• 제목/요약/키워드: Current-Mode Circuit

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슬립 트랜지스터를 이용한 저 전력 MOS 전류모드 논리회로 구조 (Structure of Low-Power MOS Current-Mode Logic Circuit with Sleep-Transistor)

  • 김정범
    • 정보처리학회논문지A
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    • 제15A권2호
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    • pp.69-74
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    • 2008
  • 본 논문은 MOS 전류모드 논리회로 (MOS current-mode logic circuit)의 누설전류를 감소시키기 위해 슬립 트랜지스터 (sleep-transistor) 트랜지스터를 이용하여 저 전력 MOS 전류모드 논리회로를 구현하는 새로운 구조를 제안하였다. 슬립 트랜지스터는 누설전류를 최소화하기 위해 고 문턱전압 PMOS 트랜지스터 (high-threshold voltage PMOS transistor)를 사용하였다. $16\;{\times}\;16$ 비트 병렬 곱셈기를 제안한 구조에 적용하여 제안한 구조의 타당성을 입증하였다. 이 회로는 기존 MOS 전류모드 논리회로 구조에 비해 대기전력소모가 1/50으로 감소하였다. 이 회로는 삼성 $0.35\;{\mu}m$ 표준 CMOS 공정을 이용하여 설계하였으며, HSPICE를 이용하여 검증하였다.

저 전력 MOS 전류모드 논리 병렬 곱셈기 설계 (Design of a Low-Power MOS Current-Mode Logic Parallel Multiplier)

  • 김정범
    • 전기전자학회논문지
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    • 제12권4호
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    • pp.211-216
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    • 2008
  • 이 논문은 MOS 전류모드 논리 (MOS current-mode logic circuit, MCML) 회로를 이용하여 저 전력 특성을 갖는 8${\times}$8 비트 병렬 곱셈기를 설계하였다. 설계한 곱셈기는 회로가 동작 하지 않을 때의 정적 전류의 소모를 최소화하기 위하여 슬립 트랜지스터 (sleep-transistor)를 이용하여 저 전력 MOS 전류모드 논리회로를 구현하였다. 설계한 곱셈기는 기존 MOS 전류모드 논리회로에 비해 대기전력소모가 1/50으로 감소하였다. 또한, 이 회로는 기존 MOS 전류모드 논리회로에 비해 전력소모에서 10.5% 감소하였으며, 전력소모와 지연시간의 곱에서 11.6%의 성능 향상이 있었다. 이 회로는 삼성 0.35${\mu}m$ 표준 CMOS 공정을 이용하여 설계하였으며, HSPICE를 통하여 검증하였다.

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Silicon-based 0.69-inch AMOEL Microdisplay with Integrated Driver Circuits

  • Na, Young-Sun;Kwon, Oh-Kyong
    • Journal of Information Display
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    • 제3권3호
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    • pp.35-43
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    • 2002
  • Silicon-based 0.69-inch AMOEL microdisplay with integrated driver and timing controller circuits for microdisplay applications has been developed using 0.35 ${\mu}m$ l-poly 4-metal standard CMOS process with 5 V CMOS devices and CMP (Chemical Mechanical Polishing) technology. To reduce the large data programming time consumed in a conventional current programming pixel circuit technique and to achieve uniform display, de-amplifying current mirror pixel circuit and the current-mode data driver circuit with threshold roltage compensation are proposed. The proposed current-mode data driver circuit is inherently immune to the ground-bouncing effect. The Monte-Carlo simulation results show that the proposed current-mode data driver circuit has channel-to-channel non-uniformity of less than ${\pm}$0.6 LSB under ${\pm}$70 mV threshold voltage variaions for both NMOS and PMOS transistors, which gives very good display uniformity.

Sub-threshold MOSFET을 이용한 전류모드 회로 설계 (Current-Mode Circuit Design using Sub-threshold MOSFET)

  • 조승일;여성대;이경량;김성권
    • 한국위성정보통신학회논문지
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    • 제8권3호
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    • pp.10-14
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    • 2013
  • 본 논문에서는 저전력 기술인 DVFS (Dynamic Voltage Frequency Scaling) 응용을 위하여, 동작주파수의 변화에도 소비전력이 일정한 특성을 갖는 전류모드 회로를 적용함에 있어서, 저속 동작에서 소비전력이 과다한 전류모드 회로의 문제점을 전류모드 회로에서 sub-threshold 영역 동작의 MOSFET을 적용함으로써 소비전력을 최소화하는 설계기술을 소개한다. 회로설계는 MOSFET BSIM 3모델을 사용하였으며, 시뮬레이션한 결과, strong-inversion 동작일 때 소비전력은 $900{\mu}W$이었으나, sub-threshold 영역으로 동작하였을 때, 소비전력이 $18.98{\mu}W$가 되어, 98 %의 소비전력의 절감효과가 있음을 확인하였다.

저 전력 MOS 전류모드 논리회로 설계 (Design of a Low-Power MOS Current-Mode Logic Circuit)

  • 김정범
    • 정보처리학회논문지A
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    • 제17A권3호
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    • pp.121-126
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    • 2010
  • 본 논문에서는 저 전압 스윙 기술을 적용하여 저 전력 회로를 구현하고, 슬립 트랜지스터 (sleep-transistor)를 이용하여 누설전류를 최소화하는 새로운 저 전력 MOS 전류모드 논리회로 (MOS current-mode logic circuit)를 제안하였다. 제안한 회로는 저 전압 스윙 기술을 적용하여 저 전력 특성을 갖도록 설계하였고 고 문턱전압 PMOS 트랜지스터 (high-threshold voltage PMOS transistor)를 슬립 트랜지스터로 사용하여 누설전류를 최소화하였다. 제안한 회로는 $16\;{\times}\;16$ 비트 병렬 곱셈기에 적용하여 타당성을 입증하였다. 이 회로는 슬립모드에서 기존 MOS 전류 모드 논리회로 구조에 비해 대기전력소모가 1/104로 감소하였으며, 정상 동작모드에서 11.7 %의 전력소모 감소효과가 있었으며 전력소모와 지연시간의 곱에서 15.1 %의 성능향상이 있었다. 이 회로는 삼성 $0.18\;{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 설계하였으며, HSPICE를 통하여 검증하였다.

