• 대한전자공학회논문지
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• 제24권5호
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• pp.794-803
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• 1987

In this paper, the SPICE 2.G6 JFET subroutine and other related subroutines are modified for circuit simulation of GaAs MESFET IC's. The hyperbolic tangent model is used for the drain current-voltage characteristics of GaAs MESFET's and derived channel-conductance and drain-conductance model from the above current model are implemented into small-signal model of GaAs MESFET's. And, device capacitance model which consider after-pinch-off state are modified, and device charge model for SPICE 2G.6 are proposed. The result of modification is shown to be suitable for GaAs circuit simulator, showing good agreement with experimetal results. Forthermore the DC convergence of this paper is better than that of SPICE 2.G JFET subroutine. GaAs MESFET model in this paper is applied for both depletion mode GaAs MESFET and enhancement-mode GaAs MESFET without difficulty.

• 한국전자파학회논문지
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• 제26권7호
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• pp.620-626
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• 2015

본 논문에서는 2차 전역통과 필터를 이용하여 입력정합을 수행하고, LC 병렬공진 회로를 이용하여 트랜지스터의 출력 리액턴스를 최소화하는 기법을 적용함으로써 2~6 GHz에서 동작하는 광대역 GaN 전력증폭기 MMIC를 설계 및 제작하였다. 광대역 손실정합을 위해 사용된 2차 전역통과 필터는 트랜지스터의 채널 저항 효과를 보상하기 위해 비대칭적 구조를 사용하였다. Win Semiconductors사의 $0.25{\mu}m$ GaN HEMT 파운드리 공정으로 제작된 MMIC 칩은 크기가 $2.6mm{\times}1.3mm$이며, 주파수 대역 내에서 약 13 dB의 평탄한 이득 특성과 10 dB 이상의 우수한 입력정합 특성을 보였다. 포화출력 조건에서 측정된 출력전력은 2~6 GHz에서 38.6~39.8 dBm의 값을 보였고, 전력부가효율은 31.3~43.4 %을 나타내었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제23권8호
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• pp.1971-1976
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• 1998

본 논문은 기존의 포맷 변환기를 개선한 것으로 GA-HDTV 시스템으로부터 압축된 디지털 데이터의 녹화 및 재생을 하기 위해 사용되는 3 종류의 인터페이스 시스템에 대해 연구한 것이다. 첫번째 인터페이스는 GA-HDTV에서 HDVCR로, 두번째 인터페이스는 GA-HDTV를 D3 VTR로, 세번째 인터페이스는 HDVCR에서 D3 VTR로 압축된 데이터를 녹화 및 재생하기 위한 것이다. 이 인터페이스는 8 VSB와 16 VSB모드에서도 사용될 수 있도록 설계하였다. 이 논문은 TV 스튜디오, 케이블 헤드앤드 및 일반 가정에 압축된 HDTV를 녹화하고자할 때 매우 유용하게 사용될 것으로 기대된다.

• ETRI Journal
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• 제18권3호
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• pp.171-179
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• 1996

Fully passivated low noise AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic (PM) HEMT with wide head T-shaped gates were fabricated by dose split electron beam lithography (DSL). The dimensions of gate head and footprint were optimized by controlling the splitted pattern size, dose, and spaces of each pattern. We obtained stable T-shaped gate of $0.15{\mu}m$ gate length with $1.35{\mu}m-wide$ head. The maximum extrinsic transconductance was 560 mS/mm. The minimum noise figure measured at 18 GHz at $V_{ds}=2V andI_{ds}=17mA$ was 0.41 dB with associated gain of 8.19 dB. At 12 GHz, the minimum noise figure and an associated gain were 0.26 and 10.25 dB, respectively. These noise figures are the lowest values ever reported for GaAs-based HEMTs. These results are attributed to the extremely low gate resistance of wide head T-shaped gate having a ratio of the head to footprint dimensions larger than 9.

