• 제목/요약/키워드: Driving Circuit

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트랜스포머의 자가공진 특성을 이용한 고전압 트랜스포머 설계 (High Voltage Transformer Design using Self-Resonant Characteristics of Transformer)

  • 이승환;조대권
    • 전기전자학회논문지
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    • 제18권1호
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    • pp.31-36
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    • 2014
  • 본 논문에서는 트랜스포머의 자가공진 특성에 대하여 분석하였으며, 부유용량과 권선량, 권선비에 따른 변화관계를 수식으로 정리하였다. 일반적으로 트랜스포머에서의 부유용량은 제작과 관련하여 불요인자로 간주되나, 모든 트랜스포머에서 내재하는 특성을 갖는다. 특히 고역의 구동 주파수에서는 해당 특성이 확연하게 나타남은 주지의 사실이며, 자기적 요소와 결합하여 특정주파수에서 공진형상을 유발한다. 출력이득 값이 높아야 하는 소형 고전압기기, 특히 의료용 응용전기기의 경우 트랜스포머의 자가공진 특성을 이용하면 트랜스포머 및 회로의 사이즈를 줄임과 동시에 시스템의 경량화가 가능하여 추가적 설계 기법으로 제안한다.

ISM 대역용 접힌 다이폴 능동 집적 안테나의 설계 (Design of ISM-band Folded Dipole Active Integrated Antenna)

  • 이재홍;서종수
    • 한국통신학회논문지
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    • 제26권11B호
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    • pp.1612-1619
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    • 2001
  • 본 논문에서는 ISM 대역의 전력 증폭기와 안테나를 직접 결합함으로써 회로 크기와 삽입손실을 최소화하고 고조파 동조를 용이하게 하기 위하여 접힌 다이폴 능동 집적 안테나(Folded Dipole Active Integrated Antenna)를 설계하고 그 성능을 실험, 분석하였다. 전력 증폭기의 시뮬레이션 정확성을 높이기 위하여 비선형 모델을 사용하였으며, Load pull 방식을 적용하여 최대 전력점을 구한 후 임피던스를 정합하였다. 실험 결과 구동증폭기를 포할한 전체 전력첨가효율(PAE)은 31.5%로 계산되었고, 송신 전력은 13.7dBm의 출력을 확인할 수 있었다. 그리고 2.44 GHz 대역용으로 제안한 안테나는 기존 다이폴 안테나보다 크기가 작으며, 안테나 이득을 포함한 전체 이득은 23.7 dB를 얻을 수 있었고, 기본파 대비 제 2 고조파 억압은 30dBc 이상의 양호한 특성을 나타내었다.

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EMS 측정용 광대역 전력 증폭기 설계기술에 관한 연구 (Design Technology of the Wideband Power Amplifier for Electromagnetic Susceptibility Measurement)

  • 조광윤;류근관;홍의석
    • 한국통신학회논문지
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    • 제24권8B호
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    • pp.1464-1471
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    • 1999
  • EMS(Electromagnetic Susceptibility) 시험 중, RF 복사내성 시험에 사용되는 전력증폭기는 80MHz~1000MHz 대역에서 IEC1000-4-3 규격에 맞는 특성을 가져야 한다. 본 논문은 전력 구동단과 고출력 증폭단으로 광대역 전력증폭기를 구성하였으며 임피던스 추정방법을 근간으로 한 광대역 정합 회로 기술과 출력 역반사로부터 증폭 소자를 보호할 수 있는 부정합 보호 회로 기술을 검토, 고찰하였다. 80HMz~300MHz 대역에서 설계, 제작된 전력 증폭기는 100watts 이상의 출력, 40dB 이상의 이득 및 $\pm$0.3dB의 출력 평탄 특성을 얻었으며, 20dBc 이상의 고조파억압 특성을 얻었다. 본 논문의 광대역 고출력 증폭기는 IECI1000-4-3 규격의 EMS 복사내성 시험에 이용할 수 있겠다.

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스위치드 리럭턴스 전동기의 인덕터스 산정에 관한 연구 (A Study on Calculating Inductance Characteristics of Switched Reluctance Motor)

  • 최경호;김동희;노채균;김민희
    • 전력전자학회논문지
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    • 제6권4호
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    • pp.333-340
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    • 2001
  • 본 연구는 SRM의 토크 특성해석과 구동에 필요한 인덕턴스의 산정에 관한 연구이다. SRM의 토크 특성은 인덕턴스 와 전류의 변화로서 나타 낼수 있으나, 자기회로의 비선형적인 특성으로 정확한 인덕턴스 산정은 어려움이 있다. 최근에는 인덕턴스 산정을 위하여 FEM해식이나 피팅계수법이 많이 적용되고 있다. 그러나 FEM에 의한 방법은 많은 시간이 소요되며 구조변경에 따라 재해석이 요구되어진다. 피팅 계수법에 의한 방법은 측정된 인덕턴스에 의해 추정되는 값임으로 초기의 측정이나 해석에는 어려움이 따른다. 본 논문에서는 설계시 얻어지는 간단한 기계구도의 치수를 이용하여 계산에 의한 인덕턴스를 산정하는 간단한 기계구조의 치수를 이용하여 계산에 의한 인덕턴스를 산정하는 간단한 모델과 방법을 제시하였다. 제시된 산정방법의 검증을 위하여 연구 제작된 1[Hp]전동기에 적용하여 FEM해석과 측정에 의한 방법을 각각 비교 검토하였다.