저전력 전류모드 CMOS 기준전압 발생 회로 (A Low-Power Current-Mode CMOS Voltage Reference Circuit)

  • 권덕기;오원석
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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    • pp.1077-1080
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    • 1998
  • In this paper, a simple low-power current-mode CMOS wotage reference circuit is proposed. The reference circuit of enhancement-mode MOS transistors and resistors. Temperature compensation is made by adding a current component proportional to a thermal voltage to a current component proportional to a threshold voltage. The designed circuit has been simulated using a $0.65\mu\textrm{m}$ n-well CMOS process parameters. The simulation results show that the reference circuit has a temperature coefficient less than $7.8ppm/^{\circ}C$ and a power-supply(VDD) coefficient less than 0.079%/V for a temperature range from $-30^{\circ}C$ to $130^{\circ}C$ and a VDD range from 4.0V to 12V. The power consumption is 105㎼ for VDD=5V and $T=30^{\circ}C.$ The proposed reference circuit can be designed to generate a wide range of reference voltages owing to its current-mode operation.

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Bi-directional Multiple-Input Maximum Circuit in Current-mode

  • Karbkaew, Amornthep;Kamsri, Thawatchai;Songsataya, Kiettiwan;Riewruja, Vanchai
    • 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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    • 제어로봇시스템학회 2005년도 ICCAS
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    • pp.1192-1195
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    • 2005
  • This paper presents the realization of a multiple-input maximum circuit, which is operated in a current-mode. The proposed circuit operates with bi-directional input current signal and employs 5n+4 transistors for n inputs. The realization method is suitable for fabrication using CMOS technology. The proposed circuit is useful building block for the real-time systems. The performances of the proposed bi-directional maximum circuit were studied using the PSPICE analog simulation program. The simulation results verified the circuit performances are agreed with the expected values.

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전류 감쇠 조정 회로에서의 정밀도 향상 기술 (Accuracy Enhancement Technique in the Current-Attenuator Circuit)

  • 김성권
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제19권8호
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    • pp.116-121
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    • 2005
  • 전류모드 아날로그 회로를 이용하여 FIR(Finite Impulse Response) 필터를 설계하는 경우에 tap coefficient와 전류모드 FFT(Fast Fourier Transform) LSI의 회전인자(twiddle factor)를 실현시키기 위해서는 높은 정밀도를 갖는 전류 감쇠 회로가 필요하게 된다. 본 논문은 전류 모드 신호처리 기술에서 전류감쇠 회로의 감쇠 정밀도를 향상시킬 수 있는 기술을 소개하고자한다. 먼저 게이트 길이 비율을 조정하는(gate-ratioed) Current Mirror 회로를 사용하는 기존의 전류 감쇠 조정회로에 있어서의 DC offset 전류 에러에 대하여 분석하였으며, 다음으로 DC offset 전류 에러를 제거할 수 있는 전류감쇠 회로를 제안하였다. 회로 구성은 입력 전류를 1/N로 감쇠시킬 수 있도록 N개의 Current Mirror를 병렬로 연결하는 기본 구성을 하였으며, Kirchhoff 전류 법칙에 근거하여, 전류 감쇠가 결정되도록 설계하였다. 또한 Current Mirror 회로에서, 정전류원의 사용을 줄일 수 있는 회로설계를 제안하였다. 제안된 전류 감쇠 회로에서 정밀도는 Current Mirror의 ac 이득 에러에 의하여 제한되며 High Swing Current Mirror를 기본 Current Mirror로 사용한 경우에, 최대 정밀도는 이론상 입력 전류의 -80[dB]까지 실현가능하다.

Analysis and Remedy of TFT Based Current Mode Logic Circuit Performance Degradation due to Device Parameter Fluctuation

  • Lee, Joon-Chang;Jeong, Ju-Young
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
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    • pp.535-538
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    • 2005
  • We report the influence of the threshold voltage and mobility fluctuation in TFT on current mode digital circuit performance. We found that the threshold voltage showed more serious circuit malfunction. We studied new circuit configuration for improvement.

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A Current-mode Multiple-Input Minimum Circuit For Fuzzy Logic Controllers

  • Mettasitthikorn, Yot;Pojanasuwanchai, Chamaiporn;Riewruja, Vanchai;Jaruwanawat, Anuchit;Julsereewong, Prasit
    • 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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    • 제어로봇시스템학회 2003년도 ICCAS
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    • pp.69-72
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    • 2003
  • This paper presents a current-mode multiple-input minimum circuit. The proposed circuit can be implemented by applying De Morgan’s law. The circuit diagram is simple and modular. It operates using a single 2.5V supply and has very low dissipation. The realization method is suitable for fabrication using CMOS technology and all transistors are operated in their saturation region. The performances of this proposed circuit were studied using the PSPICE analog simulation program. The simulation results show the approval of this circuit that it has adequate basic performances for a real-time fuzzy controller and a fuzzy computer.

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