• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 A
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• pp.43-45
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• 1994

This paper proposes the new method to calculate the static thrust and normal force of a hybrid type double-sided linear pulse motor by the coenergy which considered the magnetic nonlinealities. In the process of the computation, the nonlinear characteristics of the magnetic material were interpolated by the cubic spline method. And, to investigate the characteristics of the hybrid type DLPM, the static thrust and the normal force is shown as a function of displacement, input current and air airgap length. Also the simulation values are compared with the experimental ones obtained from a hybrid type DLPM.

• Ocean Science Journal
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• 제42권2호
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• pp.81-88
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• 2007

The paper reviews data available on euglenophycean algae of the genus Eutreptiella from the Russian waters of East/Japan Sea. Five species (such as E. braarudii, E. eupharyngea, E. gymnastica, E. cf. marina, and E. pascheri) were identified in our study. E. cf. marina and E. pascheri were found for the first time in the fare astern seas of Russia (including East/Japan Sea, Bering and Okhotsk seas). Morphological descriptions of species are based on light and electron microscopical studies and supplied with information on ecology and distribution. Original micrographs of these species obtained by light and electron microscopy are presented. It was established that E. eupharyngea, E. gymnastica, and E. pascheri cause water "blooms" in spring and summer in eutrophic coastal areas of Peter the Great Bay (East/Japan Sea), where their cell concentrations at these periods exceed $1\times10^6\;cells\;l^{-1}$.

• 한국결정성장학회지
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• 제15권1호
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• pp.1-9
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• 2005

AgGaS₂ 단결정 박막을 수평 전기로에서 합성한 AgGaS₂ 다결정을 증발원으로하여, hot wall epitaxy(HWE) 방법으로 증발원과 기판(반절연성-GaAs(100))의 온도를 각각 590℃, 440℃로 고정하여 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성은 광발광 스펙트럼과 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)으로 부터 구하였다. AgGaS₂의 광흡수 스펙트럼으로부터 구한 온도에 의존하는 에너지 밴드갭 E/sub g/(T)는 Varshni 공식에 fitting한 결과 E/sub g/(T) = 2.7284 eV - (8.695×10/sup -4/ eV/K)T²/(T + 332 K)를 잘 만족하였다. 성장된 AgGaS₂ 단결정 박막을 Ag, Ga, S 분위기에서 각각 열처리하여 10K에서 photoluminescience(PL) spectrum을 측정하여 점 결함의 기원을 알아보았다. PL 측정으로 부터 얻어진 V/sub Ag/, V/sub s/, Ag/sub int/, 그리고 S/sub int/는 주개와 받개로 분류되어졌다. AgGaS₂ 단결정 박막을 Ag 분위기에서 열처리하면 n형으로 변환됨을 알 수 있었다. 또한, Ga 분위기에서 열처리하면 열처리 이전의 PL 스펙트럼을 보이고 있어서. AgGaS₂ 단결정 박막에서 Ga은 안정된 결합의 형태로 있기 때문에 자연 결함의 형성에는 관련이 없음을 알았다.

• 한국결정성장학회지
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• 제16권5호
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• pp.189-197
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• 2006

[$AgGaSe_2$] 단결정 박막을 수평 전기로에서 합성한 $AgGaSe_2$ 다결정을 증발원으로하여, hot wall epitaxy(HWE) 방법으로 증발원과 기판(반절연성-GaAs(100))의 온도를 각각 $630^{\circ}C,\;420^{\circ}C$로 고정하여 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성은 광발광 스펙트럼과 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)으로 부터 구하였다. $AgGaSe_2$의 광흡수 스펙트럼으로부터 구한 온도에 의존하는 에너지 밴드갭 $E_g(T)$는 Varshni 공식에 fitting한 결과 $E_g(T)=1.9501eV-(8.79x10^{-4}eV/K)T^2(T+250K)$를 잘 만족하였다. 성장된 $AgGaSe_2$ 단결정 박막을 Ag, Ga, Se 분위기에서 각각 열처리하여 10K에서 photoluminescience(PL) spectrum을 측정하여 점 결함의 기원을 알아보았다. PL 측정으로 부터 얻어진 $V_{Ag},\;V_{Se},\;Ag_{int}$, 그리고 $Se_{int}$는 주개와 받개로 분류되어졌다. $AgGaSe_2$ 단결정 박막을 Ag 분위기에서 열처리하면 p형으로 변환됨을 알 수 있었다. 또한, Ga 분위기에서 열처리하면 열처리 이전의 PL 스펙트럼을 보이고 있어서, $AgGaSe_2$ 단결정 박막에서 Ga은 안정된 결합의 형태로 있기 때문에 자연 결함의 형성에는 관련이 없음을 알았다.