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Variable-Speed Prime Mover Driving Three-Phase Self-Excited Induction Generator with Static VAR Compensator Voltage Regulation-Part H : Simulation and Experimental Results-

  • Ahmed, Tarek;Nagai, Schinichro;Soshin, Koji;Hiraki, Eiji;Nakaoka, Mutsuo
    • KIEE International Transaction on Electrical Machinery and Energy Conversion Systems
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    • 제3B권1호
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    • pp.10-15
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    • 2003
  • This paper presents the digital computer performance evaluations of the three-phase self-excited induction generator (SEIG) driven by the variable speed prime mover such as the wind turbine using the nodal admittance approach steady-state frequency domain analysis with the experimental results. The three-phase SEIG setup is implemented for small-scale rural renewable energy utilizations. The experimental performance results give a good agreement with those ones obtained from the digital computer simulation. Furthermore, a feedback closed-loop voltage regulation of the three-phase SEIG as a power conditioner which is driven by a variable speed prime mover employing the static VAR compensator (SVC) circuit composed of the thyristor phase controlled reactor (TCR) and the thyristor switched capacitor(TSC) is designed and considered herein for the wind-turbine driven the power conditioner. To validate the effectiveness of the SVC-based voltage regulator of the terminal voltage of the three-phase SEIG, an inductive load parameter disturbances in stand-alone are applied and characterized in this paper. In the stand-alone power utilization system, the terminal voltage response and thyristor triggering angle response of the TCR are plotted graphically. The simulation and the experimental results prove the effectiveness and validity of the proposed SVC which is controlled by the Pl controller in terms of fast response and high performances of the three-phase SEIG driven directly by the rural renewable energy utilization like a variable-speed prime mover.

고속통신 시스템 응용을 위한 3 V 12b 100 MS/s CMOS D/A 변환기 (A 3 V 12b 100 MS/s CMOS DAC for High-Speed Communication System Applications)

  • 배현희;이명진;신은석;이승훈;김영록
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제40권9호
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    • pp.685-691
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    • 2003
  • 본 논문에서는 고속 통신 시스템 응용을 위한 12b 100 MS/s CMOS D/A 변환기(DAC) 회로를 제안한다. 제안하는 DAC는 전력소모, 면적, 선형성 및 글리치 에너지 등을 고려하여, 상위 8b는 단위 전류셀 매트릭스 (unit current-cell matrix)로 나머지 하위 4b는 이진 전류열 (binary-weighted array)로 구성하였다. 제안하는 DAC는 동적 성능을 향상시키기 위해 새로운 구조의 스위치 구동 회로를 사용하였다. 시제품 DAC회로 레이아웃을 위해서는 캐스코드 전류원을 단위 전류셀 스위치 매트릭스와 분리하였으며, 제안하는 칩은 0.35 um single-poly quad-metal CMOS 공정을 사용하여 제작되었다. 측정된 시제품의 DNL 및 INL은 12b 해상도에서 각각 ±0.75 LSB와 ±1.73 LSB이내의 수준이며, 100 MS/s 동작 주파수와 10 MHz 입력 주파수에서 64 dB의 SFDR을 보여준다. 전력 소모는 3 V의 전원 전압에서 91 mW이며, 칩 전체 크기는 2.2 mm × 2.0 mm 이다.

새로운 고속, 저전력 TFT-LCD 구동 방법 (A New High speed, Low Power TFT-LCD Driving Method)

  • 박수양;손상희;정원섭
    • 전기전자학회논문지
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    • 제10권2호통권19호
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    • pp.134-140
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    • 2006
  • 본 논문에서는 상위 수준 합성에서 연산자들의 스위칭 최소화를 통한 저 전력 자원 할당 알고리즘을 제안했다. 본 논문에서는 이미 스케줄링 된 CDFG를 대상으로 전력 소모의 원인이 되는 스위칭 동작을 최소화하는 자원할당 알고리즘을 제안한다. 제안된 알고리즘은 DSP 분야의 회로나 필터를 대상으로 연산자가 소모하는 전력을 최소화 하고자 한다. 스케줄링 된 CDFG상에 있는 여러 개의 연산은 자원공유를 통하여 같은 기능 장치에 구현될 수 있다. 이런 경우 두 개의 연속적인 연산의 실행사이에 각 연산의 입력 변수들이 연속적으로 변화하기 때문에 기능장치의 스위칭동작이 변하게 된다 이때 자원할당 과정에서 기능장치의 입력 신호들 사이의 스위칭동작과 상관관계를 고려하여 소비전력을 감소시킨다. 본 논문에서 제안하는 방법을 이용하여 자원할당을 할 경우 기존 방법과 비교했을 때 그 수행속도는 사용하는 연산자의 수와 최다 제어 단계에 따라서 빨라 질 수 있다. 그리고 소모하는 전력의 경우, 작게는 8.5%에서 9.3%까지 감소효과가 있다.

