PERC 태양전지에서 반사방지막과 p-n 접합 사이에 삽입된 SiOx 층의 두께가 Potential-Induced Degradation (PID) 저감에 미치는 영향 (Thickness Effect of SiOx Layer Inserted between Anti-Reflection Coating and p-n Junction on Potential-Induced Degradation (PID) of PERC Solar Cells)
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- 마이크로전자및패키징학회지
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- 제26권3호
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- pp.75-80
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- 2019