총균, 대장균 및 병원성미생물의 생육에 미치는 chitosan-ascorbate(CA)(0.01%) 및 모려(10 ppm)의 처리효과를 조사하였다. $10^{\circ}C$에서 6일간 저장한 결과 대조구의 경우 총균수는 육, 연골 및 껍질에서는 각각 4.24, 3.81, 2.20 log cycle이 증가하였으나 CA처리구는 육에서는 2.66 log cycle이, 연골에서는 2.37 log cycle이, 껍질에서는 1.24 log cycle이 감소되었다. 모려처리구에서는 CA처리구 보다 그 효과가 낮으나 육에서는 1.33 log cycle이, 연골에서는 0.93 log cycle이, 껍질에서는 0.59 log cycle이 각각 감소되었다. 6일간 저장한 돔배기의 대장균수는 대조군의 경우 육, 연골 및 껍질에서 각각 3.18, 2.59, 2.25 log CFU/g이었으며 CA처리구에서는 육에서는 1.69 log cycle이, 연골에서는 1.25 log cycle이, 껍질에서는 1.52 log cycle이 각각 감소하였으며, 모려처리구에서는 육에서는 0.65 log cycle, 연골에서는 0.52 log cycle, 껍질에서는 0.76 log cycle이 각각 감소되었다. 무처리구에서는 3일째 육에서 Salmonella가 검출되었고, 6일째는 육, 껍질, 연골 모두에서 Salmonella와 V. parahaemolyticus가 검출되었으며, 모려를 처리한구에서는 6일째 육에서 Salmonella와 V. parahaemolyticus가, 연골에서 Salmonella가 검출되었다. 그러나 CA처리구에서는 육, 연골 및 껍질 모두에서 저장 6일까지 음성반응을 나타내었다. CA와 모려를 처리한 육은 대조구에 비하여 비교적 투명하며 조직의 붕괴도가 낮았다. 또 연골은 대조구에 비하여 조직이 매끈하고 깨끗한 상태를 유지하였으며 껍질은 이물질이 제거되는 scavenger 현상을 나타내었으며 이러한 현상들은 모려보다 CA처리구에서 뚜렷하였다. 이상의 결과 CA와 모려처리는 돔배기에 존재하는 일반미생물과 병원성미생물의 생육을 저해함으로서 신선도와 위생성이 향상시키며 저장 중에 일어나는 조직의 붕괴를 막아 저장성을 향상시키는 효과를 나타낸 것으로 판단된다.
개똥쑥은 예로부터 항암, 항바이러스 및 항균의 효능을 지니는 것으로 알려져 왔지만 작용 기작에 대한 내용이 많이 알려지지 않았다. 본 연구에서는 AGS 인체 위암 세포를 대상으로 개똥쑥 추출물(AAE)에 의한 apoptosis 효과와 신호경로 연구를 시행하였다. AAE의 암세포 성장에 미치는 영향을 확인하기 위하여 AGS cell에 AAE를 처리하고 MTT assay와 LDH assay를 수행한 결과 AAE 농도 의존적으로 나타난 세포 성장 억제가 세포 손상에 의한 것임을 확인하였다. 또한, AAE에 의한 암세포 증식 억제 효과가 apoptosis에 의한 것인지 확인하기 위하여 Hoechst 33342 staining과 Annexin V-PI staining을 수행한 결과, Hoechst 33342 staining에서 apoptotic body와 세포질 응축이 농도 의존적으로 증가하는 것을 확인하였고, Annexin V-PI staining에서 apoptotic cells의 변화가 농도 의존적으로 증가함을 확인하였다. Western blotting의 결과 AAE가 농도 의존적으로 세포 생장에 관여하는 신호 단백질인 p-Akt, p-TSC2, p-mTOR, p-GSK-$3{\beta}$의 발현이 감소함을 확인하였고, anti-apoptotic 단백질인 Bcl-2의 발현이 억제됨으로써 proapoptotic 단백질인 Bax, Bak의 발현이 증가하는 일련의 신호경로를 조절할 수 있다는 것을 확인하였다. 