• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
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• pp.1003-1006
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• 2012

본 논문은 CMOS 센서의 스캔 이미지 향상 위한 기법으로 흑백의 명암차를 이용한 이미지 보상 알고리즘과 시스템 설계에 관한 연구이다. 제안한 기법은 CMOS 센서의 각 화소에 대해 명암차를 구하고, 제한된 메모리 조건 하에서 쉐이딩 알고리즘을 적용한다. 제안 기법의 성능은 하드웨어를 설계하여 평가 한다. 실험 결과는 테스트 이미지의 에지 부분에서 채널별 밝기 차이가 개선되었고, 균등한 품질의 이미지 센싱이 가능하였다.

• 센서학회지
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• 제3권1호
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• pp.46-53
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• 1994

본 논문에서는 FA용 센서 중의 하나인 고주파 발진형 근접 센서 시스템을 CMOS를 이용하여 설계하였다. 금속 물체의 원근에 따라 발생되는 크기가 다른 두 정현파를 전파정류부와 평활회로부를 통하여 DC 전압으로 전환하여 정전류회로의 출력단에 전류를 흐르게 한다. 슈미트 트리거를 사용하여 전압 레벨의 노이즈를 제거한다. 이를 통하여 고주파 발진형 근접 센서 시스템이 소형, 경량화, 저 소비 전력의 이점을 갖도록 하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 신호처리소사이어티 추계학술대회 논문집
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• pp.517-520
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• 2003

Commercial video scope use CCD sensor and frame grabber for image capture and A/D interface but application limited by input resolution and high cost. In this paper we introduce portable video scope using CMOS sensor, USB pen and tuner card (low frame grabber) in place of commercial CCD sensor and frame grabber. Our video scope serves as an essential link between advancing commercial technology and research, providing cost effective solutions for educational, engineering and medical applications across an entire spectrum of needs. The software implementation is done using Direct Show in second version after initial trials using First version VFW (video for window), which gave very low frame rate. Our video scope operates on windows 98, ME, XP, 2000. The drawback of our video scope is crossover problem in output images caused due to interpolation, which has to be rectified for more efficient performance.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제5권2호
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• pp.102-106
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• 2005

A low dark current CMOS image sensor (CIS) pixel without any process modification is developed. Dark current is mainly generated at the interface region of shallow trench isolation (STI) structure. Proposed pixel reduces the dark current effectively by separating the STI region from the photodiode junction using simple layout modification. Test sensor array that has both proposed and conventional pixels is fabricated using 0.18 m CMOS process and the characteristics of the sensor are measured. The result shows that the dark current of the proposed pixel is 0.93fA/pixel that is two times lower than the conventional design.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
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• pp.485-486
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• 2006

This paper proposes a novel low-cost CMOS temperature sensor for controlling the self-refresh period of a mobile DRAM. In this temperature sensor, ring oscillators composed of cascaded inverter stages are used to obtain the temperature of the chip. This method is highly area-efficient, simple and easy for IC implementation as compared to traditional temperature sensors based on analog bandgap reference circuits. The proposed CMOS temperature sensor was fabricated with 80 nm 3-metal DRAM process. It occupies a silicon area of only about less than $0.02\;mm^2$ at $10^{\circ}C$ resolution with under 5uW power consumption at 1 sample/s processing rate. This area is about 33% of conventional temperature sensor in mobile DRAM.

• 센서학회지
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• 제14권4호
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• pp.272-277
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• 2005

A CMOS active pixel sensor has been designed and fabricated using standard 2-poly and 4-metal $0.35{\mu}m$ CMOS processing technology. The CMOS active pixel sensor has been made up of a unit pixel having a highly sensitive PMOSFET photo-detector and electronic shutters that can control the light exposure time to the PMOSFET photo-detector, correlated-double sampling (CDS) circuits, and an 8-bit two-step flash analog to digital converter (ADC) for digital output. This sensor can obtain a stable photo signal in a wide range of light intensity. It can be realized with a special function of an electronic shutter which controls the light exposure-time in the pixel. Moreover, this sensor had obtained the digital output using an embedded ADC for the system integration. The designed and fabricated image sensor has been implemented as a $128{\times}128$ pixel array. The area of the unit pixel is $7.60{\mu}m{\times}7.85{\mu}m$ and its fill factor is about 35 %.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제12권7호
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• pp.1235-1242
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• 2008

