플라스틱 기판위의 buffer layer와 island density가 stress분포에 미치는 영향 분석

  • Han, Jin-Woo (Department of Electrical & Electronic Engineering, College of Engineering, Yonsei University) ;
  • Seo, Dae-Shik (Department of Electrical & Electronic Engineering, College of Engineering, Yonsei University) ;
  • Kim, Yong-Hoon (Information Display Research Center, Korea Electronics Technology Institute) ;
  • Moon, Dae-Gyu (Information Display Research Center, Korea Electronics Technology Institute) ;
  • Kim, Won-Keun (Information Display Research Center, Korea Electronics Technology Institute) ;
  • Han, Jeong-In (Information Display Research Center, Korea Electronics Technology Institute)
  • Published : 2004.07.05

Abstract

본 연구에서는 fiexible 기판에 e-beam으로 sio2를 증착 한 후 R.F 스퍼터링으로 ito 박막을 증착한 경우와 polyimide를 스핀 코팅한 후 ito를 증착한 경우로 나누어서 실험 하였다. SIO2 박막은 ITO증착을 위해 증착온도 $100^{\circ}C$에서 증착 하였으며 ITO 박막은 투과율을 향상 시키기 위해서 Ar/O2 혼합가스를 이용하였다. SIO2 와 ITO 박막의 두께는 각각 500nm, 200nm로 증착하였다. Stress 분포는 bending test를 통해 발생하는 island의 crackt 수로 측정 하였다. 그 결과 crack 분포는 buffer layer의 young's modulus 크기와 island density 영향이 지배적임을 확인 하였다.

Keywords