• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• v.26 no.11
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• pp.1675-1676
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• 2005

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.04b
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• pp.358-361
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• 2006

태양전지는 일사량에 따라 그 출력특성이 변하기 때문에 전지로부터 최대출력을 얻기 위해서는 컨버터에 의한 최대 전력점 추종제어가 필요하다. 본 논문에서는 태양광 발전시스템의 최대전력추종을 위해 퍼지이론을 도입한 퍼지제어기를 설계하였다. 퍼지제어기의 디지털 설계를 위해 태양광 발전시스템을 각 부분을 구성하고, FPGA를 사용하여 제어기를 구현하였다. 또한 실험을 통해 FPGA의 퍼지제어기로서의 구현가능성을 발견하고 그 타당성을 입증하고자 한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.10a
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• pp.177-178
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• 2008

열처리 조건이 이종접합 유기태양전제(heterojunction organic photovoltaics)의 power conversion efficiency(PCE)에 미치는 영향에 대해 살펴보았다. 본 연구에서는 열처리 온도와 열처리 시간을 변수로 다양한 조건하에서 유기태양전지를 제작하고 AM1.5G 조건에서의 효율 변화를 관찰하였다. 열처리 온도는 $90^{\circ}C$에서 $170^{\circ}C$까지 변화시키며 태양전지의 특성변주를 측정하였으며, 유리 기판 상에 제작된 태양전지의 경우에 $150^{\circ}C$의 열처리 온도에서 가장 우수한 효율을 나타내었다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2005.05a
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• pp.155-158
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• 2005

소규모 독립형 태양광 발전시스템은 최근 대체에너지에 대한 관심이 증가되면서 다양한 형태의 응용제품이 만들어지고 있다. 그러나 설계방법이 체계화되지 않아 태양전지 및 배터리가 필요이상으로 크게 설계되거나 반대로 너무 작게 설계되어 동작이 불안정해지고 잦은 고장의 원인이 되고 있다. 따라서 본 논문에서는 소규모 독립형 태양광발전 시스템의 설계를 위해 태양전지 및 배터리의 용량산정방법과, 부하특성을 고려하여 안정적인 시스템을 설계하기 위한 방안을 제시하고자 한다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2004.11a
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• pp.145-147
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• 2004

LED(light emitting diode)는 처리속도, 전력소모, 수명 등에서 큰 장점이 있기 때문에 첨단조명의 광원으로 각광받고 있다. LED는 전원의 변동에 따라 광출력이 변동되므로 일정한 전압, 전류를 유지하는 기술이 필요하다. 따라서 본 논문에서는 LED 조명의 안정된 동작을 위한 전원장치로서 일정한 전압과 전류를 유지해주는 PWM(pulse width modulation) 궤환제어 방식의 부스트 컨버터를 제안하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.11a
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• pp.77-78
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• 2007

전계가 있는 밀폐된 공간에서의 대전입자에 작용하는 힘에 대한 수식들을 정의하고 구동 전압을 추출할 수 있는 상관 관계를 살펴보았다. 입자의 크기, 전하량 등 여러 가지 실험적인 factor들을 변화시켜본 결과 구동 전압에 많은 영향을 주는 것으로 나타났다. 특히 구동 전압의 추출을 위해 도입된 여러 가지 factor들은 구동 전압에 독립적으로 작용하는 것이 아니라 서로 복합적인 작용을 하는것으로 결과가 얻어졌다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2004.06a
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• pp.172-175
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• 2004

This paper analyzes the effects of Ge profiles shape of SiGe heterojunction bipolar transistors (HBT's) for high frequency application. Device simulations using ATLAS/BLAZE for the SiGe HBT with trapezoidal or triangular Ge profile are carried out to optimize the device performance. An HBT with $15\%$ triangular Ge profile shows higher cut-off frequency and DC current gain than that with $19\%$ trapezoidal Ge profile. The cut-off frequency and DC gain are increased from 42GHz to 84GHz and from 200 to 600, respectively. The SiGe HBT has been fabricated using a production CVD reactor.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.07a
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• pp.445-446
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• 2005

This letter reports the fabrication of polycrystalline silicon thin-film transistors (poly-Si TFT) on flexible plastic substrates using amorphous silicon (a-Si) precursor films by sputter deposition. The a-Si films were deposited with mixture gas of argon and helium to minimize the argon incorporation into the film. The precursor films were then laser crystallized using XeCl excimer laser irradiation and a four-mask-processed poly-Si TFTs were fabricated with fully self-aligned top gate structure.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.07b
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• pp.1089-1091
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• 2004

본 연구에서는 fiexible 기판에 e-beam으로 sio2를 증착 한 후 R.F 스퍼터링으로 ito 박막을 증착한 경우와 polyimide를 스핀 코팅한 후 ito를 증착한 경우로 나누어서 실험 하였다. SIO2 박막은 ITO증착을 위해 증착온도 $100^{\circ}C$에서 증착 하였으며 ITO 박막은 투과율을 향상 시키기 위해서 Ar/O2 혼합가스를 이용하였다. SIO2 와 ITO 박막의 두께는 각각 500nm, 200nm로 증착하였다. Stress 분포는 bending test를 통해 발생하는 island의 crackt 수로 측정 하였다. 그 결과 crack 분포는 buffer layer의 young's modulus 크기와 island density 영향이 지배적임을 확인 하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2007.08b
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• pp.1437-1439
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• 2007

We fabricated white organic light emitting device (WOLED) with the layered fluorescent blue material and phosphorescent green/red dye-doped materials. Addition of the non-doped phosphorescent host material between the fluorescent and phosphorescent light emitting layers provided the result of broadband white spectrum, with improved balance, higher efficiency, and lower power consumption. In our devices, there was no need of exciton-blocking layer between the each emission layer for the further confinement of the diffusion of excitons.