• 한국지반공학회지:지반
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• 제13권3호
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• pp.5-20
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• 1997

본 연구에서는 유한변형률 이론에 근거하여 3차원 압밀 지배 방정식을 유도하였다. 이 방정식은 비교적 압밀층의 두께가 두꺼운 경우, 비선형 물성치, 공극비에 따른 비선형 투수계수를 갖는 지반에 적합하다. 기존의 유한차분 수치해석 기법(FTCS)은 지배 방정식이 비선형 이며 복잡한 경우 안정된 해를 얻을 수 없기 때문에 본 연구에서는 특수 유한 차분 기법을 도입하였다. 이 수치해석 기법을 지배 방정식에 적용하면 시간에 따른 압밀량을 예측할 수 있다. 본 해석기법에 의해 구해진 값들을 윅드레인을 설치한 여러 가지 고압축성 토질에서의 실험 결과와 비교한 결과, 최종 압밀량과 시간에 따른 압말량이 잘 일치하고 있다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2000년도 추계종합학술대회
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• pp.490-493
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• 2000

소자의 고집적을 위한 특성분석 기술은 빠른 변화를 보이고 있다. 이에 따라 고집적 소자의 특성을 시뮬레이션을 통하여 이해하고 이에 맞게 제작하는 기술은 매우 중요한 과제 중의 하나가 되었다. 소자가 마이크론급 이하로 작아지면서 그에 맞는 소자개발을 위해 여러 가지 구조가 제시되고 있는데 본 논문에서는 TCAD를 이용하여 여러 가지 구조 중on서 고농도로 도핑된 ground plane 위에 적층하여 만든 EPI MOSFET를 조사하였다. 이 구조의 특성과 임펙트 이온화와 전계 그리고 I-V특성 곡선을 저 농도로 도핑된 Drain(LDD) MOSFET와 비교 분석하였다. 또한 TCAD의 유용성을 조사하여 시뮬레이터로서 적합함을 제시하였다.

• 한국지반공학회지:지반
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• 제13권2호
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• pp.39-54
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• 1997

연약지반 개량공법으로 국내에서 생산된 플라스틱 보드 드레인(PBD)이 많이 사용되고 있으나 이들에 대한 물리적 성질 및 배수성능의 검증이 미약한 실정이다. 또한 PBD의 웰 레지스턴스(well resistance)에 크게 영향을 미치는 공기(기포)의 영향에 대한 인식이 부족하다고 판단된다. 따라서 본 연구에서는 대형 실험장치를 이용하여 먼저 국산 PBD를 중심으로 물리적 성질 및 배수성능 시험을 실시하여 제품의 질적 수준을 규명하고 대표적인 국외제품과 비교했다. 아울러 PBD재의 꺾임 부분에 누적된 공기(기포)가 통수능력에 지장을 초래하는 것을 재확인하였으며 현장에서 적용할 수 있는 진공펌프를 이용하여 필기(기포)를 제거시키므로써 통수능력의 회복이 가능하다는 것을 나타냈다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2000년도 춘계종합학술대회
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• pp.470-473
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• 2000

지난 10여 년 동안 MOSFET는 전력감소, 도핑농도 증가, 캐리어 속도 증가를 위해서 많은 변화를 가져왔다. 이러한 변화를 받아들이기 위해서, 채널의 길이와 공급되어지는 전압이 감소해야만했으며, 그것으로 인해 소자가 더욱 작아지게 되었다. 그러므로 본 논문은 이러한 변화를 위해 채널의 길이와 전압에 의한 MOSFET 구조에서의 변화를 관찰하고, 드레인과 게이트 사이에서의 임팩트 이온화의 변화를 관찰하였다. 본 논문은 세 가지의 모델 즉, conventional MOSFET와 LDD(lightly doped drain) MOSFET, EPI MOSFET을 제시하였다. 게이트 길이는 0.15um, 0.075um을 사용하였고, 스케일링계수는 λ = 2를 사용하였다 스케일링방법은 Constant-Voltage 스케일링으로 하였고, TCAD를 사용하여, 스케일링에 의한 MOSFET의 특성과 임팩트 이온화, 전계를 비교 분석하였으며, 최적의 채널과 도필 농도에 대하여 분석하였다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제11권10호
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• pp.989-994
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• 2016

본 연구는 논에 적용된 수위센서, 송수구 그리고 배수구 장치를 통하여 수위 관리를 수행 한다. 게이트웨이는 LoRa 접속을 통하여 수위센서 물높이 정보를 IoT(: Internet of Thing) 플랫폼에 oneM2M(: Machine to Machine) 규격으로 정보전달 한다. IoT 플랫폼에서 요청하는 물의 높이에 따라서, 게이트웨이는 송수구 또는 배수구 모터 스위치를 On 또는 Off하고 수위센서 정보를 전달한다. IoT 플랫폼은 물높이의 조건에 따라 지능적인 어플리케이션 기능을 수행한다.