미토콘드리아 막 전위의 탈분극 유도를 확인하기 위한 JC-1 assay 수행 결과, AAE 농도 의존적으로 미토콘드리아 막 전위의 탈분극이 유도됨을 확인하였다. 탈분극에 의한 caspase 활성을 확인하기 위해 caspase-3/7 activity assay를 수행한 결과, AAE 농도 의존적으로 caspase activity 증가를 확인하였다. 또한, apoptosis가 일어나는 일련의 신호경로를 확인하기 위해 apoptosis 상위 단백질인 Akt, mTOR, GSK-$3{\beta}$의 활성을 억제하는 LY294002, Rapamycin, BIO를 각각 AGS cell에 처리하고 세포증식에 미치는 영향과 신호 단백질의 발현 양상을 알아보기 위해 MTT assay, LDH assay, western blotting을 수행하였다. 그 결과 AAE와 LY294002, Rapamycin 처리군에서 세포증식 억제와 LDH 방출량 증가뿐만 아니라 세포 생장 신호 단백질인 p-mTOR, p-TSC2, p-Akt, p-GSK-$3{\beta}$의 발현이 감소하는 것을 확인하였고, Bcl-2의 발현이 억제됨으로써 Bax와 Bak의 발현을 증가시키는 신호경로를 조절할 수 있다는 것을 확인하였다. 따라서 AGS cell에 개똥쑥 추출물을 처리하였을 때 유도되는 apoptosis 효과는 Akt/mTOR/GSK-$3{\beta}$ 경로 활성 억제를 통해 Bcl-2 발현이 감소함에 따라 Bax, Bak를 활성화해 세포질로의 cytochrome C 유리에 따른 caspase 활성으로 이루어진다는 것을 알 수 있었다.
반도체 소자의 고집적화 및 고속화가 요구됨에 따라 MOSFET 구조의 게이트 절연막으로 사용되고 있는 SiO₂ 박막의 두께를 감소시키려는 노력이 이루어지고 있다. 0.1㎛ 이하의 소자를 위해서는 15Å 이하의 두께를 갖는 SiO₂가 요구된다. 하지만 두께감소는 절연체의 두께와 지수적인 관계가 있는 누설전류를 증가시킨다[1-3]. 따라서 같은 게이트 개패시턴스를 유지하면서 누설전류를 감소시키기 위해서는 높은 유전상수를 갖는 두꺼운 박막이 요구되는 것이다. 그러므로 약 25정도의 높은 유전상수를 갖고 5.2~7.8 eV 정도의 비교적 높은 bandgap을 갖으며, 실리콘과 열역학적으로 안정한 물질로 알려진 HfO2[4-5]가 최근 큰 관심을 끌고 있다. 본 연구에서는 HfO₂ 박막을 실제 소자에 적용하기 위하여 전극 및 열처리에 따른 HfO₂ 박막의 미세구조 및 전기적 특성에 관한 연구를 수행하였다. 이를 위해, HfO₂ 박막을 reactive DC magnetron sputtering 방법으로 증착하고, XRD, TEM, XPS를 사용하여 ZrO₂ 박막의 미세구조를 관찰하였으며, MOS 캐패시터 구조의 C-V 및 I-V 특성을 측정하여 HfO₂ 박막의 전기적 특성을 관찰하였다. HfO₂ 타겟을 스퍼터링하면 Ar 스퍼터링에 의해 에너지를 가진 산소가 기판에 스퍼터링되어 Si 기판과 반응하기 때문에 HfO₂ 박막 형성과 더불어 Si 기판이 산화된다[6]. 