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Influence of para-orientating Methoxyl Units on the Electronic Structures and Light Absorption Properties of the Triphenylamine-based dyes by DFT Study

  • Liang, Guijie;Xu, Jie;Xu, Weilin;Wang, Luoxin;Shen, Xiaolin;Yao, Mu
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제32권7호
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    • pp.2279-2285
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    • 2011
  • The geometries, electronic structures and absorption spectra of the two organic triphenylamine-based dyes TA-St-CA and TA-DM-CA, containing identical electron donors and acceptors but the different conjugated bridges, were studied by density functional theory (DFT) at the B3LYP and PBE1PBE levels, respectively. The influence of para-orientating methoxyl units on the electronic structures and light absorption properties of the dyes and the consequent photovoltaic performance of the dye-sensitized solar cells (DSSCs) were investigated in detail. The results indicate that the introduction of the para-orientating methoxyl units into the conjugated bridge induces the increased absorption wavelength as well as the more negative EHOMO corresponding to the bigger driving force $(E_{I^-/I^-_3}-E_{HOMO})$ for dye reduction, which together improve the photovoltaic performance of TA-DM-CA, although there is a decline of the open circuit voltage caused by the more negative $E_{LUMO}$.

Ohm의 법측(法測)을 이용(利用)한 물 이동(移動)의 수학적(數學的) 해석(解析) (A Mathematical Analysis of Water Flow Model Using Ohm's Analogy)

  • 정영상
    • 한국토양비료학회지
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    • 제14권1호
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    • pp.1-7
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    • 1981
  • 토양(土壤)-근계(根系)에 있어서 물 흡수이동(吸收移動)을 ohm의 법측(法測)을 이용(利用)하여 전기회로(電氣回路) 상사모형(相似模型)으로 표현(表現)하고 그 계(系)의 분석해(分析解)를 구(求)하였다. 그 결과(結果) 토양계(土壤系)의 "유효토양수(有效土壤水) Potential($\hat{\psi}_s$)"과 근계(根系)의 "유효근저항(有效根抵抗)($\hat{R}_{\tau}$)"을 정의(定義)하였다. $$\hat{\psi}_s-\hat{R}_{\tau}g_{\tau}={\psi}_0$$ 포장상태(圃場狀態)에서 얻어진 작물(作物)의 Crown water potential(${\psi}_0$)와 Radial resistance(Ra) 및 Axial resistance(Rx)를 근거(根據)로 이 모형(模型)을 검정(檢定)한 결과(結果) 그 타당성이 인정(認定)되었으며 앞으로 토양(土壤)-근계(根系)의 물 이동(移動) 측면(側面)에서 유효토양수분량(有效土壤水分量)과 뿌리의 역할(役割)을 구명(究明)하는데 중요(重要)한 의미(意味)를 갖고 있다고 판단(判斷)된다.

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새로운 트렌치 게이트 MOSFET 제조 공정기술 및 특성 (A New Manufacturing Technology and Characteristics of Trench Gate MOSFET)

  • 백종무;조문택;나승권
    • 한국항행학회논문지
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    • 제18권4호
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    • pp.364-370
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    • 2014
  • 본 논문에서는 트렌치 게이트 MOSFET에 적용을 위한 고 신뢰성을 갖는 트렌치 형성기술과 고품격의 제조기술을 제안하였다. 이는 향후 전력용 MOSFET 에 널리 적용이 가능하다. 트렌치 구조는 DMOSFET에서 셀 피치크기를 줄여서 Ron 특성을 개선하거나 대다수 전력용 IC에서 전력용 소자를 다른 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 소자로부터 독립시킬 목적으로 채용된다. 마스크 레이어를 사용하여 자기정렬기술과 산화막 스페이서가 채용된 고밀도 트렌치 MOSFET를 제작하기 위한 새로운 공정방법을 구현하였다. 이 기술은 공정 스텝수를 감소시키고 트렌치 폭과 소오스, p-body 영역을 감소시킴으로써 결과적으로 셀 밀도와 전류 구동성능을 증가시키며 온 저항의 감소를 가져왔다.