• 제목/요약/키워드: Capacitance

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정전용량 수분센서의 배지 함수량 정량화 (Quantification of Rockwool Substrate Water Content using a Capacitive Water Sensor)

  • 백정현;박주성;이호진;안진희;최은영
    • 생물환경조절학회지
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    • 제30권1호
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    • pp.27-36
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    • 2021
  • 정전용량 수분측정 센서는 수경용 배지 양쪽에 구리 및 테플론으로 절연된 전극판(30cm×10cm)을 부착하여 배지의 넓은 부분에 걸쳐 측정하도록 개발되었다. 본 연구는 콘덴서형 정전용량 센서로부터 출력되는 정전용량 값을 배지 함수량으로 변환하는 것이다. 정량화 실험은 양액을 공급하면서 배지 물무게와 정전용량 변화를 측정하고 그 값을 비교하는 방식으로 수행되었다. 배지 함수량과 정전용량은 본 연구를 위해 특별히 개발된 소프트웨어와 함께 센서와 로드셀을 사용하여 20~30초마다 측정되었다. 상용 curve-fitting 프로그램을 이용하여 배지 함수량과 정전용량을 변수로 정전용량 값으로 배지 함수량을 추정하였다. 공급하는 물의 양이 증가하면 정전용량도 증가하는 경향을 보였다. 배지 내 물무게에 따른 정전용량에 대한 변동계수(coefficient of variation, cv)는 배지 내 물무게가 1.0kg 수준에서 다른 무게에 비해 높아 함수량 보정은 물무게를 1.7~6.0kg 수준에서 수행하였다. 정전용량과 물무게 사이의 상관 계수는 0.996이었고 보정식에 의해 정전용량으로 추정된 함수량은 로드셀로 측정한 배지 함수량과 비교하였다.

A CMOS-based Electronically Tunable Capacitance Multipliers

  • Suwannapho, Chonchalerm;Chaikla, Amphawan;Kamsri, Thawatchai;Riewruja, Vanchai
    • 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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    • 제어로봇시스템학회 2004년도 ICCAS
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    • pp.1561-1564
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    • 2004
  • A CMOS-based Electronically Tunable Capacitance Multipliers, which can be magnified the value of a grounded unit capacitance, is presented in this article. The multiplication factor is varied by the ratio of the bias currents. The proposed circuit is simple, small in size and suitable for implementing in standard CMOS process. PSPICE simulation results demonstrating the characteristics of the proposed circuit are included.

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유독물질 질량분율 실시간 측정용 정전용량센서 제작 (Fabrication of capacitance sensor for real time harmful substance mass fraction mesurement)

  • 김영수;오정석
    • 한국연소학회:학술대회논문집
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    • 한국연소학회 2014년도 제49회 KOSCO SYMPOSIUM 초록집
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    • pp.337-338
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    • 2014
  • In this study, a method of using a capacitance sensor was investigated as a means to measure the mass fraction of a type of harmful substance. Using MEMS process, we developed a capacitance sensor and studied the real time mass fraction with harmful substance mixture liquid.

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가변 분할을 적용한 유한 요소법에 의한 3차원 모형의 효율적인 커패시턴스 추출 방법 (An Efficient Three-Dimensional Capacitance Extraction Based on finite Element Method Adopting Variable Division)

  • 김정학;김준희;김석윤
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • 제52권3호
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    • pp.116-122
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    • 2003
  • This paper proposes an efficient method for computing the 3-dimensional capacitance of complex structures. The proposed method Is based on Finite Element Method(FEM) and expands the conventional FEM by adopting variable division. This method improves the extraction efficiency 50 times when compared to the conventional FEM with equal division. The proposed method can be used efficiently to extract electrical parameters of on/off-chip interconnects in VLSI systems.

Full HD AMOLED Current-Programmed Driving with Negative Capacitance Circuit Technology

  • Hattori, Reiji;Shim, Chang-Hoon
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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    • pp.1093-1096
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    • 2008
  • The circuit simulation has been done on the current-programmed AMOLED and shows that the circuit which behaves as a negative capacitance can reduce the effect of parasitic capacitance fixed on the data-line and can accelerate the current programming speed as high as that required in Full HD AMOLED.