그래서 HfO₂같은 금속 산화물 타겟 대신에 순수 금속인 Hf 타겟을 사용하고 반응성 기체로 O₂를 유입시켜 타겟이나 시편위에서 high-k 산화물을 만들면 SiO/sub X/ 계면층을 제어할 수 있다. 이때 저유전율을 갖는 계면층은 증착과 열처리 과정에서 형성되고 특히 500℃ 이상에서 high-k/Si를 열처리하면 계면 SiO₂층은 증가하는 데, 이것은 산소가 HfO₂의 high-k 박막층을 뚫고 확산하여 Si 기판을 급속히 산화시키기 때문이다. 본 방법은 증착에 앞서 Si 표면을 희석된 HF를 이용해 자연 산화막과 오염원을 제거한 후 Hf 금속층과 HfO₂ 박막을 직류 스퍼터링으로 증착하였다. 우선 Hf 긍속층이 Ar 가스 만의 분위기에서 증착되고 난 후 공기중에 노출되지 않고 연속으로 Ar/O₂ 가스 혼합 분위기에서 반응 스퍼터링 방법으로 HfO₂를 형성하였다. 일반적으로 Si 기판의 표면 위에 자연적으로 생기는 비정질 자연 산화막의 두께는 10~15Å이다. 그러나 Hf을 증착한 후 단면 TEM으로 HfO₂/Si 계면을 관찰하면 자연 산화막이 Hf 환원으로 제거되기 때문에 비정질 SiO₂ 층은 관찰되지 않았다. 본 실험에서는 HfO2의 두께를 고정하고 Hf층의 두께를 변수로 한 게이트 stack의 물리적 특성을 살펴보았다. 선증착되는 Hf 금속층을 0, 10, 25Å의 두께 (TEM 기준으로 한 실제 물리적 두께) 로 증착시키고 미세구조를 관찰하였다. Fig. 1(a)에서 볼 수 있듯이 Hf 금속층의 두께가 0Å일때 13Å의 HfO₂를 반응성 스퍼터링 방법으로 증착하면 HfO₂와 Si 기판 사이에는 25Å의 계면층이 생기며, 이것은 Ar/O₂의 혼합 분위기에서의 스퍼터링으로 인한 Si-rich 산화막 또는 SiO₂ 박막일 것이다. Hf 금속층의 두께를 증가시키면 계면층의 성장은 억제되는데 25Å의 Hf 금속을 증착시키면 HfO₂ 계면층은 10Å미만으로 관찰된다. 그러므로 Hf 금속층이 충분히 얇으면 플라즈마내 산소 라디칼, 이온, 그리고 분자가 HfO₂ 층을 뚫고 Si 기판으로 확산되어 SiO₂의 계면층을 성장시키고 Hf 금속층이 두꺼우면 SiO/sub X/ 계면층을 환원시키면서 Si 기판으로의 산소의 확산은 막기 때문에 계면층의 성장은 억제된다. 따라서 HfO₂/Hf(Variable)/Si 계에서 HfO₂ 박막이 Si 기판위에 직접 증착되면, 순수 HfO₂ 박막의 두께보다 높은 CET값을 보이고 Hf 금속층의 두께를 증가시키면 CET는 급격하게 감소한다. 그러므로 HfO₂/Hf 박막의 유효 유전율은 단순 반응성 스퍼터링에 의해 형성된 HfO₂ 박막의 유전율보다 크다. Fig. 2에서 볼 수 있듯이 Hf 금속층이 너무 얇으면 계면층의 두께가 두꺼워 지고 Hf 금속층이 두꺼우면 HfO₂층의 물리적 두께가 두꺼워지므로 CET나 EOT 곡선은 U자 형태를 그린다. Fig. 3에서 Hf 10초 (THf=25Å) 에서 정전 용량이 최대가 되고 CET가 20Å 이상일 때는 high-k 두께를 제어해야 하지만 20Å 미만의 두께를 유지하려면 계면층의 두께를 제어해야 한다.