본 논문에서는 $0.18{\mu}m$ triple-well CMOS 공정을 사용하여 포톤계수 방식의 $32{\times}32$ 픽셀 어레이를 갖는 CMOS ray 영상센서를 설계하였다. 설계된 영상센서의 카픽셀은 $100{\times}100\;{\mu}m2$ 면적을 가지고 있고 약 400개의 트랜지스터로 구성되어 있으며, 범프 본딩을 통해 ray 검출기와 CSA(Charge Sensitive Amplifier)의 연결을 위한 $50{\times}50{\mu}m2$의 오픈패드를 가지고 있다. 각각의 싱글픽셀 CSA에서 전압 바이어스 회로를 사용한 folded cascode CMOS OP amp 대신 레이아웃 면적을 줄이기 위하여 self biased folded cascode CMOS OP amp를 이용하였으며, 계수 모드 진입 전후에 CLK에서 발생 할 수 있는 short pulse를 제거하는 15bit LFSR 계수기 (Linear Feedback Shift Register Counter) 클럭 발생회로를 제안하였으며, 읽기 모드에서 CMOS X-ray 영상센서의 최대 전류를 줄이기 위하여 열 어드레스 디코더를 이용하여 한 열씩 읽도록 설계하였다.

• 대한기계학회논문집A
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• 제39권1호
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• pp.105-109
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• 2015

고출력 레이저에 의한 영상 센서의 손상 분석 연구를 수행하였다. 고출력 레이저에 의한 금속의 손상에 관한 연구는 많이 이루어져 있지만, 상대적으로 고출력 레이저에 취약한 영상 시스템의 손상 연구는 미비한 상태이다. 본 논문에서는 CMOS 영상 센서에 고출력 레이저가 조사 되었을 때, 영상 센서가 받는 손상에 대해 실험적으로 분석하였다. 고출력 레이저 소스로는 근적외선대역의 연속발진 광섬유 레이저를 사용하였으며, 레이저 세기와 조사시간에 따른 CMOS 영상 센서의 영구적 손상 및 영상 품질을 분석하였다. 그 결과 조사시간과 레이저세기가 증가함에 따라 먼저 색상 손상이 나타나고 이후 작동불능 상태가 되었으며, 이러한 손상은 조사시간보다 레이저 세기에 더 큰 영향을 받는 것으로 나타났다.

• 센서학회지
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• 제25권5호
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• pp.326-332
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• 2016

A novel CMOS temperature sensor with binary output is implemented by using fully differential switched-capacitor circuits for resistorless implementation of the temperature sensor core. Temperature sensing is based on the temperature characteristics of the pn diodes implemented by substrate pnp transistors fabricated using standard CMOS processes. The binary outputs are generated by using the charge-balance principle that eliminates the division operation of the PTAT voltage by the bandgap reference voltage. The chip was designed in a MagnaChip $0.35-{\mu}m$ CMOS process, and the designed circuit was verified using Spectre circuit simulations. The verified circuit was laid out in an area of $950{\mu}m{\times}557 {\mu}m$ and is currently under fabrication.

• 한국항공우주학회지
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• 제33권10호
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• pp.93-97
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• 2005

본 논문은 과학기술위성2호 핵심우주기술시험용 탑재체인 고 정밀 디지털 태양센서의 개발에 관한 것이다. 고 정밀 디지털 태양센서는 국내 최초의 디지털 태양센서로서 CMOS image sensor를 이용한다. FDSS는 광학부, FPGA(Field Programable Gate Array)부 및 MCU(Micro controller unit)부로 구성되어있다. 본 논문에서는 구경(Aperture)의 설계와 관련된 광학부의 광학특성 분석에 중점을 두어 기술하고자 한다. 또한 CMOS image sensor(CIS) 화소 면에 투사되는 태양광의 광학적 특성도 분석한다.