• 비파괴검사학회지
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• 제25권2호
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• pp.117-126
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• 2005

[ $AgGaS_2$ ] 단결정 박막을 수평 전기로에서 합성한 $AgGaS_2$ 다결정을 증발원으로하여, hot wall epitaxy(HWE) 방법으로 증발원과 기판 (반절연성 -GaAs (100))의 온도를 각각 $590^{\circ}C,\;440^{\circ}C$로 고정하여 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성은 광발광 스펙트럼과 이중결정 X-선 요동곡선 (DCRC)으로 부터 구하였다. $AgGaS_2$의 광흡수 스펙트럼으로부터 구한 온도에 의존하는 에너지 밴드갭 $E_g(T)$는 Varshni. 공식에 fitting한 결과 $E_g(T)=2.7284 eV-(8.695{\times}10^{-4}eV/K)T^2/T(T+332K)$를 잘 만족하였다. 성장된 $AgGaS_2$, 단결정 박막을 Ag, Ga, S분위기에서 각각 열처리하여 10K에서 photoluminescience(PL) spectrum을 측정하여 점 결함의 기원을 알아보았다. PL 측정으로부터 얻어진 $V_{Ag},\;V_s,\;Ag_{int}$, 그리고 $S_{int}$는 주개와 받개로 분류되어졌다. $AgGaS_2$ 단결정 박막을 Ag분위기에서 열처리하면 n형으로 변환됨을 알 수 있었다. 또한, Ca 분위기에서 열처리하면 열처리 이전의 PL스펙트럼을 보이고 있어서, $AgGaS_2$ 단결정 박막에서 Ga은 안정된 결합의 형태로 있기 때문에 자연 결함의 형성에는 관련이 없음을 알았다.

• 대한치과보철학회지
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• 제30권2호
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• pp.135-154
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• 1992

This study was performed to analyze bond strength, the alterations of the interfaces between metal films which are populary used and considered to contribute to the chemical reaction with porcelain, according to constant ion- beam- mixing, and the relation between interfacial chemical reactions and bond strength in metal/porcelain specimens. For this study, three seperate metals : selected-gold, indium and tin were chosen ; each to be bonded to a seperate body porcelain. Bonding occurs when the metal is deposited to the body porcelain using a vacuum evaporator. The vacuum evaporator used $10^{-5}\sim10^{-6}$ Torr vacuum states for the evaporation of various metals (Au, Sn, In). Ion-beam-mixing of the porcelain/metal interfaces caused reactions when the Ar+ was implanted into thin films using a 80 KeV accelerator. These ion-beam-mixed specimens were then compared with an unmixed control group. An analysis of bond strength and ionic changes between the the metal and porcelain was performed by electron spectroscopy of chemical analysis (ESCA) and scratch test. The finding led to the following conclusions : 1. Light microscopic views of the scratch test : The ion-beam-mixed Au/porcelain specimen showed narrower scratched streams than the unmixed specimen. However, the Sn/porcelain, In/porcelain specimens showed no differences in the two conditions. 2. Acoustic emissions in scratch tests : The ion-mixed Au/porcelain, In/porcelain specimens showed signals closer to the metal/porcelain interfaces than unmixed specimens. Conversely, the ion-mixed Sn/porcelain specimen showed more critical signals in superficial portions than unmixed specimens. 3. After ion- beam-mixing, the Au/porcelain specimen showed apparently increased bond strength, and the In/porcelain specimen showed very slightly increased bond strength. However, the Sn/porcelain specimen showed no differences between ion mixed specimen and the unmixed one. 4. ESCA analysis : The ion-beam-mixed Au/porcelain specimen showed a higher peak separated value (4.3eV) than that of the unmixed specimen(3.65eV), the ion-beam-mixed In/porcelain specimen showed a higher peak separated value (9.43eV) than that of the unmixed specimen(7.6eV) and the ion-beam-mixed Sn/porcelain specimen showed a higher peak separated value (8.79eV) than that of the unmixed specimen(8.5eV). 5. Interfacial changes were observed in the ion-mixed Au/porcelain, In/porcelain and Sn/porcelain specimens. Especially, significant interfacial changes were measured in the ion- mixed Sn/porcelain specimen. Tin dioxide(SnO2) and a combination of pure tin and tin dioxide (Sn+SnO2) were produced. 6. In the Au/porcelain specimen, the interfacial chemical reaction showed increased bond strength between gold and porcelain substrate. But, in the In/porcelain, Sn/porcelain specimens, interfacial chemical reactions did not affected the bond strength between metal and porcelain substrate. Especially, bonding strength on the ion mixed Sn/porcelain specimen showed the least amount of difference.

