• 한국정보통신학회논문지
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• 제15권4호
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• pp.891-896
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• 2011

이 논문에서는 전류 컨베이어 회로를 이용하여 입력 전압의 차에 비례하는 주파수 신호를 생성하는 회로를 설계하였다. 설계된 회로는 HSPICE를 이용하여 회로의 동작을 분석하였으며, 입력 전압 차는 수V에서 수mV 단위까지 변화시키면서 출력 주파수를 시뮬레이션하였다. 회로의 시뮬레이션 결과 이론적인 계산값과 비교하였을 때 에러는 -1.9%에서 +1.8% 이내였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2002년도 추계종합학술대회
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• pp.473-476
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• 2002

고도로 발달된 정보화 시대에서 우리가 원하는 정보를 짧은 시간, 적은 비용으로 서로 주고받기 위해서는 이것에 맞는 시스템이 요구된다. 반도체 chip의 대용량과 고속화됨으로써 TTL, LVTTL 등이 data 100Mbps 정도를 안전하게 전달 할 수 있는 능력이 있으므로 그 이상을 전달할 수 있는 새로운 Logic level이 필요하게 되었다. 이에 맞추어 신호 level의 여러 가지 중 본 논문에서는 Virtex II XC2V 1000 FF896을 이용하여 Differential I/O LVDS(Low Voltage Differential Signaling) level 특성을 clock, Data와의 전송 관계를 Eye_Pattern을 통해 살펴보았다.

• 한국항공우주학회지
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• 제33권2호
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• pp.113-118
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• 2005

본 논문은 한쪽 또는 양쪽의 측정 점들이 종래의 차동증폭기에서 허용되는 전압 범위를 초과할 때 차동전압 측정을 위한 인공위성 배터리 셀 전압 감시 시스템을 제시하였다. 본 시스템은 다수개의 직렬로 연결된 셀들로 구성된 재충전 가능한 인공위성 배터리에서 몇몇의 셀 전압들이 높은 공통모드 전압에서 측정될 때 각 셀 전압 감시를 위해 특히 유용하다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권10호
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• pp.70-78
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• 2009

본 논문에서는 고속 저전압 차동 신호(Low-Voltage Differential Signaling, LVDS) 전송방식의 응용을 위한 전송선 분석 및 설계 최적화 방법을 제안한다. 차동 전송 경로 및 저전압 스윙 방법의 발전으로 인해 저전압 차동 신호 전송방식은 데이터 통신 분야, 고 해상도 디스플레이 분야, 평판 디스플레이 분야에서 매우 적은 소비전력, 개선된 잡음 특성 및 고속 데이터 전송률을 제공한다. 본 논문은 차동 유연성 인쇄 회로 보드(flexible printed circuit board, FPCB) 전송선에서 선 폭, 선 두께 및 선간격과 같은 전송선 설계 변수들의 최적화 기법을 이용하여 직렬 접속된 전송선에서 발생하는 임피던스 부정합과 신호 왜곡을 감소시키기 위해 개선 모델과 개발된 수식을 제안한다. 이러한 차동 FPCB 전송선의 고주파 특성을 평가하기 위해 주파수 영역에서 전파(full-wave) 전자기 시뮬레이션 및 시간 영역 시뮬레이션을 각각 수행하였다. 본 논문에서 제안하는 방법은 저전압 차동 신호 방식의 응용을 위한 고속 차동 FPCB 전송선을 최적화하는데 매우 도움이 되리라 믿는다.