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다층 유전체 매질에서의 Interconnection Line에 대한 Capacitance Parameter 계산에 관한 연구 (A Study on Calculation of Capacitance Parameter for Interconnection Line in Multilayer Dielectric Media)

  • 김한구;곽계달
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제26권8호
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    • pp.1187-1196
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    • 1989
  • In this paper, a method for computing the capacitance parameter for a multi-interconnection line in a multilayered dielectric region is presented. The number of interconnection lines and the number of dielectric layers are arbitrary, and the interconnection lines are finite cross section or infinite cross section. The surface of lines and dielectric interface are divided into subsection. The surface charge density of each subsection is a constant step-pulse function for each subsection. After the solution of surface charge density is effected by the method of moments, capacitance parameter is calculated.

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A High Density MIM Capacitor in a Standard CMOS Process

  • Iversen, Christian-Rye
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제1권3호
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    • pp.189-192
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    • 2001
  • A simple metal-insulator-metal (MIM) capacitor in a standard $0.25{\;}\mu\textrm{m}$ digital CMOS process is described. Using all six interconnect layers, this capacitor exploits both the lateral and vertical electrical fields to increase the capacitance density (capacitance per unit area). Compared to a conventional parallel plate capacitor in the four upper metal layers, this capacitor achieves lower parasitic substrate capacitance, and improves the capacitance density by a factor of 4. Measurements and an extracted model for the capacitor are also presented. Calculations, model and measurements agree very well.

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인버티드 스태거형 TFT 캐패시턴스의 온도변화 특성 (Temperature Variation Capacitance Characteristics of Inverted Staggered TFT)

  • 정용호;이우선;김남오
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1996년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.102-104
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    • 1996
  • The fabrication and analytical expression for the temperature dependent capacitance characteristics of inverted staggered hydrogenerated amorphous silicon thin film transistors(a-si :H TFT) from 303k to 363k were presented. The results show that the experimental capacitance-voltage characteristics at several temperatures are easily measured. Capacitance increased exponentially by gate voltage increase and decreased by temperature increase. C/C(max) ratio decreased at higher temperature, C/C(min) ratio increased at higher temperature.

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자기베어링과 공위한 축전센서의 설계 및 성능 평가 (The Design and Performance Verification of Collocated Capacitance Sensor for Magnetic Bearing)

  • 유선중;신동원;김종원
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 1994년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.317-322
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    • 1994
  • The design and performance verification of collocated capacitance sensor system for magnetic bearing is presented. Noncollocation between actuators and sensors may cause unstable rotor behavior. The capacitance sensor is not affected by magnetic field. PCB type capacitance sensor is installed between magnetic bearing polse. so, collocation of sensors and actuators can be achieved. Experiment of sensor's static and dynamic charactistics is conducted. Modeling of the rotor system supported by magnetic bearing is made. And performance comparison between simulation and experiment is showed.

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자동 트래킹 시스템을 위한 RFID 안테나의 최적 Capacitance (An Optimal Capacitance of RFID Antenna for Auto-Tracking Systems)

  • 장지영;임성락
    • 한국산학기술학회:학술대회논문집
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    • 한국산학기술학회 2011년도 춘계학술논문집 1부
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    • pp.444-446
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    • 2011
  • RFID(13.56MHz)를 이용한 자동 트래킹 시스템은 기본적으로 RFID 안테나와 리더부, Card(Tag)로 구성된다. 본 논문에서는 RFID 안테나의 크기와 출력 거리에 영향을 미치는 최적 Capacitance 값을 도출하는 방법을 제시한다. 제시한 방법의 타당성을 검토하기 위하여 RFID 안테나의 크기가 $0.0856{\times}0.05398m$이고 출력거리가 10~12cm에 가장 적합한 Capacitance 값을 도출하여 시제품를 설계 제작하여 정상적인 동작 상태를 확인하였다.

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