• 미생물학회지
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• 제51권2호
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• pp.181-185
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• 2015

Tho2/THOC2는 전사 과정을 mRNA 성숙 및 방출과 연결함으로써 mRNP의 생성에 중요한 역할을 담당하는 THO 복합체의 구성인자이다. 분열효모 Schizosaccharomyces pombe의 유전체 데이터에서 Tho2/THOC2의 이종상동체를 찾아 기능을 분석하였다. 4분체 분석 결과 이 유전자는 생장에 필수적이었다. S. pombe tho2 유전자의 발현을 억제하거나 과발현시키면 생장이 저해되는데, 세포의 길이가 길어지고 비정상적인 DNA분포와 $poly(A)^+$ RNA가 핵 안에 축적되는 표현형을 보였다. 또한 정상적인 기능을 가진 GFP-Tho2 단백질은 주로 핵 안에 존재하였다. Yeast two-hybrid 분석에서 Tho2는 THO 복합체의 또 다른 구성인자인 Tex1과 상호작용을 하였다. 이와 같은 결과들은 S. pombe의 Tho2 상동체도 THO 복합체의 구성인자로 mRNA 방출에 관여하고 있음을 시사한다.

• 미생물학회지
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• 제52권3호
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• pp.383-387
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• 2016

분열효모 Schizosaccharomyces pombe의 cdc31 유전자는 진화적으로 잘 보존된 $Ca^{2+}$-결합 centrin/CDC31 계열에 속하며 방추극체(spindle pole body)의 한 성분인 단백질을 암호화하고 있다. 이 논문에서는 S. pombe의 Cdc31 단백질이 방추극체뿐만 아니라 TREX-2 복합체의 구성인자로서 mRNA의 핵에서 세포질로의 방출에 영향을 미치는지 알아보았다. cdc31 유전자의 발현을 억제하면 생장 결함을 보였고, $poly(A)^+$ RNA도 핵 안에 축적되는 현상을 보였다. 한편 cdc31 유전자를 과발현시키면, 생장과 mRNA 방출에 결함을 보이진 않았지만 세포의 길이가 길어지는 형태를 보였다. Yeast two-hybrid 분석에서 Cdc31 단백질은 TREX-2 복합체의 또 다른 구성인자인 Sac3 그리고 Pci2와 상호작용을 하였다. 이와 같은 결과들은 S. pombe의 Cdc31 단백질도 역시 TREX-2 복합체의 구성인자로 mRNA 방출에 관여하고 있음을 시사한다.

• 공업화학
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• 제27권5호
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• pp.546-550
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• 2016

국내 토양오염의 60~70% 이상이 석유제품에 의한 오염이며, 석유제품에 의해 토양오염이 발생될 경우, 토양환경보전법 상 B T E X와 total petroleum hydrocarbon (TPH)를 분석하도록 명시하고 있다. 본 연구에서는 국내 유통 중인 석유제품에 대한 구간별 TPH 패턴을 분석하였다. 또한 $C_8{\sim}C_{40}$ 구간만을 분석하는 현행 토양오염공정시험기준의 문제점을 보완하여 석유제품 내 TPH를 정량분석 하였다. 분석결과, 토양오염공정시험기준 분석조건으로 분석한 결과값과 보완된 분석방법을 이용했을 시, 휘발유와 용제 1호 같은 저비점 유류의 경우, 최대 85%의 차이가 발생하는 것을 확인하였다.

• 대한화학회지
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• 제31권4호
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• pp.301-307
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• 1987

600~$1050^{\circ}C$와 $1{\times}10^{-6}\~\1{\times}10^2\;torr$에서 고순도의 $La_2O_3$의 전기전도도가 연구되었다. 결합구조 및 반도체형이 온도 및 산소분압의 함수로 연구되었으며 위의 온도 및 산소압력의 영역에서 $La_2O_3$의 전도도값은 $1{\times}10^{-9}\~\1{\times}10^{-3}\(ohm{-}cm)^{-1}$ 로 나타났다. 전기전도도의 산소압력의존성은 $700^{\circ}C$에서 5.7, $1,000^{\circ}C$에서 5.3이며 $700^{\circ}C$이하의 낮은 오도영역에서는 9~14의 값은 나타내었다. 온도 감소에 따른 n값의 증가는 ${\alpha}-La_2O_3$의 전기전도가 단순한 전도메카니즘을 나타내지 않는다는 사실을 보여준다. 낮은 산소압력에서 전기운반체는 금속공위가 아니라 산소이온이다. 또한 낮은 온도영역에서 전기전도는 이온성을 띄며 높은 온도영역에서는 전자전도성을 나타낸다.

• 대한화학회지
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• 제35권6호
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• pp.625-629
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• 1991

Lead Oxide를 2.5, 5.0, 7.5 및 10.0 mol%를 함유하는 Niobium Oxide-Lead Oxide계의 전기전도도를 2.0${\times}$$10^{-1}$${\sim}$1.0${\times}$$10^{-5}$ atm의 산소 부분압력하에서 700${\sim}$$1100^{\circ}C$의 온도에서 측정하였다. 본 계의 전기전도도는 PbO mol%가 증가함에 따라 감소하며 $10^{-5}$${\sim}$$10^{-1}$ $ohm^{-1}$ $cm^{-1}$ 범위에서 변하였다. 전기전도도의 활성화에너지는 약 1.70 eV이다. 전기전도도의 산소 부분압력 의존성은 높은 산소 부분압력에서는 이온 및 전자 전도성을 가진 혼합 전도체이고 낮은 산소 부분압력에서는 산소 부분압력의 -1/4승에 비례하는 의존성을 가진 n-type 전자 전도성을 나타내고 있다. 그 계의 결합구조와 전기전도 메카니즘을 얻어진 데이타와 관련시켜 논의하였다.

