• 한국산학기술학회논문지
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• 제4권1호
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• pp.22-26
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• 2003

Attenuated PSM lithography 공정에서 overlay margin 확보 및 side-lobe 제거를 위해 기존의 Cr shield 방식의 단점인 복잡한 mask 제작공정과 구조를 단순화하기 위한 방법으로 scattering bar 방식을 제안하였다. Scattering bar는 Cr 보조패턴처럼 완전히 빛을 차단하는 것이 아니라 약간의 빛을 투과시켜 보강된 intensity를 상쇄하므로 side-lobe를 억제하는 방법으로 metal pattern을 생성할 때 scattering bar도 동시에 만들어 mask제작에 필요한 공정횟수를 줄이고 mask구조 역시 단순하게 한다 그리고 동시에 DOF(depth of focus)를 향상시킨다. Background clear pattern의 경우에 발생하는 side-lobe도 scattering bar를 이용하여 효율적으로 제거되었다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2002년도 춘계학술발표논문집
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• pp.106-108
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• 2002

반도체 physical layout design rule이 작아짐에 따라 Proximity effect와 overlay가 Pattern 구현에 크게 영향을 미치고 있다. Metal layer와 contact의 부족한 overlay margin으로 overlay 불량이 발생하고, 감소한 space margin으로 인해 bridge와 같은 문제가 나타난다. 따라서, resolution을 향상시키고, 최소한의 overlay margin을 확보함으로써 미세 pattern의 구현을 가능하게 한다. 이를 위해 OPC와 attPSM 같은 분해능향상기술이 사용된다. 그러나 attPSM의 사용은 원하지 않는 pattern이 생성되는 sidelobe와 같은 문제가 발생한다. 따라서 serial image simulation올 통해 추출한 rule을 rule-based correction에 적용하여 sidelobe현상을 방지한다. 그리고 overlay margin 부족으로 나타나는 문제는 metal layer와 contact overlap되는 영역의 line edge를 확장하고, rule checking을 통해 최소한의 space margin을 확보하여 해결한다 따라서 overlay error를 rule-based correction을 사용하여 효과적으로 방지한다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제17권10호
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• pp.25-33
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• 2012

본 논문에서는 모바일 환경에서 음성인식한 결과에 포함된 오류를 교정하는 규칙기반 접근방법을 제안한다. 제안하는 방법은 처리시간이나 메모리에 제약을 받는 모바일 환경을 고려하여 다음과 같이 구성된다. 오류 교정 속도를 최소화하기 위해서, 음절 해체 및 조합 과정이나 형태소 분석 등의 처리를 줄이고, 최장일치 규칙 선택기준을 바탕으로 오류 발생 추정 지점에서 교정 후보도 하나만 생성한다. 제안하는 방법은 메모리를 효율적으로 사용하기 위해서, 어절사전이나 형태소분석기를 사용하지 않고, 규칙도 유형별로 따로 구분하지 않고 통합하여 저장한다. 제안하는 방법은 모델의 수정 및 유지보수가 용이하도록, 오류교정규칙을 학습말뭉치에서 자동으로 추출하여 구축한다. 실험결과 제안하는 방법은 음성인식 결과에 대하여 정확률을 5.27% 정도 재현율을 5.60% 정도 개선하였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제5권3호
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• pp.104-108
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• 2004

Problems of overlap errors and side-lobe printing by the design rule reduction in the lithography process using attenuated phase-shifting masks(attPSM) have been serious. Overlap errors and side-lobes can be simultaneously solved by the rule-based correction using scattering bars with the rules extracted from test patterns. Process parameters affecting the attPSM lithography simulation have been determined by the fitting method to the process data. Overlap errors have been solved applying the correction rules to the metal patterns overlapped with contact/via. Moreover, the optimal insertion rule of the scattering bars has made it possible to suppress the side-lobes and to get additional pattern fidelity at the same time.

• Communications for Statistical Applications and Methods
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• 제2권2호
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• pp.146-154
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• 1995

By using simple Taylor expansion, we derive an easy bias-correction rule for the apparent prodiction error of the predictor defined by the general M-estimators with respect to an arbitrary measure of prediction error. Our method has a considerable computational advantage over the previous methods based on the resampling thchnique such as Cross-validaton and Boothtrap. Connections with AIC, Cross-Validation and Boothtrap are discussed too.

• Kyungpook Mathematical Journal
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• 제61권2호
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• pp.309-322
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• 2021

A conservative scheme for solving scalar hyperbolic equations is presented using a quadrature rule and an ODE solver. This numerical scheme consists of an upwind part, plus a correction part which is derived by introducing a new variable for the given hyperbolic equation. Furthermore, the stability and accuracy of the derived algorithm is shown with numerous computations.

• ETRI Journal
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• 제27권2호
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• pp.188-194
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• 2005

We report on the improvement of critical dimension (CD) linearity on a photomask by applying the concept of process proximity correction to a laser lithographic process used for the fabrication of photomasks. Rule-based laser process proximity correction (LPC) was performed using an automated optical proximity correction tool and we obtained dramatic improvement of CD linearity on a photomask. A study on model-based LPC was executed using a two-Gaussian kernel function and we extracted model parameters for the laser lithographic process by fitting the model-predicted CD linearity data with measured ones. Model-predicted bias values of isolated space (I/S), arrayed contact (A/C) and isolated contact (I/C) were in good agreement with those obtained by the nonlinear curve-fitting method used for the rule-based LPC.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제6권4호
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• pp.180-184
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• 2002

In this study, we investigated mask errors, photo errors with attenuated phase shift mask and off-axis illumination, and etch errors in dry etch conditions. We propose that total process proximity correction (TPPC), a concept merging every process step error correction, is essential in a lithography process when minimum critical dimension (CD) is smaller than the wavelength of radiation. A correction rule table was experimentally obtained applying TPPC concept. Process capability of controlling gate CD in DRAM fabrication should be improved by this method.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2004년도 춘계학술대회 발표 논문집
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• pp.159-162
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• 2004

Problems of overlap errors and sidelobe printing by the design rule reduction in the lithography process using attenuated phase-shifting masks(attPSM) have been serious. Overlap errors and sidelobes can be simultaneously solved by the rule-based correction using scattering bars with the rules extracted from test patterns. Process parameters affecting the attPSM lithography simulation have been determined by the fitting method to the process data. Overlap errors have been solved applying the correction rules to the metal patterns overlapped with contact/via. Moreover, the optimal insertion rule of the scattering bars has made it possible to suppress the sidelobes and to get additional pattern fidelity at the same time.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2003년도 춘계학술발표논문집
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• pp.239-242
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• 2003

Scale down으로 인해 부족해진 overlay margin을 통해 충분히 확보해주고, 이와 동시에 attPSM(attenuated phase shift)의 사용으로 발생하는 side-lobe 현상을 억제하기 위한 방법으로 rule-based OPC(optical proximity correction)룰 사용하여 side-lobe만을 효과적으로 추출한 후, 그 자리에 scattering bar를 삽입하였다. 그리고 ORC(optical rule checking)를 통해 original layout과 aerial image의 EPEs(edge placement errors)를 검사하여 검증에 걸리는 시간을 감소시켰다.