• 한국전자파학회논문지
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• 제26권9호
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• pp.783-789
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• 2015

본 논문에서는 long term evolution(LTE) 통신을 위한 2.6 GHz 대역에서 동작하는 고효율 Doherty 전력증폭기를 설계하였다. 2차 및 3차 고조파 임피던스를 조정하기 위한 간단한 구조의 정합 네트워크를 통해 전력증폭기의 고효율 동작을 달성하였다. Doherty 전력증폭기는 다양한 측면에서 장점을 갖는 GaN-HEMT 소자를 이용하여 제작되었으며, 10 MHz의 대역폭 및 6.5 dB 첨두 전력 대 평균 전력비(PAPR)의 특성을 갖는 LTE downlink 신호를 이용하여 측정되었다. 평균 전력 33.4 dBm에서 13.1 dB의 전력 이득, 57.6 %의 전력부가효율(PAE) 및 -25.7 dBc의 인접채널누설비(ACLR) 특성을 갖는다.

• 한국약용작물학회지
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• 제5권1호
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• pp.43-48
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• 1997

천연향신료와 식용 및 약용 겸용으로 재배가치가 매우 높은 초피나무종자의 발아율 향상을 위하여 $GA_3$, Kinetin 및 물리적인 처리를 하여 수행한 실험 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 초피 나무종자 종피파상후 $GA_3$ 50 ppm 24시간 침지에서 발아율 8.9%로 저조하였다. 2. 수온 $18^{\circ}C\;1{\sim}5$일 및 $40{\sim}70^{\circ}C$에서 10분처리 후 각각 $GA_3$ 50 ppm에 24시간 침지에서 초피종자 발아율 6.8, 4.4%로 매우 낮았다. 3. 화학적인 방법으로 $H_2SO_4,\;NaOH$ 및 $HNO_3$ 침지에서 초피나무종자 발아율 7,5, 2.7, 14.3%로서 저조하였다. 4. 초피나무종자에 대한 $GA_3$처리의 경우 $GA_3$ 100 ppm에서 48시간 침지가 91.1%의 가장 높은 발아율을 나타내었고 침지시간이 길어질수록 농도가 높을수록 발아율이 높아지는 경향이었다. 5. Kinetin은 50 ppm 12시간 침지에서 초피종자의 발아율은 31.7%로 양호하였으나 전반적으로 낮은 발아율을 나타내어 실용적인 방법으로는 미흡하였다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제20권1호
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• pp.12-17
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• 2021

The electronic and magnetic properties for Mn-adsorbed on the chalcopyrite (CH) AlGaP2 semiconductor are investigated by using first-principles FPLMTO method. The clean CH-AlGaP2 without adsorbed Mn is a p-type semiconductor with a direct band-gap. The Mn-adsorbed CH-AlGaP2 exhibits the ferromagnetic state. It is more energetically stable than the other magnetic ones. The interstitial site on P-terminated surface is more energetically favorable one than the Al/Ga-terminated surface, or the other adsorbing sites. In the case of Mn-adsorbed Al/Ga-terminated surface, it is induced a strong coupling between Mn-3d and neighboring P-3p electrons. The holes of partially unoccupied minority Mn-3d state and majority (or minority) Al-3p or P-3p state are induced. Thus a high magnetic moment of Mn is sustained by holes-mediated double-exchange coupling. It is noticeable that the semiconducting and half-metallic characteristics of CH-AlGaP2:Mn thin film is disappeared.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1995년도 광학 및 양자전자학 워크샵 논문집
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• pp.127-137
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• 1995

Anomalously large real space charge transfer through thick barries in GaAs asymmetric double quantum wells is studied by photoluminesence exitation. This inter-well excitonic transfer is very large when the barrier is the Al0.3Ga0.7As alloy, but disappears when the barrier is GaAs/AlAs digital alloy with an equivalent Al concentration of 0.28. These resilts combined with observed x and barrier thickness depence suggest that the spatial fluctuation of the atomic arrangment of Ga and Al in the alloy may be responsible for this transfer. This picture is supported by the quantum mechanical calculation in three dimensions which takes into account the side fluctuation effects.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권12호
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• pp.41-46
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• 2008

본 논문에서는 $0.1{\mu}m$ InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT기술을 기반으로 하여 D-Band(110 - 140 GHz) 대역에서 동작하는 MMIC 2단 구동 증폭기를 제작하였다. 제작된 구동 증폭기는 밀리미터파 대역인 110 GHz에서 10 dB 이상의 우수한 $S_{21}$ 이득 특성을 보였으며, 이때 반사 특성 또한 $S_{11}$ -3.5 dB와 $S_{22}$ -6.5 dB로 양호한 특성을 얻었다. 이러한 높은 성능의 MMIC 구동증폭기의 특성은 주로 MHEMT 성능에 기인한다. 본 논문에서 적용한 $0.1{\mu}m$ MHEMT는 760 mS/mm의 전달컨덕턴스 특성과 195 GHz의 차단주파수 391 GHz의 최대공진 주파수 특성을 갖는다.