Copper zinc tin sulfide ($Cu_2ZnSnS_4$, CZTS) is a very promising material as a low cost absorber alternative to other chalcopyrite-type semiconductors based on Ga or In because of the abundant and economical elements. In addition, CZTS has a band-gap energy of 1.4~1.5eV and large absorption coefficient over ${\sim}10^4cm^{-1}$, which is similar to those of $Cu(In,Ga)Se_2$(CIGS) regarded as one of the most successful absorber materials for high efficient solar cell. Most previous works on the fabrication of CZTS thin films were based on the vacuum deposition such as thermal evaporation and RF magnetron sputtering. Although the vacuum deposition has been widely adopted, it is quite expensive and complicated. In this regard, the solution processes such as sol-gel method, nanocrystal dispersion and hybrid slurry method have been developed for easy and cost-effective fabrication of CZTS film. Among these methods, the hybrid slurry method is favorable to make high crystalline and dense absorber layer. However, this method has the demerit using the toxic and explosive hydrazine solvent, which has severe limitation for common use. With these considerations, it is highly desirable to develop a robust, easily scalable and relatively safe solution-based process for the fabrication of a high quality CZTS absorber layer. Here, we demonstrate the fabrication of a high quality CZTS absorber layer with a thickness of 1.5~2.0 ${\mu}m$ and micrometer-scaled grains using two different non-vacuum approaches. The first solution-processing approach includes air-stable non-toxic solvent-based inks in which the commercially available precursor nanoparticles are dispersed in ethanol. Our readily achievable air-stable precursor ink, without the involvement of complex particle synthesis, high toxic solvents, or organic additives, facilitates a convenient method to fabricate a high quality CZTS absorber layer with uniform surface composition and across the film depth when annealed at $530^{\circ}C$. The conversion efficiency and fill factor for the non-toxic ink based solar cells are 5.14% and 52.8%, respectively. The other method is based on the nanocrystal dispersions that are a key ingredient in the deposition of thermally annealed absorber layers. We report a facile synthetic method to produce phase-pure CZTS nanocrystals capped with less toxic and more easily removable ligands. The resulting CZTS nanoparticle dispersion enables us to fabricate uniform, crack-free absorber layer onto Mo-coated soda-lime glass at $500^{\circ}C$, which exhibits a robust and reproducible photovoltaic response. Our simple and less-toxic approach for the fabrication of CZTS layer, reported here, will be the first step in realizing the low-cost solution-processed CZTS solar cell with high efficiency.
본 연구는 항해용선계약상 목적지표시의 원칙과 그 운용에 대해 Merida호 사건을 중심으로 분석하는 것에 목적이 있다. 선박이 항에 있거나 용선자의 자유재량으로 선박의 도착이 즉각적 또는 효과적으로 용선자의 이용에 맡길 수 있는 선석으로 즉각 도달하거나 또는 그와 같은 위치에 있는 선박은 도착선이 된다. 선박이 용선계약의 조건에 의해 화물을 선적 또는 양하할 의무가 있는 장소에서 지연이 발생한 경우 선박이 선석 또는 항에 있는지의 여부에 불구하고 특정 목적지의 식별표시는 화물의 선적 또는 양하함에 있어 지연에 의해 발생한 손해사고에 대해 영향을 미친다. Merida호 사건은 2009년 4월 20일 용선자가 2명의 저명한 중재인의 최종중재재정에 대해 상소한 사안이다. 2007년 2월 5일 본선 Merida호에 대해 용선자와 선박소유자 간에 체결한 항해용선계약은 Berth Charter이기 보다는 Port Charter이었다. 선주와 용선자 간에 이 차이에 대한 기본적인 관련성은 선적항과 양륙항에서 선박혼잡에 의해 발생한 지연위험의 분담이다. 이 상소에서 제기된 법적 쟁점으로서 중재인이 이 용선계약은 Port Charter이며 Berth Charter가 아니라는 판정을 내릴 수 있는 권리가 있는지 여부이었다. 중재인은 용선자가 하역준비완료통지서의 유효성에 대해서는 논쟁하지 않았다는 것을 판정하면서 따라서 본 용선계약은 Port Charter라고 판정하였다.
'그린시스'는 아삭하고 과즙이 풍부한 동양배에 검은별무늬병(V. nashicola)에 저항성을 인자를 도입하기 위해 1994년 국립 원예특작과학원 배연구소에서 '황금배'와 'Bartlett'을 교배하였다. 285개 교배실생 중 식미감이 뛰어난 '그린시스'를 2006년에 1차 선발하고 2007년부터 2012년까지 5년간 9개 지역 10개소에서 지역적응성을 검토한 후 2012년 최종 선발하였다. '그린시스'의 성숙기는 9월 26일로 원형에 녹색 과피를 갖는 품종이다. 평균과중은 470g 내외, 당도는 $12.4^{\circ}Brix$이다. 과육은 아삭아삭하고 과즙이 풍부하여 식미가 좋다. '그린시스'의 엽 크기는 '황금배'보다 작고, 'Bartlett'과 유사하였다. 만개기는 4월 26일로 '황금배'보다 약 6일이 늦고, 'Bartlett'과 유사하였다. '그린시스'의 S allele 분석결과, $S_4S_e$로 확인되었는데 $S_4$ allele은 '황금배'로부터, $S_e$ allele은 'Bartlett'으로부터 유전되었다. '그린시스'는 검은별무늬병에 'Beurre Hardy', 'Conference' 등 서양배와 비슷한 수준의 저항성을 보였고, 검은무늬병(A. kikuchiana)에 포장저항성을 나타냈다.