• IEIE Transactions on Smart Processing and Computing
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• 제5권2호
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• pp.71-76
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• 2016

A controller area network (CAN) receiver measures differential voltage on a bus to determine the bus level. Since 3.3V transceivers generate the same differential voltage as 5V transceivers (usually ${\geq}1.5V$), all transceivers on the bus (regardless of supply voltage) can decipher the message. In fact, the other transceivers cannot even determine or show that there is anything different about the differential voltage levels. A new CMOS RC oscillator insensitive supply voltage for clock generation in a CAN transceiver was fabricated and tested to compensate for this drawback in CAN communication. The system consists of a symmetrical circuit for voltage and current switches, two capacitors, two comparators, and an RS flip-flop. The operational principle is similar to a bistable multivibrator but the oscillation frequency can also be controlled via a bias current and reference voltage. The chip test experimental results show that oscillation frequency and power dissipation are 500 kHz and 5.48 mW, respectively at a supply voltage of 3.3 V. The chip, chip area is $0.021mm^2$, is fabricated with $0.18{\mu}m$ CMOS technology from SK hynix.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제13권3호
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• pp.207-212
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• 2013

A new CMOS voltage-bias differential LC voltage-controlled oscillator (LC-VCO) with active source degeneration is proposed. The proposed degeneration technique preserves the quality factor of the LC-tank which leads to improvement in phase noise of VCO oscillators. The proposed VCO shows the high figure of merit (FOM) with large tuning range, low power, and small chip size compared to those of conventional voltage-bias differential LC-VCO. The proposed VCO implemented in 0.18-${\mu}m$ CMOS shows the phase noise of -118 dBc/Hz at 1 MHz offset oscillating at 5.03 GHz, tuning range of 12%, occupies 0.15 $mm^2$ of chip area while dissipating 1.44 mW from 0.8 V supply.

• 전기전자학회논문지
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• 제10권2호통권19호
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• pp.141-148
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• 2006

In this study, the design of advanced LVDS(Low Voltage Differential Signaling) I/O interface circuit with new structural low triggering ESD (Electro-Static Discharge) protection circuit was investigated. Due to the differential transmission technique and low signal swing range, maximum transmission data ratio of designed LVDS transmitter was simulated to 5Gbps. And Zener Triggered SCR devices to protect the ESD Phenomenon were designed. This structure reduces the trigger voltage by making the zener junction between the lateral PNP and base of lateral NPN in SCR structure. The triggering voltage was simulated to 5.8V. Finally, The high speed I/O interface circuit with the low triggered ESD protection device in one-chip was designed.

• 전자공학회논문지A
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• 제29A권7호
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• pp.82-88
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• 1992

This paper presents one of the first comprehensive studies of how hot electron degradation impacts the input offset voltage of a CMOS differential amplifiers. This study utilizes the concept of a virtual source-coupled MOSFET pair in order to evaluate offset voltaged egradation directly from individual device measurement. Next, analytical models are developed to describe the offset voltage degradation. These models are used to examine how hot electron induced offset voltage is affected with the device parameters.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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• pp.581-582
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• 2008

This paper describes novel bootstrapped CMOS differential logic family operating at near-Vth supply voltage. The proposed logic family provides improved switching speed by utilizing voltage bootstrapping for the supply voltage approaching device thresholds. The circuit is configured as differential structure having single bootstrapping capacitor, minimizing area overhead and providing complete logic composition capability. A 64-bit adder designed using the proposed technique in a 0.18um CMOS process provides up to 79% improvement in terms of power-delay product as compared to the conventional adder designed with DCVS.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제7권2호
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• pp.64-68
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• 2007

An InGaP/GaAs HBT based differential Colpitts voltage control oscillator(VCO) is presented in this paper. In the VCO core, two switching transistors are introduced to steer the core bias current to save power. An LC tank with an inductor quality factor(Q) of 11.4 is used to generate oscillation frequency. It has a superior phase noise characteristics of -130.12 dBc/Hz and -105.3 at 1 MHz and 100 kHz frequency offsets respectively from the carrier frequency(1.566 GHz) when supplied with a control voltage of 0 volt. It dissipates output power of -5.3 dBm. Two pairs of on-chip base collector (BC) diodes are used in the tank circuit to increase the VCO tuning range(168 MHz). This VCO occupies the area of $1.070{\times}0.90mm^2$ including buffer and pads.