전류구동 능력 향상과 항복전압 감소를 줄이기 위한 새로운 비대칭 SOI 소자 (A New Asymmetric SOI Device Structure for High Current Drivability and Suppression of Degradation in Source-Drain Breakdown Voltage)
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- 대한전자공학회:학술대회논문집
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- 대한전자공학회 1999년도 하계종합학술대회 논문집
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- pp.918-921
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- 1999