비정질 Na-규산염과 Na-알루미노규산염 내의 Na 이온의 원자 환경을 규명하는 것은 Na을 포함하는 지구 내부 마그마의 물성을 규명하는 데 중요하다. 특히 Na 원자 환경의 규명을 통해 이동 물성에 매우 중요한 역할을 하는 Na과 산소와의 거리를 밝힐 수 있다. 본 연구에서는 $^{23}Na$ magic angle spinning (MAS) NMR을 이용하여 비정질 Na 규산염과 알루미노규산염의 Na 주변 원자 환경을 규명하고자 하였고 Dmfit 프로그램을 이용한 시뮬레이션을 통해 ${\delta}_{iso}$ 값을 구했다. Dmfit 프로그램에서 제공하는 여러 모델 중 Q mas 1/2 모델과 CzSimple 모델을 사용하여 비정질 Na-알루미노규산염의 $^{23}Na$ MAS NMR 스펙트럼에 대해 시뮬레이션을 진행한 결과 Q mas 1/2 모델은 세 개의 피크로 CzSimple 모델은 하나의 피크로 실험값이 재현되는 것을 확인하였다. 조성에 따른 등방성 화학적 차폐(isotropic chemical shift, ${\delta}_{iso}$)의 변화를 관찰한 결과 비정질 Na-규산염과 Na-알루미노규산염에서 $SiO_2$의 함량이 증가할수록 ${\delta}_{iso}$ 값이 감소하는 경향성을 보였고 $SiO_2$ 함량이 고정되어 있는 조성에서는 $Na_2O$의 함량이 높을수록 높은 ${\delta}_{iso}$ 값을 보였다. 이전 연구에서 실험적으로 얻어진 값들과 본 연구에서 시뮬레이션을 통해 얻은 값을 비교해본 결과 ${\delta}_{iso}$ 값은 Al / (Al + Si) 값과 양의 상관관계를 보이는 것이 확인되었고 CzSimple 모델에 비해 Q mas 1/2 모델을 사용하여 시뮬레이션 한 값이 실험값을 더 잘 재현하였다. 본 연구의 결과를 통해 1D $^{23}Na$ MAS NMR 스펙트럼의 시뮬레이션을 통해 빠른 시간 내 Na 주변의 무질서도를 밝힐 수 있다는 것이 확인되었다.
Let C[C, D] and $S^{*}[C,\;D]$ denote the classes of functions g, g(0)=1-g'(0)0=0, analytic in the unit disc E such that $\frac{(zg{\prime}(z)){\prime}}{g{\prime}(z)}$ and $\frac{zg{\prime}(z)}{g(z)}$ are subordinate to $\frac{1+Cz}{1+Dz{\prime}}$$z{\in}E$, respectively. In this paper, the classes K[A,B;C,D] and $C^{*}[A,B;C,D]$, $-1{\leq}B<A{\leq}1$; $-1{\leq}D<C{\leq}1$, are defined. The functions in these classes are close-to-convex. Using the properties of convolution operators, we deal with some problems for our classes.
8인치 쵸크랄스키 실리콘 단결성 성장에 있어서, 계면에서의 온도기울기, 산소, 농도 및, 반경방향의 산소농도 분포에 미치는 아르곤 가스 유동의 영향을 조사하였다. 아르곤의 유입량을 증가시킴에 따라 계면 근처 결정내 온도기울기가 증가하였으며. 결정내 산소농도는 감소하였다. 한편, 반경방향의 산소농도 균일성은 악화됨이 관찰되었다. 실험 결과를 종합하여 볼 때, 아르곤 유동이 산소 농도 및 균일 분포성 등의 결정 특성에 중요한 영향을 미치는 성장 공정변수임을 확인할 수 있었다.
초크랄스키로 성장한 Si 단결정에서 결정 성장 속도를 달리한 sample을 이용하여 COP, FPD 및 LSTD등의 grown-in 결함 밀도와 한 웨이퍼 내에서의 분포를 정확하게 측정하여 이들 결함들간의 상호 관계를 고찰하였다. 이들 결함의 밀도와 한 웨이퍼 내에 발생하는 영역의 크기는 결정 성장 속도가 빠를수록 증가하였다. 또한 한 웨이퍼 내에서 이들 결함의 발생 영역이 일치하는 것으로 보아 이들 결함은 동일한 origin에 의해 생성된 것으로 판단된다.
