Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.39
no.4
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pp.1-9
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2002
The distribution characteristics of data retention time for DRAM was studied in connection with the probability distribution of the cell parameters. Using the cell parameters and the transient characteristics of cell node voltage, data retention time was investigated. The activation energy for dielectric layer growth on cell capacitance, the recombination trap energy for leakage current in the junction depletion region, and the sensitivity characteristics of sense amplifier were used as the random variables to perform the Monte Carlo simulation, and the probability distributions of cell parameters and distribution characteristics of cumulative failure bit on data retention time in DRAM cells were calculated. we found that the sensitivity characteristics of sense amplifier strongly affected on the tail bit distribution of data retention time.
To develop simple and efficient transformation methods of monocotyledonous plane, electroporation-mediated delivery of DNA into intact embryogenic cell clumps was investigated in zoysiagrass and rice. Calli of zoysiagrass, induced from 3-week-old immature embryos, were suspension-cultured in MS basic medium supplemented with 1.0 mg/t 2.4-D and used for elechuporation. Calli, derived from immature inflorescences of 20 mm lenth of rice, were also suspension-cultured on N6 basic medium supplemented with 1.0 mg/L 2.4-D. Suspension-cultured embryogenic cell clumps were electroporated in liqid MS medium added with a Plasmid DNA (30 $\mu\textrm{m}$/ml), pGA1074, encoding ${\beta}$-glucuronidiase (GUS). DNA delivery into the cells through cell walls and cell membrane was confirmed by the transient expression of the GUS gene. Cell clumps of zoysiagrass and rice, electroporated with 400 volt at 800 pF capacitance, expressed GUS gene activity at a mean frequency of 25 units (one unit = one clony of blue cells) per 200 ${\mu}\ell$ of packed cell volume. Untreated cells and healed non-embryogenic cells did not exhibit GUS activity These results indicate that electroporation-mediated transformation can use intact embryogenic cells (thus avoiding the use protoplasts) in zoysiagrass and rice.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.17
no.1
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pp.107-111
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2004
This work describes the effect of composite conductor on the characteristics of electric double layer capacitor. Test cell, which was fabricated with conducting composite consisted of 80% of SPB and 20% of VGCF, exhibits the better tate capability and the lower resistance than those of the cells fabricated with single electronic conductor. These enhanced properties could be related with the decrease of contact resistance between the activated carbon powders.
Proceedings of the Korea Society for Industrial Systems Conference
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2002.06a
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pp.195-199
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2002
This paper describes the effect of substrate back bias of CMOS Inverter. When the substrate back bias applied in body, the MOS transistor threshold voltage increased and drain saturation current decreased. The back gate reverse bias or substrate bias has been widely utilized and the following advantage has suppressing subthreshold leakage, lowering parasitic junction capacitance, preventing latch up or parasitic bipolar transistor, etc. When the reverse voltage applied substrate, this paper stimulated the propagation delay time CMOS inverter.
Kim, Doo-Hwan;Lee, Sang-Jin;Nam, Ki-Hun;Kim, Shi-Ho;Cho, Kyoung-Rok
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.59
no.6
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pp.1095-1102
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2010
This paper presents an equalizer reducing CCI(cell-to-cell interference) in MLC NAND flash memory. High growth of the flash memory market has been driven by two combined technological efforts that are an aggressive scaling technique which doubles the memory density every year and the introduction of MLC(multi level cell) technology. Therefore, the CCI is a critical factor which affects occurring data errors in cells. We introduced an equation of CCI model and designed an equalizer reducing CCI based on the proposed equation. In the model, we have been considered the floating gate capacitance coupling effect, the direct field effect, and programming methods of the MLC NAND flash memory. Also we design and verify the proposed equalizer using Matlab. As the simulation result, the error correction ratio of the equalizer shows about 20% under 20nm NAND process where the memory channel model has serious CCI.