• 대한수학회지
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• 제45권6호
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• pp.1613-1622
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• 2008

Let G be a graph with vertex set V(G) and edge set E(G), and let g, f be two nonnegative integer-valued functions defined on V(G) such that $g(x)\;{\leq}\;f(x)$ for every vertex x of V(G). We use $d_G(x)$ to denote the degree of a vertex x of G. A (g, f)-factor of G is a spanning subgraph F of G such that $g(x)\;{\leq}\;d_F(x)\;{\leq}\;f(x)$ for every vertex x of V(F). In particular, G is called a (g, f)-graph if G itself is a (g, f)-factor. A (g, f)-factorization of G is a partition of E(G) into edge-disjoint (g, f)-factors. Let F = {$F_1$, $F_2$, ..., $F_m$} be a factorization of G and H be a subgraph of G with mr edges. If $F_i$, $1\;{\leq}\;i\;{\leq}\;m$, has exactly r edges in common with H, we say that F is r-orthogonal to H. If for any partition {$A_1$, $A_2$, ..., $A_m$} of E(H) with $|A_i|=r$ there is a (g, f)-factorization F = {$F_1$, $F_2$, ..., $F_m$} of G such that $A_i\;{\subseteq}E(F_i)$, $1\;{\leq}\;i\;{\leq}\;m$, then we say that G has (g, f)-factorizations randomly r-orthogonal to H. In this paper it is proved that every (0, mf - (m - 1)r)-graph has (0, f)-factorizations randomly r-orthogonal to any given subgraph with mr edges if $f(x)\;{\geq}\;3r\;-\;1$ for any $x\;{\in}\;V(G)$.

• Applied Biological Chemistry
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• 제41권1호
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• pp.23-30
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• 1998

B. thuringiensis에서 분리된 cryIB, truncated cryIB$[cryIB({\alpha})]$, cryIA(b), 및 cytA 유전자를 E. coli-Bacillus의 shuttle vector인 pBES에 cloning하여 이 유전자의 동종 혹은 이종발현과 이들 형질전환된 균주에서 생성되는 살충성 결정 단백질의 형태와 특성을 조사하였다. E. coli와 Bacillus의 형질전환은 electroporation으로 이루어졌으며, 효과적인 형질전환을 위한 field strength와 resistance는 E. coli의 경우 11.0 kV/cm와 129 ohms였고, Bacillus의 경우에는 4.5 kV/cm와 48 ohms였다. E. coli나 Bacillus에서 형성되는 살충성 결정 단백질의 전자현미경적인 형태는 원래의 숙주에서 형성된 것과 동일하여 CryIB와 CryIA(b)는 bipyramid 형이고, CytA는 부정형이었으며, 크기는 E. coli에서 형성된 것이 Bacillus에서 형성된 것 보다 작았다. Alkaline pH에서의 살충성 결정 단백질의 용해도는 E. coli의 경우 pH의 증가에 따라 점진적으로 증가되었으나, Bacillus의 경우에는 pH 9 까지는 점진적으로 증가하다가 pH 9 이상에서는 큰 폭으로 증가하여 E. coli의 경우보다 2배 이상의 차이를 보였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2012년도 춘계학술발표대회
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• pp.97.2-97.2
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• 2012

This study examined the utility of two zwitterions, nitrile-functionalized zwitterions and a zwitterion without a nitrile group (MF-ZI), were used as additives along with 1 M $LiPF_6$ in ethylene carbonate (EC):diethylene carbonate (DEC) (3:7 V/V) (E-0) to form an electrolyte solution for use in lithium ion batteries comprising graphite and $LiCoO_2$ electrodes. The presence of NF-ZI (E-NF-ZI) in the electrolyte produced an ion conductivity comparable to that of E-0 and higher than that of an electrolyte containing MF-ZI (E-MF-ZI). Linear sweep voltammetry data revealed that the intensity of the E-NF-ZI reduction peak was lower than that of E-0. Furthermore, the successful formation of an SEI layer in the E-NF-ZI over graphite was confirmed by cyclic voltammetry data. These results were attributed to the adsorption of NF-ZI on the electrode surface, as verified by differential capacity measurements.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권5호
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• pp.1032-1037
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• 2003

보론 도핑된 CdS 박막을 chemical bath deposition법으로 증착하고, 도핑농도에 따른 박막의 구조적, 광학적 특성을 조사하였다. 보론 도핑된 CdS 박막은 XRD 분석 결과 (002)면 방향으로 강한 우선성장 방위를 가지며 육방정(hexagonal) 구조로 성장하였다 보론 도핑에 관계없이 모든 시편은 2.3 eV(녹색 발광) 및 1.6 eV(적색 발광) 부근에서 PL peak을 가지며, 도핑 농도가 증가함에 따라 피크 세기는 감소하였다. 보론 도핑에 따라 CdS 박막의 가시광 영역에서의 광투과율은 향상되었고, 밴드 갭은 증가하였다.