• Corrosion Science and Technology
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• 제10권2호
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• pp.47-51
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• 2011

Main issues in the automotive industry are the reduction of vehicle body weight for energy savings and improvement of crashworthiness for passenger safety. In order to address both these issues, there has recently been increasing application of galvannealed advance high strength steel (GA AHSS) sheets for automobiles. However, GA AHSS sheets have some surface defects such as coating bare spots due to the addition of solid-solution strengthening elements, which result in the deterioration of the galvannealing reaction. In this study, the effects of galvannealed manufacturing conditions on surface and mechanical properties, resistance spot weldability on a laboratory scale, and GA 980 MPa steel sheets produced by commercial continuous galvannealing line (CGL) were investigated.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제15권8호
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• pp.663-669
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• 1994

Decay kinetics of Ga(5s), Ga(5p) and Ga(4d) atoms in Ar were studied by laser induced fluorescence technique. Theground state gallium atoms in the gas phase were generated by pulsed dc discharge of trimethyl gallium and argon mixtures. Both pulsed discharge and YAG-DYE laser system were controlled by a dual channel pulse generator and the delay time between the end of discharge and laser pulses was set 3.0-6.0 ms. The Ga(5s) and Ga(4d) atoms were generated by single photon excitation from the ground state Ga atoms and radiative lifetimes as well as the total quenching rate constants in Ar were obtained from the pressure dependence of the fluorescence decay rates. The Ga(5p) atoms were populated by a two-photon excitation method and the cascade fluorescence from Ga(5s) atoms were analyzed to extract quenching rate constant of Ga(5p) atoms by Ar in addition to radiative lifetimes of Ga(5p) state. The magnitudes of the quenching rate constants by Ar for the low-lying excited states of Ga atoms are 1.6-3$ {\times}10^{-11}cm^3$ molecul$e^{-1}s^{-1}$, which are much larger than those for alkali, alkaline earth and Group 12 metals. Based on the measured rate constants, kinetic simulations were done to assign state-to-state rate constants.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권9호
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• pp.64-71
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• 1997

A new etching technique of meltback was investigated for GaAs lensed optical devices with selective windows opending in the LPE (liquid phase epitaxy) system. In the meltback process, the etch depth and the etch shape were controlled by the degree of under-saturation, etch time and other parameters. A GaAs/AlGaAs DH layer was grown on the selectively etched hemispherical well for optical device application such as lensed surface emitting LED. The regrowth process were related with the coolin grate and the well to well spacing. A novel surface emitting LED with hemispherical AlGaAs lens was fabricated using the meltbakc and regrowth as the key process for AlaAs lens array. The light emitting efficiency of the LED was upto three times higher than the similar structure LED without lens. The meltback and regrowth technique was applicable to manufacture the optical device in LPE.

• 한국식품영양과학회지
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• 제33권8호
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• pp.1286-1293
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• 2004