Kim, Hyun-Jun;Byun, Jung-Hyun;Kim, Ji-Hun;Jeong, Sang-Hyun;Kim, Kwang-Ho
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2010.06a
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pp.242-242
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2010
산화 알루미늄($Al_2O_3$) 박막을 p-type Czochralski(CZ) Si 위에 Remote Plasma Atomic Layer Deposition(RPALD)을 이용하여 저온 공정으로 증착하였다. Photolithography 공정으로 grid 패턴을 형성한 후 열 증착기로 알루미늄을 증착하여 MIS-IL (Metal-Insulator-Semiconductor Inversion Layer) solar cell을 제작하였다. 반응소스로는 Trimethylaluminum (TMA)과 $O_2$를 이용하였다. $Al_2O_3$ 박막의 전기적 특성 평가를 위해 MIS capacitor를 제작하여 Capacitance-voltage (C-V), Current-voltage (I-V), Interface state density ($D_{it}$)를 평가하였으며 Solar simulator를 이용하여 MIS-IL Solar cell의 Efficiency을 측정하였다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.16
no.6
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pp.781-792
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2016
This paper presents a new approach to enhance the data retention of logic-compatible embedded DRAMs. The memory bit-cell in this work consists of two logic transistors implemented in generic triple-well CMOS process. The key idea is to use the parasitic junction capacitance built between the common cell-body and the data storage node. For each write access, a voltage transition on the cell-body couples up the data storage levels. This technique enhances the data retention and the read performance without using additional cell devices. The technique also provides much strong immunity from the write disturbance in the nature. Measurement results from a 64-kbit eDRAM test chip implemented in a 130 nm logic CMOS technology demonstrate the effectiveness of the proposed circuit technique. The refresh period for 99.9% bit yield measures $600{\mu}s$ at 1.1 V and $85^{\circ}C$, enhancing by % over the conventional design approach.
Seo, Hyun Woo;Kim, Ki Soo;Beak, Hyun Duk;Kim, Dong Min
Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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v.24
no.5
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pp.421-427
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2013
We report on the time dependent degradation of cell in dye-sensitized solar cells (DSSC). The photovoltaic performance of DSSC over a period of time was investigated in liquid electrolyte based on triiodide/iodide during six days. It was found that the short circuit current density ($j_{sc}$) of the cell dropped from 9.9 to $7mA/cm^2$ while efficiency (${\eta}$) of the cell decreased from 4.4 to 3.3%. The parameters corresponding to fundamental electronic and ionic processes in a working DSSC are determined from the electrochemical impedance spectrascopy (EIS) at open-circuit potential ($V_{oc}$). EIS study of the DSSC in the this work showed that the electron life time ${\tau}_r$ and chemical capacitance $C_{\mu}$ decreased significantly after six days. It was correlated the $j_{sc}$ and efficiency decreased after six days.
Journal of electromagnetic engineering and science
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v.4
no.1
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pp.30-36
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2004
We determined equivalent circuit parameters of a 1.5 cell S-band RF gun cavity from the resonant characteristics of its decoupled cavities(half cell and full cell) using the code SUPERFISH. Equivalent circuit parameters of the 1.5 cell RF gun cavity resonated in the 0-mode were obtained easily from the circuit parameters of each decoupled cavities. In order to obtain equivalent circuit parameters for the $\pi$ -mode cavity, we calculated the differences of the resonant frequencies and the equivalent resistances between the 0- and $\pi$ -modes with slight variations of the radius and thickness of the coupling iris. From those differences, we obtained R/Q value and equivalent resistance of the $\pi$ -mode, which are directly related to the equivalent circuit parameters of the coupled cavity. Using calculated R/Q value, we can express equivalent inductance, capacitance and resistances of the RF gun cavity resonated in the $\pi$ -mode, which can be useful for analyzing coupled cavities in a steady state.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.05c
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pp.299-305
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2003
The battery industries have been developed to the implementation of lithium ion secondary cell from the cell of Ni/Cd and Ni/MH in the past to be asked of an age of high technology from low technology. Also in resent the polymeric cell to get a good high function with an age of new advanced information system is changed from the 21 century to the secondary batteries society. The properties of lithium secondary batteries have the high energy density, the long cycle time, the low self discharge area and the high active voltage. The wanted properties of secondary batteries for the motion of an apparatuses of industries of an high skill age have a small type trend of the energy density and it is become with a strong asking of the industrial society market about the storable medium of the convenience and new power energy. The electrochemical properties is researched for the cell to be synthesised and crystallized the positive active material LiMnO2 of the secondary cell at 9250C to get a new improved data of the electric discharge for that the capacitance of the LiMnO2 thin film that is improving and researching with the properties and a merit and demerit in the this kind of asking.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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