• 대한화학회지
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• 제31권5호
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• pp.406-412
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• 1987

2.5 및 5.0mol% cd로 도프된 ${\alpha}-Fe_2O_3$의 전기전도도를 300 ~ 900$^{\circ}$C의 온도 및 10$^{-7}$ ~ 10$^{-1}$atm의 산소분압에서 각각 측정하였다. Log ${\sigma}$를 1/T에 대하여 도시한 결과, 산소분압이 $5{\times}10^{-2}$ atm보다 높은 영역에서 외성전도도가 나타났다. 5.0mol% Cd로 도프된 시료의 경우, 550$^{\circ}$C의 온도에서 전이점이 나타났으며 활성화에너지는 본성영역에서 1.34 eV, 외성영역에서 0.50 eV이다. 외성영역은 산소분압이 $5{\times}10$^{-2}$ atm 보다 낮은 경우, 본성영역으로 전환되었다. 따라서 산소분압이 $5{\times}10$^{-2}$ atm보다 낮은 경우 Cd-doped ${\alpha}-Fe_2O_3$의 전기전도도는 불순물 첨가효과에 관계없이 본성을 나타낸다. 본성에서의 결함구조는 Fe${2+}$ 틈새이며 외성영역에서는 산소공위이다. 전기전도도 메카니즘이 두 영역에서 각각 제시되었으며 외성영역에서 전도띠 모델이 제안되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제53권3호
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• pp.317-324
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• 2016

Continued miniaturization and increasingly exact requirements for thin film deposition in the semiconductor industry is driving the search for new effective, efficient, selective precursors and processes. The requirements of defect-free, conformal films, and precise thickness control have focused attention on atomic layer deposition (ALD). ALD precursors so far have been developed through a trial-and-error experimental approach, leveraging the expertise and tribal knowledge of individual research groups. Precursors can show significant variation in performance, depending on specific choice of co-reactant, deposition stage, and processing conditions. The chemical design space for reactive thin film precursors is enormous and there is urgent need for the development of computational approaches to help identify new ligand-metal architectures and functional co-reactants that deliver the required surface activity for next-generation thin-film deposition processes. In this paper we discuss quantum mechanical simulation (e.g. density functional theory, DFT) applied to ALD precursor reactivity and state-of-the-art automated screening approaches to assist experimental efforts leading toward optimized precursors for next-generation ALD processes.

• 한국진공학회지
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• 제15권1호
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• pp.73-80
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• 2006

Si(100)에 주입된 불활성 기체 이온들의 열적 방출 특성을 열탈착(temperature-programmed desorption; TPD) 질량분석법으로 고찰하였다. 약 400K의 표면 온도 조건에서 1keV 비온빔에 시료를 노출시켜 주었을 때, He은 $500\~1100 K$의 넓은 온도 범위에서 Si(100)결정 밖으로 분출되어 나온 반면, Ne, Ar, 및 Kr은 각각 810, 860, 875 K 근처에서 매우 좁은 온도 범위에서 TPD 피크를 나타내며 급격하게 방출되었다. He+ 이온으로 처리된 Si(100)은 표면 원자 구조의 손상이 상대적으로 최소한으로 일어났지만, $Ne^+,\;Ar^+,\;Kr^+$ 등의 이온들로 처리된 경우는 질량이 클수록 표면이 원자 스케일로 더 심하게 손상되었음이 수소 흡탈착 분석 결과로 밝혀졌다. 이온빔에 의한 결정 내부의 결함 생성과 관련하여 이러한 실험적 결과가 시사하는 점들을 논의하였다

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제15권4호
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• pp.207-212
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• 2014

Aluminum-doped zinc oxide (AZO) films were deposited on SiOC/Si wafer by an RF-magnetron sputtering system, by varying the deposition parameters of radio frequency power from 50 to 200 W. To assess the correlation of the optical properties between the substrate and AZO thin film, photoluminescence was measured, and the origin of deep level emission of AZO thin films grown on SiOC/Si wafer was studied. AZO formed on SiOC/Si substrates exhibited ultraviolet emission due to exciton recombination, and the visible emission was associated with intrinsic and extrinsic defects. For the AZO thin film deposited on SiOC at low RF-power, the deep level emission near the UV region is attributed to an increase of the variations of defects related to the AZO and SiOC layers. The applied RF-power influenced an energy gap of localized trap state produced from the defects, and the gap increased at low RF power due to the formation of new defects across the AZO layer caused by lattice mismatch of the AZO and SiOC films. The optical properties of AZO films on amorphous SiOC compared with those of AZO film on Si were considerably improved by reducing the roughness of the surface with low surface ionization energy, and by solving the problem of structural mismatch with the AZO film and Si wafer.

• 한국세라믹학회지
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• 제47권1호
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• pp.19-25
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• 2010

Traditional Kr$\ddot{o}$ger-Vink (K-V) notation defines sites in ionic crystals as interstitial or belonging to host ions. It enables description and calculations of combinations of native and foreign defects, including dopants and substituents. However, some materials exhibit inherently disordered partial occupancy of ions and vacancies, or partial occupancy of two types of ions. For instance, the high temperature disordered phases of $Bi_2O_3$, $Ba_2In_2O_5$, $La_2Mo_2O_9$, mayenite $Ca_{12}Al_{14}O_{33}$, AgI, and $CsHSO_4$ are all good ionic conductors and thus obviously contain charged point defects. But traditional K-V notation cannot account for a charge compensating defect in each case, without resorting to terms like "100% substitution" or "Frenkel disorder". the former arbitrary and awkward and the latter inappropriate. Instead, a K-V compatible nomenclature in which the partially occupied site is defined as the perfect site, has been proposed. I here introduce it thoroughly and provide a number of examples.