A Pd-SiC Schottky diode for detection of hydrogen gas operating at high temperature was fabricated. Hydrogen-sensing behaviors of Pd-SiC Schottky diode have been analyzed as a function of hydrogen concentration and temperature by I-V and ${\Delta}I$-t methods under steady-state and transient conditions. The effect of hydrogen adsorption on the barrier height was investigated. Analysis of the steady-state kinetics using I-V method confirmed that the atomistic hydrogen adsorption process is responsible for the barrier height change in the diode.
International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
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v.8
no.2
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pp.80-84
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2007
We propose a new displacement measurement method using a phase modulation homodyne interferometer and a tunable laser diode as a light source to determine an arbitrary length with a resolution in the order of 10 pm. In the proposed instrument, the displacement of a movable mirror in the interferometer can be converted to a frequency shift of the tunable laser diode. We discuss the principles of the proposed method, the instrumentation, and the experimental results, and compare the proposed method with two commercial displacement sensors. The commercial sensors used are a heterodyne interferometer, the interpolation error of which is also measured, and a capacitive sensor.
Recent advances in room-temperature, visible and near-IR diode laser sources for telecommunication, optical data storage applications are enabling combustion diagnostics system based on diode laser absorption spectroscopy. In contrast to some traditional sampling-based gas-sensing instruments, tunable diode laser absorption spectroscopy system is advantageous because of their non-invasive nature, high sensitivity, fast response time and real-time measurement capability. So, combined with fiber-optics and high sensitive detection strategies, compact and portable sensor system arc now appearing for a variety of applications. The objective of this research is to take advantage of distributed feed-back diode laser and measure the $CO_{2}$ concentration (by using direct absorption and wavelength modulation spectroscopy methods). In addition to survey spectra of $CO_{2}$ bands and spectroscopic parameters between 1565 and 1579 run were computed at temperatures between 296 and 1200 K (by using HITRAN 2000 database). It experimentally found out that the features of direct absorption and wavelength modulation spectroscopy methods.
Si PIN diodes are subject to be damaged from the exposure of fast neutron by displacement of Si lattice structure. The defects are effective recombination centers for carriers which migrate through the base region of the PIN diode when forward voltage is applied. It causes an increase in current and a decrease in resistivity of the diode. This paper presents the development of a neutron sensor based on displacement damage effect. PIN diodes having various structures were made bymicro-fabrication process, and neutron beam test was performed to identify neutron damage effect to the diode. From a result of the test, it was shown that the forward voltage drop of the diode, at a constant current, has good linearity for neutron dosage. Also it was found that the newton dosage can be measured by the pin diode neutron dosimeter with constant current power.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2012.05a
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pp.869-871
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2012
In this paper, we make silicon photodiodes for the detection of pulsed radiation that affects electronics devices and study the output characteristics of photodiodes using circuit design. We conducted the simulation for pulse sensing circuit and experimented the photodiode output characteristics using a high luminance light emitting diode. The results can be used for the design of the input sensor that is trigger of additional module for protecting a electoronics circuit from high energy pulse radiation.
Kim, Ji-Man;Jung, Jin-Woo;Kwon, Bo-Min;Park, Ju-Hong;Park, Yong-Su;Lee, Je-Won;Song, Han-Jung
전자공학회논문지 IE
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v.46
no.4
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pp.8-15
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2009
In this paper, we are indicated CMOS Image sensor circuit SPICE analysis for the Photo Diode and pixel Modeling. We get a characteristic of the photoelectric current using a device simulator Medici and develop the Photodiode model for applying a SPICE simulation. For verifying the result, We compared the result of SPICE simulation with the result of mixed mode simulation about the testing circuit structure consisted photodiode and NMOS.
Kim, Jin-Su;Jung, Jin-Woo;Kang, Myung-Hun;Noh, Ho-Sub;Kim, Jong-Min;Lee, Jae-Woon;Song, Han-Jung
Journal of Sensor Science and Technology
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v.17
no.1
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pp.41-52
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2008
In this paper, a circuit analysis of the complementary CMOS active pixel and readout circuit is carried out. Complementary pixel structure which is different from conventional 3TR APS structure is consist of photo diode, reset PMOS, several NMOSs and PMOSs sets for complementary signals. Photo diode is modelled with Medici device program. HSPICE was used to analyze the variation of the signal feature depending on light intensity using $0.5{\mu}M$ standard CMOS process. Simulation results show that the output signal range is from 0.8 V to 4.5 V. This signal range increased 135 % output dynamic range compared to conventional 3TR pixel in the condition of 5 V power supply.
Planar PIN photodiode is compatible with LTPS process, and its fabrication requires no additional manufacturing process. In this study we design the optimum dimension of PIN diodes with two nitride layers to improve the efficiency of PIN diodes. The PIN photo sensor shows very good sensitivity to ambient light illuminance.
Characteristics of an active pixel switch readout circuit were studied by SPICE simulation. A simple readout circuit consists of an operation amplifier, a diode, and a down-counter was suggested, and its successful operation was verified by showing that the differences in the detected signal intensity are accordingly converted to modulation of the voltage pulses generated by the comparator. A scheme to use these pulses to generate the original image was also put forward.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.20
no.10
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pp.141-147
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2003
This paper represents an absolute positioning system using a light navigation path for mobile robot. The absolute positioning system is composed of the projector unit which generates a laser beam using laser diode and mobile robot with the optical detector which has some optical sensors. The projector unit is fixed over the navigating plane of mobile robot to generate the light navigation path, and the optical detector located upper part of mobile robot detects the generated laser beam from the projector. The navigation of mobile robot is controlled by the micro-processor which compares the detected present position from the detector with the previously programmed navigation path. And experimental results show that our sensor system can be used for the absolute positioning system of the mobile robot.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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