Aspergillus oryzae로 발효시킨 청미래덩굴(Smilax china L) 잎열수추출물(FSCL)의 첨가가 토복령 열수추출물(SCLR)의 항산화능에 미치는 영향을 조사하기 위하여 각 2% 열수추출물을 0:100 (A), 20:80 (B), 40:60 (C), 60:40 (D), 80:20 (E), 100:0 (F) (v/v)의 조건으로 혼합하였을 때 total polypheno l(TP) 및 total flavonoid (TF) 함량, $OD_{475}$, 전자공여능(EDA), 철환원력(FRAP), xanthine oxidase (XO) 및 aldehyde oxidase (AO)에 대한 저해활성과 관능적 품질을 조사하였다. A와 F의 TP 함량은 각각 3.78 및 9.37 mg/100 mL, TF 함량은 각각 0.24 및 1.84 mg/100 mL로 FSCL이 SCLR에 비하여 TP는 2.48배, TF는 7.67배가 높았으며 FSCL의 첨가비율이 높아질수록 비례적으로 높았다($R^2=0.9887$, $R^2=0.9592$). $OD_{475}$는 FSCL의 첨가비율이 높아질수록 거의 비례적으로 높은 흡광도를 나타내었다($R^2=0.9850$). EDA (% at mL)는 A (25.75%)에 비하여 F (54.63%)에서 2.12배가 높았으며 FSCL의 첨가비율이 높을수록 높아지는 경향을 보였다($R^2=0.9668$). FRAP ($Fe^{2+}{\mu}mole/g$ of dry basis)의 경우도 EDA와 마찬가지로 A (1.18)에 비하여 F (4.92)에서 4.17배가 높았으며, FSCL의 첨가비율이 높아질수록 비례적으로 높았다($R^2$=0.9907). A의 XO에 대한 저해활성(mg/mL of $IC_{50}$)은 1.19로 F의 2.96에 비하여 59.80%가 높았으며, FSCL의 첨가비율이 높아질수록 비례적으로 감소하였다($R^2$=0.9490). 그러나 AO에 대한 저해활성(mg/mL of $IC_{50}$)은 XO의 경우와 반대로 A (3.37)에 비하여 F (1.41)에서 58.16%의 높은 저해활성을 나타내었으며, FSCL의 첨가비율이 높아질수록 높아지는 경향을 보였다. 향에 대한 기호도는 A와 F에서는 각각 2.77 및 2.72점으로 비슷한 값을 보였으며 발효청미래덩굴잎 열수추출물을 20-80 비율로 혼합하였을 때는 다소 향상되는 경향을 나타내었으나 상호간의 유의적인 차이는 없었다. 그러나 40% 혼합(C) 하였을 때는 무첨가 경우(A 또는 F)에 비하여 유의적으로 향상되었다. 맛에 대한 기호도는 F에 비하여 A에서 다소 높은 값을 나타내었으며 C에서 가장 높은 값을 나타내었다. 색상에 대한 기호도는 40-80% 첨가한 경우가 A, F 및 B보다 높았다. 입맛과 종합적인 품질에 대한 기호도는 C, D에서 가장 높았다. 이상의 결과 A. oryzae로 발효시킨 청미래덩굴잎의 열수추출물은 보이차 스타일의 적갈색을 나타내며, 토복령 열수추출물과 혼합함으로써 음료로서의 기호성이 높아짐과 동시에 EDA 및 FRAP와 같은 항산화활성이 높아지나, ROS 생성계 효소로 알려져 있는 XO와 AO의 활성 억제현상은 상반된 결과를 나타내고 있어 이와 관련된 기능성 식품 개발에 대한 기초자료로 활용할 수 있을 것으로 생각한다. 그러나 현재 실험의 결과만으로는 어떠한 성분이 이러한 항산화활성의 변화에 관여하는지는 확인할 수 없으며 추후 계속적인 연구 검토가 필요하다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.