This study is intended to make defect-free region, denuded zone at the silicon wafer surface for semiconductor device substrates. In this experiment, initial oxygen concentration of starting material CZ-grown silicon wafer, various heat treatment combinations, denuding ambient and the amounts of oxygen reduction were measured, and then denuded zone (DZ) formation and depth were investigated. In Low/High anneal (DZ formation could be achieved), the optimum temperature for Low anneal was 700$^{\circ}C$∼750$^{\circ}C$. In case of High anneal, with the time increased, DZ depth was increased at 1000$^{\circ}C$, 1150$^{\circ}C$ respectively, but on the contrary, DZ depth was decreased at low temperature 900$^{\circ}C$. As well, out-diffusion time below 2 hours was unsuitable for effective Gettering technique even though the temperature was high, and DZ formation could be achieved when initial oxygen concentration was only above 14 ppm in silicon wafer.
본 연구에서는 45명의 가상현실 사용자들의 가상현실 전, 중, 후의 생리신호의 변화를 관찰하였고 성격, 능력 특성 설문지, 가상현실 평가 설문지를 이용하여 심리적 영향을 알아보았다. 체온의 변화 양상을 기준으로 하여 가상현실 사용자의 심리생리학적 유형을 나누고 유형별 심리적인 반응 특성을 살펴보았다. 1) A 유형: 가상현실 유행동안 체온이 연속적으로 감소하는 유형. 2) B 유형: 가상현실 윤행초기에 체온이 급격히 증가해서 운행동안 서서히 체온이 상승하는 유형. A 유형에 속하는 사용자들의 성격적 특성은 Holland의 성격 유형이론에 근거하여 실제형의 사람들이 많은 것으로 나타났으며 B 유형은 탐구형, 사회형의 사람들이 많은 경향으로 나타났다. 멀미민감도는 A 유형이 B 유형보다 더 크게 나타났다. A, B 유형의 뇌파분석 결과 정중 전두부 (Fz), 정중 중심부 (Cz)에서 베타파, 감마파 상대파워가 유의미한 차이가 있는 것으로 나타났다. 체온의 변화 양상에 따라 나눈 A, B 유형은 성격 및 능력 특성, 멀미민감도에 있어서 유형간 차이가 있는 것으로 나타났다.
CMP (Chemical mechanical polishing) process was used to control the fine grinding process induced mechanical damage of Cz Silicon wafer. Characterization of mechanical damage was carried out using Nomarski microscope, magic mirror and also using angle lapping and lifetime scanner evaluation after heat treatment. Magic mirror and lifetime scanner were very useful for the residual damage pattern characterization and CMP process was effective on the reduction of fine grinding induced mechanical damage.
Oxygen behaviors in CZ-silicon wafer, grown by the Lucky Advanced Materials Inc. that is a pioneer of silicon material industries in Korea, were investigated to simulate effects on the device performance of oxygen, neglecting the effect of other impurity content, defects and thermal history. Silicon wafers were annealed through simulated 16K SRAM thermal cycle. As initial oxygen concentration increased up to 16.7ppma the amount of oxygen precipitation increased up to 10.6ppma and the bulk microdefect density increased up to $10.3{\times}10^3/mm^2$, but the depth of the denuded zone decreased to $5.0{\mu}m$
본 연구에서는 문헌 연구를 통해, 수학사적 발전 과정 및 교수학적 변환을 통해 얻어진 체바 정리의 변환에 대한 구체적인 자료를 제시하였으며, 이를 통해 체바 정리가 변환되고 확장되는 패턴을 고찰하였다. 특히, 본 연구에서는 체바 정리의역, 유향선분, 삼각함수, 벡터 등의 개념과 관련된 체바 정리의 변형 및 발전을 분석하였으며, n각형에 대한 체바 정리, 사면체에 대한 체바 정리를 제시하면서 일반화 및 유추에 관련된 체바 정리의 변환과 확장을 고찰하였다.
This study was undertaken to investigate the effect of the levels of dietary Zn and alcohol consumption on lipid metabolism in Sprague-Dawley male rats weighing 80 to 90g for eight weeks. Ninety rats were divided into nine groups according to Zn levels and alcohol consumption such as no alcohol group[low Zn diet group(<1ppm. LZ) control Zn diet group(30ppm. CZ) high Zn diet group(60ppm, HZ)] 10% alcohol consumption group[the same Zn levels as no alcohol group LZLA, CZLA, HZLA] 20% alcohol consumption group[the same Zn levels as no alcohol group, LZHA, CZHA, HZHA] The results obtained were summarized as following : 1) In the serum total cholesterol increased with increasing dietary Zn levels but decreased with alcohol consumption. HDL-cholesterol decreased with alcohol consumption. Triglyce-ride in alcohol group was higher than no alcohol group. In alcohol group triglyceride increased with decreasing dietary Zn levels. 2) In the liver total lipid in alcohol group was higher than no alcohol group HA group showed a significant increase. Triglyceride increased with alcohol consumption. 3) In the serum and liver Zn content increased with increasing dietary Zn levels but decreased with alcohol consumption.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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