• 한국세라믹학회지
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• 제55권2호
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• pp.108-115
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• 2018

The increasing demands for three-dimensional (3D) electronic and optoelectronic devices have triggered interest in epitaxial growth of 3D semiconductor materials. However, most of the epitaxially-grown nano- and micro-structures available so far are limited to certain forms of crystal arrays, and the level of control is still very low. In this review, we describe our latest progress in 3D epitaxy of oxide and nitride semiconductor crystals. This paper covers issues ranging from (i) low-temperature solution-phase synthesis of a well-regulated array of ZnO single crystals to (ii) systematic control of the axial and lateral growth rate correlated to the diameter and interspacing of nanocrystals, as well as the concentration of additional ion additives. In addition, the critical aspects in the heteroepitaxial growth of GaN and InGaN multilayers on these ZnO nanocrystal templates are discussed to address its application to a 3D light emitting diode array.

• 한국전자파학회논문지
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• 제26권6호
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• pp.540-545
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• 2015

본 논문은 GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) die를 이용하여 S-대역 내부 정합형 전력 증폭기 설계, 제작 그리고 실험 결과에 대해 기술하였다. S-대역 내부 정합형 전력 증폭기를 설계하기 위하여 고유전율을 가지는 기판과 알루미나 기판을 이용하여 입/출력단 정합 회로를 설계 및 제작하였다. 측정 결과로는 펄스 모드로 동작시켰을 때 3 GHz에서 55.4 dBm의 출력 전력, 78 % 드레인 효율 그리고 11 dB의 전력 이득을 얻었다.

• BMB Reports
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• 제32권1호
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• pp.51-59
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• 1999

The Korean radish cationic peroxidase (KRCP) promoter, comprising nucleotides -471 to +704 relative to the transcriptional initiation site, was fused to the GUS gene and transformed to tobacco BY-2 cells. We examined how auxin (2,4-dichlorophenoxyacetic acid, 2,4-D), cytokinin (6-benzylaminopurine, BAP), gibberellic acid ($GA_3$), abscisic acid (ABA), methyl jasmonate (MeJA), and phosphatidic acid (PA) affect the GUS expression in the presence or absence of 2,4-D in a modified LS medium. Exogenous 2,4-D or BAP greatly decreased the GUS expression regulated by the KRCP promoter in a modified LS medium containing 0.2 mg/l 2,4-D. $GA_3$ increased the GUS expression and ABA completely reduced the inductive effect of $GA_3$. The GUS expression was also increased dose-dependently by plant defense regulators, MeJA and PA. In contrast to the above results, auxin deprivation from the modified LS medium increased the GUS expression after treatment with exogenous 2,4-D whereas BAP still greatly decreased the GUS expression dose-dependently. $GA_3$ or MeJA slightly decreased the GUS expression. The data suggest that auxin deprivation changes the sensitivity of the suspension cells to exogenous chemicals and that the regulation of the KRCP promoter by 2,4-D, $GA_3$, and MeJA is dependent on auxin, whereas the regulation by BAP is not. This study will be valuable for understanding the function and expression mode of the Korean radish cationic peroxidase in Korean radish.

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권3호
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• pp.66-74
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• 1999

HMC(Hybrid Monte Carlo)시뮬레이션을 이용하여 InAlGaAs/InGaAs HBT의 비평형 고속전송을 해석하였고, 전송시간 및 차단주파수를 향상시키기 위하여 에미터-베이터 이종접합과 콜렉터 구조를 최적 설계 하였다. 시뮬레이션 결과, 에미터 조성경사영역에서 Al 몰비를 xf=1.0에서 xf=0.5로 변화시킬 경우 베이스 전송시간이τb=0.21ps로 가장 짧았다. 콜렉터 전송시간을 단축시킬 목적으로 콜렉터와 베이스 사이에 n\sup +\형 (콜렉터-Ⅰ), I형(콜렉터-Ⅱ), p형(콜렉터-Ⅲ), 콜렉터를 삽입하여 베이스-콜렉터 공간전하영역의 전계분포를 전자의 비평형고속전송을 유지하도록 설계하였다. 콜렉터-Ⅲ 구조에서는 전자의 음이온화된 억셉터가 콜렉터의 전계를 감소시킴으로써 전자가 Γ 밸리에서 먼 거리까지 전송을 가능하게 하여 가장 짧은 콜렉터 전송시간을 나타내었다. 결론적으로 가장 짧은 전송시간 τec는 Al 몰비가 xf=0.5인 에미터 구조와 콜렉터-Ⅲ에서 0.87psec이었고, 차단주파수 ft=183GHz를 나타내었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제19권3호
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• pp.573-581
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• 1994

Feed horn polarizer나 F.R.R.S(Fraday Rotation Rotary Switch)에 비해 소형이고 GaAs MESFET소자 스위칭으로 좌수와 우수 원형편파의 선택적 수신이 가능한 이중편파 마이크로스트립 안테나를 설계하였다. 원형편과 마이크로스트립 안테나의 공진 주파수, 입력 임피던스, 빔 패턴 등은 FDTD 방법을 이용하여 정확하게 계산하였으며, 급전 회로의 GaAs MESFET 증폭기 스위칭 회로가 ON 상태일 경우의 증폭기 이득을 포함한 안테나 이득은 16.6dB 이고, OFF 상태일 경우의 격리 특성은 -24dB로 나타남을 실험으로 확인하였다. 또한, 제작된 이중편과 마이크로스트립 안테나의 3dB 이하 축비는 11.813GHz에서 30 이하로 나타났다.