지부자(Kochiae Fructus)의 생리활성물질 검색 및 간손상에 미치는 영향을 연구할 목적으로 실험동물에 지부자 추출물을 경구 투여한 후 GaIN으로 간손상을 유발하여 혈액 및 간조직의 생화학적 변화를 관찰하고 free radical의 생성계와 해독계의 활성에 미치는 영향을 검토한 결과는 다음과 같다. GaIN 단독투여군은 대조군에 비하여 AST와 ALT가 증가하였으나, KFB, oleanolic acid, momordin Ic 투여군에서는 GaIN 단독투여군에 비해 유의적 감소를 보였다. 간조직의 지질과산화 함량은 GaIN 단독투여군이 대조군과 비교하여 증가하였고, KFM 200-GaIN군, KFB 200-GaIN군, momordin Ic 30-GaIN군과 oleanolic acid 30-GaIN군은 대조군에는 미치지 못하였으나 GaIN 단독투여군에 비해 현저히 감소하였다. XO, AO의 활성은 대조군보다 GaIN 단독투여군에서 유의적으로 증가하였으며, KFB 200-GaIN군, momordin Ic 30-GaIN군과 oleanolic acid 30-GaIN군의 XO와 AO의 활성은 GaIN 단독투여군보다 낮게 나타났다. 간조직 중의 GSH농도는 GaIN 단독투여군이 대조군에 비해 현저히 감소하였고, KFB 200-GaIN군과 oleanolic acid 30-GaIN군은 GaIN 단독투여군과 비교시 증가를 보였고, momordin Ic 30-GaIN군은 대조군에 가깝게 회복되었다. GaIN 단독투여군의 ${\gamma}$-GCS와 GR의 활성은 대조군에 비하여 유의한 감소를 보였고, momordin Ic 30-GaIN군의 ${\gamma}$ -GCS의 활성은 대조군에는 미치지 못하였지만 GaIN 단독투여군에 비해 유의하게 개선되었다. KFM 200-GaIN군, KFB 200-GaIN군, momordin Ic 30-GaIN군과 oleanolic acid 30-GaIN군의 GR 활성은 GaIN 단독투여군보다 유의한 증가를 보였다. GST활성은 GaIN 단독투여군이 대조군에 비하여 현저한 감소를 나타내었고, KFM200-GaIN군, KFB 200-GaIN군, momordin Ic 30-GaIN군과 oleanolic acid 30-GaIN군은 대조군 수준에는 못미쳤으나 GaIN 단독투여군보다 통계적으로 유의한 증가를 관찰할 수 있었다. SOD, catalase 및 GSH-Px의 활성은 대조군에 비하여 GaIN 단독투여군에서 감소를 보였고, SOD와 catalase 활성은 KFM, KFB와 oleanolic acid의 투여로 GaIN 단독투여군보다 높게 나타났다. 특히 momordin Ic 30-GaIN군의 SOD 활성은 대조군에 가깝게 개선되었다. GSH-Px의 활성은 KFM 200-GaIN군, KFB 200-GaIN군과 oleanolic acid 30-GaIN군은 대조군 수준에는 미치지 못하였으나 GaIN 단독투여군에 비해 현저히 증가하였고, 특히 momordin Ic 30-GaIN군은 대조군에 가깝게 증가되었다. 이상의 결과를 종합하여 볼 때 지부자로부터 분리한 momordin Ic가 GSH 농도를 증가시키고 활성산소 해독계에 관여하는 효소의 활성을 증가시킴으로서 GaIN으로 인한 간손상을 완화시키는 것으로 사료되어진다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제27권2호
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• pp.108-114
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• 2016

본 논문에서는 2.6 GHz에서 동작하는 Doherty 전력증폭기 집적회로를 설계 및 제작하여 평균 전력에서의 효율을 개선하였다. Small-cell 기지국 시스템에 적합하도록 전력 밀도가 높은 GaN-HEMT 공정을 사용하여 설계하였으며, 제작된 Doherty 전력증폭기 집적회로를 QFN 패키지 내부에 수용하여 시스템 적용에 용이하도록 하였다. 제작된 GaN-HEMT Doherty 전력증폭기 집적회로는 10 MHz의 대역폭 및 6.5 dB의 PAPR 특성을 갖는 2.6 GHz LTE 신호에 대하여 평균 전력 33.9 dBm에서 15.8 dB의 전력 이득, 43.0%의 효율 및 -30.0 dBc의 ACLR 특성을 나타낸다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.633-636
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• 1998

In this study, power AlGaAs/InGaAs/GaAs PM-HEMT's for mm wave's were fabricated using Electron beam lithography and air-bridge techniques, and so on. DC and AC characteristics of the fabricated power PM-HEMTs were measured under the various bias conditions. For example, DC and RF characteristics such as S21 gain of 3.6 dB at 35 ㎓, current gain cut-off frequencies of 45 ㎓ and maximum oscillation frequencies of 100 ㎓ were carefully analyzed for design methodology of sub-mm wave power devices.