• 전기전자학회논문지
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• 제11권3호
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• pp.95-99
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• 2007

본 논문에서는 고온 환경에서의 대칭형 HV-MOSFET과 비대칭형 HV-MOSFET 구동 소자들의 채널길이, 확장 드레인 영역의 길이의 변화에 따른 전기적 특성변화를 실험을 통해 분석 하였으며 각각의 구조별로 고온 환경에서 확장 드레인의 길이와 채널 길이의 변화에 따른 전기적 특성을 분석하였다. 실험 결과 비대칭 구조는 400K의 온도에서 드레인 전류가 300K에서 보다 약 25% 이상 감소하였고, 트랜스 컨덕턴스는 약 40% 감소, 온 저항은 약 30% 증가 하는 것을 알 수 있었다. 이러한 변화는 주로 온도 증가에 따른 캐리어 이동도의 감소에 따른 현상으로 사료 된다. 대칭 구조의 경우는 비대칭 구조보다 드레인 전류와 트랜스 컨덕턴스의 변화폭이 적었으며 각각 20%, 35%감소를 보였으며, 온 저항은 확장 드레인영역이 길어져 35%의 더 큰 증가량을 보였다. 주로 고온 환경에서 동작하는 고전압 MOSFET(HV-MOSFET)의 설계 시에는 고온 환경을 고려한 소자의 설계가 요구되며, 각 설계변수의 최적화가 필요하다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제49권4호
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• pp.1-6
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• 2012

본 논문에서는 고주파에서 동작하는 터널링 전계효과 트랜지스터 (TFET)의 소신호 파라미터 추출과 이에 대한 분석을 다루고 있다. 시뮬레이션으로 구현된 TFET의 채널 길이는 50 nm에서 100 nm 사이에서 변화되었다. Conventional planar MOSFET 기반의 quasi-static 모델을 이용하여 TFET의 파라미터 추출이 이루어졌으며 다른 채널 길이를 갖는 TFET에 대한 소신호 파라미터의 값을 게이트 바이어스 변화에 따라서 추출하였다. 추출 결과로부터 effective gate resistance와 transconductance, source-drain conductance, gate capacitance 등 주요 파라미터의 채널 길이 변화에 따른 경향성이 conventional MOSFET과 상당히 다른 것을 확인하였다. 그리고 $f_T$는 MOSFET과 달리 게이트 길이 역수의 값에 정확히 반비례하는 특성을 보였으며 TFET의 고주파 특성 향상을 transconductance의 개선이 아닌 gate capacitance의 감소에 의하여 가능함을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2007년도 추계종합학술대회
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• pp.751-753
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• 2007

최근에 유기물 전계효과 트랜지스터의 연구는 전자 소자 분야에서 널리 알려져 있다. 특히 본 연구에서는 CuPc 물질을 활성층으로 사용하여 Organic FET 소자를 제작하였다. Source와 Drain 전극을 Au와 Al을 사용하여 FET 소자의 전기적 특성을 비교하였다. CuPc FET 소자에서 CuPc 활성층의 두께는 40nm로 고정하였고, Au와 Al 전극의 두께는 200nm로 하여 소자를 제작하였다. 또한 C-V 특성을 측정하여 CuPc 유기물 층과 $SiO_2$ 절연층 계면에서의 특성 변화를 관측하였다. Au를 전극으로 사용한 FET 소자에서는 전형적인 FET 특성 곡선을 관측할 수 있었으나, Al을 전극을 사용한 FET 소자에서는 누설 전류가 흐르고 있음을 확인 할 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제24권3호
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• pp.140-144
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• 2014

The contact mechanism of devices is usually researched at electrode contacts. However, the contact between a dielectric and channel at the MOS structure is more important. The graphene was used as a channel material, and the thin film transistor with MOS structure was prepared to observe the contact mechanism. The graphene was obtained on Cu foil by the thermal decomposition method with $H_2$ and $CH_4$ mixed gases at an ambient annealing temperature of $1000^{\circ}C$ during the deposition for 30 min, and was then transferred onto a $SiO_2/Si$ substrate. The graphene was doped in a nitrogen acidic solution. The chemical properties of graphene were investigated to research the effect of nitric atoms doping. The sheet resistance of graphene decreased after nitrogen acidic doping, and the sheet resistance decreased with an increase in the doping times because of the increment of negative charge carriers. The nitric-atom-doped graphene showed the Ohmic contact at the curve of the drain current and drain voltage, in spite of the Schottky contact of grapnene without doping.

• STI Policy Review
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• 제1권2호
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• pp.1-18
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• 2010

The development and maintenance of human capacity in economies is critical to long term competitiveness, but also for the overall health and environment of regions. Yet, human science and technology-based capacity is multidimensional and has interrelated characteristics which present certain policy challenges. This paper addresses a range of issues specific to a discussion on human capacity in S&T. First, the paper emphasizes the importance of acknowledging the complexity of human capacity issues and how they evolve along the STEM (science, technology, engineering, and mathematics) pipeline. The pipeline is an often used reference to describe the training and development in STEM disciplines, from early childhood education, to more advanced training, and finally to professional collaboration and interaction and serves as a useful organizing framework for the discussion of capacity along the career evolution process. Second, the paper offers an organizing framework for discussion of policy mechanisms that have been developed to address issues and gaps that occur along this STEM pipeline. Specifically, it contrasts the traditional mechanisms of building human capacity in STEM areas with newer "gap filling" and integrated approached to addressed human capacity disparities and priorities. Third, the paper addresses core challenges in human capacity in STEM, including the education and training, participation of women and underrepresented groups, brain drain/brain circulation issues, and the globalization of science. The paper concludes with a discussion of policy implication for the development of human capacity.